轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設(shè)計 GaN器件設(shè)計根據(jù)類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
5986 “PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共迎來了近8000名參觀者。在本屆展會上，開發(fā)
2013-07-09 09:46:494103 功率氮化鎵器件是電源設(shè)計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)
2015-10-28 09:32:421261 
GaN FET 實現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級設(shè)計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:513863 在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計都是一項重要的考慮因素。熱設(shè)計經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要
2022-11-18 09:42:251468 氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動了它在多樣化應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換使用，例如
2024-04-22 13:51:133603 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:025396 Transphorm驗證并實現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦，這進(jìn)一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:283012 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:003360 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
2024-02-26 06:30:003364 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:004502 描述PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
2023-06-21 07:35:15
的設(shè)計人員面臨幾個相沖突的業(yè)界挑戰(zhàn)，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標(biāo)準(zhǔn)，一直到成本等相關(guān)問題。納微的單芯片GaN功率IC可同時達(dá)到高速運作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業(yè)頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球?qū)τ诙际谢A(chǔ)建設(shè)、新能源、節(jié)能環(huán)保等方面的政策支持，擴(kuò)大對于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進(jìn)一步促進(jìn)SiC/GaN功率元件的發(fā)展。
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
描述該 TI 設(shè)計為適用于低成本智能恒溫器和其他樓宇自動化設(shè)備的低成本高效功率竊取提供了一種參考設(shè)計。通常，功率竊取能夠通過在 HVAC 負(fù)載關(guān)閉時從 24V 交流電獲取功率，來延長啟用
2018-12-27 15:22:31
CERNEX窄帶高功率放大器（GaN）
CERNEX推出的CNP GaN系列窄帶高功率放大器專為多種通用應(yīng)用場景而設(shè)計，涵蓋實驗室測試設(shè)備、儀器儀表及高功率輸出需求的其他領(lǐng)域。CNP GaN系列窄帶
2025-02-21 10:39:06
放大器（HPA）單片微波集成電路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應(yīng)用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護(hù)，封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
2025-12-12 09:40:25
輸出晶體管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢，因為我們能夠大幅簡化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計，實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
) !important]推動SiC/GaN功率開關(guān)普及的主要應(yīng)用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉(zhuǎn)換器。這里利用了超快的小型高效功率開關(guān)的附加價值，為市場帶來了超高開關(guān)頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
的對稱布局也很重要，這樣才能平衡相電流，并將由于柵極驅(qū)動延遲、開關(guān)轉(zhuǎn)換速度、過沖或其他參數(shù)不匹配而導(dǎo)致的任何影響降至最低。使用GaN功率器件進(jìn)行設(shè)計時，內(nèi)部垂直環(huán)路［2］方法是將去耦電容放置在FET附近
2023-02-21 15:57:35
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級
2018-10-25 11:49:58
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風(fēng)險。
2020-10-28 06:59:27
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計實現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說明設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
轉(zhuǎn)換中期可以達(dá)到500W以上。對于尺寸為5mm x 2mm的典型功率GaN器件，這個值可以達(dá)到每mm2 50W。所以用戶也就無需對SOA曲線顯示的這個區(qū)域只支持短脈沖這一點而感到驚訝了。由于器件的熱
2019-07-12 12:56:17
市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，預(yù)計在2020年時可望達(dá)到3千萬美元的產(chǎn)值。目前銷售GaN功率組件的主要半導(dǎo)體業(yè)者包括英飛凌/IR、宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EfficientPower
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計
2023-06-21 11:45:06
怎樣去設(shè)計一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進(jìn)行測試驗證？
2021-06-02 06:11:23
新應(yīng)用，產(chǎn)生了對超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉(zhuǎn)換器的需求。車載牽引電機(jī)驅(qū)動器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達(dá)2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命
功率MOSFET出現(xiàn)之前，雙極性晶體管在功率電子領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位，而且線性供電支配著整個電源世界。但是，30年前第一批商用化
2010-04-13 14:33:371820 
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331846 國產(chǎn)高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對寬帶、高功率微波系統(tǒng)及有源相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進(jìn)的平面內(nèi)匹配合成技術(shù)，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:53
14 了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級控制拓?fù)鋪斫鉀Q面臨的挑戰(zhàn)。
2018-06-05 13:45:005682 基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器和牽引電機(jī)逆變器）。
2019-06-13 11:45:005209 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062915 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:164912 (MOSFET)，因為它能夠驅(qū)動更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:521636 
和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進(jìn)一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 PoL 轉(zhuǎn)換器 鋪平了道路。
2022-07-29 08:56:441561 
意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨特的設(shè)計和封裝專業(yè)知識
2022-08-03 10:44:571285 
越來越多的社會壓力和越來越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動從汽車到電信的行業(yè)投資于更高效的電力轉(zhuǎn)換和增加電氣化。傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體技術(shù)如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在工作頻率、速度方面存在根本性
2022-08-04 09:52:161672 
氮化鎵 (GaN) 功率器件已經(jīng)生產(chǎn)超過 10 年，除了性能和成本改進(jìn)之外，GaN 技術(shù)影響功率轉(zhuǎn)換市場的最重要機(jī)會來自于在同一襯底上集成多個器件的內(nèi)在能力. 這種能力將允許以更直接、更高效率和更具成本效益的方式在單個芯片上設(shè)計單片電源系統(tǒng)。
2022-08-04 09:27:541496 
分立式 GaN 解決方案的速度無疑比硅等效方案更快。使用數(shù)字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關(guān)固件消除了許多設(shè)計瓶頸。
2022-08-05 08:05:081286 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:133009 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
2023-01-30 14:17:441435 白皮書：高效轉(zhuǎn)換的 GaN 需求（日語）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 20:14:590 白皮書：功率GaN技術(shù)：高效率轉(zhuǎn)換的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮書：功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
功率轉(zhuǎn)換器有一定的功率容量限制，需要根據(jù)連接的電子設(shè)備功率需求進(jìn)行合理選擇。超過功率容量可能導(dǎo)致功率轉(zhuǎn)換器無法正常工作甚至損壞。
2023-07-05 16:42:174248 寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:101535 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 滿足高功率應(yīng)用與高效電池隔離需求的解決方案
2023-11-30 10:11:201137 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:031795 
電源散熱技術(shù)，都有助于實現(xiàn)電源從組件到系統(tǒng)的全方位突破。因此，基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源，將引導(dǎo)新一代宇航電源產(chǎn)品實現(xiàn)性能參數(shù)的巨大飛躍，
2024-01-05 17:59:041670 
近日，無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:241287 氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動。在本文中，我們將重點介紹基于GaN的IPM，目標(biāo)應(yīng)用包括
2024-06-17 11:32:132358 
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521229 
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應(yīng)對當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
STMicroelectronics VIPERGAN65高壓轉(zhuǎn)換器是一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器，設(shè)有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN65設(shè)計用于中等功率準(zhǔn)諧振ZVS（開關(guān)導(dǎo)
2025-10-29 09:11:48475 
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