IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT
2010-07-29 11:53:23
2273 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:4218221 
體，IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種
2023-10-16 10:28:543014 
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件，邏輯電路用于開關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型，它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢(shì)和一些限制。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)將BJT和MOSFET的最佳部分
2023-12-22 10:30:589660 
IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:4058107 
。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇
2012-07-25 09:49:08
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
大家好，我是新手，想做一個(gè)PWM卸荷裝置，請(qǐng)問一下，這個(gè)IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請(qǐng)哪位高手指點(diǎn)一下，如何測(cè)量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
等級(jí)，從而提升變流器的功率等級(jí)?？紤]到前者功率密度相對(duì)較低，從性價(jià)比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運(yùn)行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
IGBT柵極的下拉電阻要靠近柵極放置，作用是給IGBT寄生電容Cge放電，那么這個(gè)電阻一般選擇多大？
IGBT的柵極加一個(gè)穩(wěn)壓二極管，是為了防止寄生電容Cgc在IGBT關(guān)斷的時(shí)候（集電極電壓耦合
2024-06-16 22:09:24
改變二極管的個(gè)數(shù)來調(diào)整過流保護(hù)動(dòng)作點(diǎn)的方法，雖然簡(jiǎn)單實(shí)用，但精度不高。這是因?yàn)槊總€(gè)二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅(qū)動(dòng)模塊與IGBT模塊散熱器集電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào)。在實(shí)際工作中，改進(jìn)方法有兩種
2012-06-19 11:26:00
注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電。IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類：1 ．靜態(tài)特性:IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安
2018-10-18 10:53:03
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
請(qǐng)幫忙看下這個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會(huì)是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導(dǎo)通時(shí)的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下
2022-04-01 11:10:45
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2020-07-19 07:33:42
中，與IGBT組合封裝的是快恢復(fù)管或MOSFET體二極管，當(dāng)對(duì)應(yīng)的開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)二極管有電流經(jīng)過，因而二極管的恢復(fù)特性決定了Eon損耗。所以，選擇具有快速體二極管恢復(fù)特性的MOSFET十分重要。不幸
2018-08-27 20:50:45
。因此，對(duì)于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat
2021-06-16 09:21:55
二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低
2018-09-28 14:14:34
IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲線測(cè)試儀電腦操作界面圖儀器規(guī)格改變，恕不通知！五：操作步驟第一步：關(guān)閉電源，將IGBT管接入； 第二步：連上電源線、RS232連接線； 第三步：打開上位機(jī)操作界面，選擇測(cè)試電流
2015-03-11 13:51:32
［1］中有詳細(xì)描述。質(zhì)子輻照的劑量各不相同，使得可以獲得具有各種靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性組合的芯片。氫原子的路徑長(zhǎng)度保持不變。實(shí)驗(yàn)性IGBT設(shè)計(jì)用于在混合（Si / SiC）模塊中與SiC肖特基二極管一起工作
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清
2019-05-02 22:43:32
IGBT管燒壞想要替代一個(gè)，那么就要根據(jù)實(shí)際情況來代換，一般遵循幾個(gè)原則： 1、寧大勿小 由于 IGBT 管工作在高電壓、大電流、溫度高狀態(tài)，一般不超過2000W的電磁爐在相同的條件選擇20A
2023-02-28 13:51:19
時(shí)一定要用萬用表檢測(cè)驗(yàn)證，避免出現(xiàn)不應(yīng)有的損失。一只IGBT管的技術(shù)參數(shù)較多，包括反向擊穿電壓(BVceo)、集電極最大連續(xù)電流(Ic)、輸出功率、工作頻率等參數(shù)。例：G40N150D反向擊穿電壓
2012-03-22 19:09:22
電磁爐已經(jīng)OK了。2. 若燈泡很亮，表明IGBT管完全導(dǎo)通。此時(shí)，若拆除燈泡通電工作，必?zé)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT管！應(yīng)主要查修驅(qū)動(dòng) 諧振電容 高壓整流等電路。3. 若燈泡暗紅，開啟電磁爐電源，燈泡亮度不變。則應(yīng)主要查修
2009-07-21 19:02:06
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
igbt工作原理
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。
2007-12-22 10:36:06
118 IGBT管的選用與檢測(cè)
IGBT管的說明
2008-03-06 19:14:141561 
igbt工作原理及應(yīng)用
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 09:45:1811894 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
IGBT管的好壞檢測(cè)方法
IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測(cè)，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管
2009-07-02 18:39:439498 
IGBT晶體管基礎(chǔ)知識(shí)
在技術(shù)講解之前的。回答下列的重要問題，將有助于為特定的應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT。 非穿通（NPT）和穿通(
2009-11-06 16:57:133265 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:155131 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4511496 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2017-05-10 16:37:307175 
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-02-24 10:25:0818582 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5616239 
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-09-09 14:40:3813172 
、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！ MOS管 MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。 ? IGBT管 IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2022-11-29 18:10:255257 IGBT是電壓控制型器件，它只有開關(guān)特性（通和斷兩種狀態(tài)），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導(dǎo)元件，以MOS管為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 10:17:0045249 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:317687 先說個(gè)冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1515588 電磁爐的工作原理與維修及IGBT管型號(hào)和主要參數(shù)介紹。
2021-06-21 10:48:2263 MOS管中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性、電壓控制電流等特性。IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。
2022-02-09 10:02:5831 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2022-02-09 11:04:537 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙。
2022-02-21 16:56:433290 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:1512101 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2022-07-11 09:09:143678 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-01-30 15:00:353717 IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:36:5912544 
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:2812546 
IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701 BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管。這些問題其實(shí)并非很難，你跟著我看下去，就能窺見其區(qū)別及聯(lián)系。 MOS
2023-02-22 14:44:3228 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2023-02-22 13:59:501 關(guān)注、 星標(biāo)公眾 號(hào) ，不錯(cuò)過精彩內(nèi)容 來源：電子電路 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:254 在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 15:50:052 IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電
2023-02-24 10:56:1214 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:456 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來
2023-02-24 10:36:266 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和FWD（續(xù)流二極管）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、UPS不間斷電源等設(shè)備。IGBT模塊具有節(jié)能
2023-02-26 10:58:5211178 
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2023-03-03 10:47:522196 
igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn) 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用
2023-05-17 15:11:542484 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:517172 
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)復(fù)合而成
BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :雙極性晶體管(晶體三極管)，“雙極性"是指工作時(shí)有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電。
2023-07-27 10:12:082105 
igbt和mos管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:017166 igbt功率管怎么檢測(cè)好壞？ 簡(jiǎn)介： 隨著電力電子技術(shù)越來越先進(jìn)和高效，IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導(dǎo)體器件，支持高電壓和高電流應(yīng)用，同時(shí)提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:353841 igbt單管和雙管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱絕緣柵雙極晶體管，是一種特殊的半導(dǎo)體器件。它集成了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入電阻
2023-08-25 15:11:226358 提供了一種重要的替代品。在高壓、大電流下，IGBT正常的工作需要保護(hù)二極管，因此在IGBT的極端上還需要并聯(lián)一個(gè)二極管。 一、IGBT的工作原理 IGBT是一種雙向可控晶體管，它整合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的低導(dǎo)通電壓特性。它工作時(shí)，當(dāng)控制極加高電壓
2023-08-29 10:25:596721 選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:563855 
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強(qiáng)大的電力開關(guān)元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應(yīng)用中。IGBT的前向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">特性類似于單晶體管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:562998 大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點(diǎn)。 1. IGBT的工作
2023-11-10 14:26:284751 Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）是兩種常見的功率管件。它們?cè)趹?yīng)用領(lǐng)域、結(jié)構(gòu)、工作原理、特點(diǎn)以及性能參數(shù)等方面有著一些區(qū)別。以下是對(duì)這兩種管件逐一進(jìn)行詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的比較解釋。 1. 應(yīng)用領(lǐng)域的區(qū)別： 場(chǎng)效應(yīng)管主要應(yīng)用于低功率放大、開關(guān)電路以及射頻和微波領(lǐng)域。由于它具有高輸出阻抗和低輸入電流，適用于高頻電
2023-11-22 16:51:1412122 英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:352305 
Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:383221 。 首先，讓我們了解一下這兩種器件的簡(jiǎn)單工作原理。MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由金屬柵、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體基底構(gòu)成。通過在金屬柵上施加電壓來控制半導(dǎo)體中的電流。而IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種混合的MOS管和雙極型晶體
2023-12-19 09:25:1615286 領(lǐng)域。盡管它們有一些相似之處，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面存在顯著的差異。 首先，讓我們來看一下IGBT的基本結(jié)構(gòu)。IGBT是一種三極管型器件，結(jié)合了MOSFET的驅(qū)動(dòng)能力和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。它由一個(gè)P型襯底、一個(gè)N型集電極、一個(gè)P型獨(dú)立柵控極和一個(gè)N型漂移區(qū)組成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:333799 模塊等，結(jié)合實(shí)際工作中經(jīng)常和功率半導(dǎo)體廠家、業(yè)界的諸多逆變器硬件工程師交流，對(duì)單管和模塊進(jìn)行簡(jiǎn)單的總結(jié)，希望對(duì)大家的IGBT設(shè)計(jì)選型和逆變器選型有所幫助。 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor），其生產(chǎn)工藝主要包括晶體管
2024-01-09 09:04:352781 絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）是一種絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱
2024-01-17 11:37:384398 
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低導(dǎo)通壓降和高
2024-01-23 13:44:514990 在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將對(duì)IGBT和MOS管進(jìn)行詳細(xì)的分析和比較，以便讀者能夠更深入地理解它們之間的區(qū)別。
2024-05-12 17:11:005914 Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開關(guān)器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)合等方面都存在顯著的差異。以下是對(duì)MOS管和IGBT管的詳細(xì)辨別。
2024-07-26 18:07:198287 和使用壽命。 IGBT功率管發(fā)熱的基本原理 IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件，其工作原理是利用柵極電壓控制集電極電流。在IGBT工作過程中，柵極電壓的變化會(huì)引起集電極電流的變化，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的控制。然而，IGBT在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中，會(huì)產(chǎn)生一定
2024-08-07 15:40:325464 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號(hào)參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335022 在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。
2024-10-15 15:23:452471 常用電磁爐用IGBT管代換
2024-11-11 14:09:007
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