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MOSFET工作原理
MOSFET（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 首先以我們最常用的N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行分析
總共有三個(gè)電極S（source）源極，D（drain）漏極，G（grid）柵極，如圖所示，其中P區(qū)是一個(gè)雜志濃度低的P型硅材料作為襯 底，其上有兩處高摻雜的N型區(qū)域，分別通過金屬鋁（圖中棕黃色）引出作為漏極和源極，通常將襯底和源極接在一起使用。 相互隔離的兩個(gè)N區(qū)的表面覆蓋有金屬氧化物SiO2絕緣層，柵極與其他兩個(gè)電極被絕緣開來，因此該結(jié)構(gòu)稱之為絕緣柵 型。
MOSFET（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 首先以我們最常用的N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行分析
總共有三個(gè)電極S（source）源極，D（drain）漏極，G（grid）柵極，如圖所示，其中P區(qū)是一個(gè)雜志濃度低的P型硅材料作為襯 底，其上有兩處高摻雜的N型區(qū)域，分別通過金屬鋁（圖中棕黃色）引出作為漏極和源極，通常將襯底和源極接在一起使用。 相互隔離的兩個(gè)N區(qū)的表面覆蓋有金屬氧化物SiO2絕緣層，柵極與其他兩個(gè)電極被絕緣開來，因此該結(jié)構(gòu)稱之為絕緣柵 型。
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