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標(biāo)簽 > 分立器件
分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信,汽車電子、led顯示屏等領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支:集成電路和分立器件。
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MDD分立器件在新國標(biāo)電動自行車充電器的應(yīng)用
部分電動自行車用戶長期面臨充電安全隱患,根源在于充電器產(chǎn)品缺乏強(qiáng)制認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)致大量劣質(zhì)配件通過非正規(guī)渠道流入市場,引發(fā)充電起火、電池爆炸等安全事故。為...
新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝
新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引...
國產(chǎn)SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)及SiC分立器件產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)分析
碳化硅(SiC)屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體,帶隙寬度高達(dá)3.26 eV(為硅的近3倍),決定了其具備高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率和優(yōu)異的高溫...
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展
新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展CoolSiC1200VMOSFET(頂部散熱Q-DPAK單管封裝)專為工...
中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會蒞臨長晶科技參觀考察
近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(CSIA)徐冬梅副秘書長、分立器件分會趙小寧秘書長一行赴公司參觀調(diào)研,楊國江董事長接待協(xié)會領(lǐng)導(dǎo)來訪。
樂山無線電 LRC:分立器件領(lǐng)域的技術(shù)深耕者,與江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司的創(chuàng)新突圍
一、樂山無線電 LRC:從西部崛起的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿 (一)歷史積淀與行業(yè)地位 樂山無線電股份有限公司(英文簡稱 LRC)創(chuàng)立于 1971 年,坐落于四川...
MDD分立器件在汽車電子領(lǐng)域的主要應(yīng)用
近日,MDD聯(lián)合立創(chuàng)商城在汽車電子研討會上聚焦分立器件在汽車電子領(lǐng)域的主要應(yīng)用,深度解讀了汽車電子的發(fā)展趨勢以及MDD產(chǎn)品如MOS、二三極管如何響應(yīng)汽車...
MDD辰達(dá)推出大電流低內(nèi)阻MOS,助力電機(jī)驅(qū)動管理系統(tǒng)新突破
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體分立器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測試與銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品線涵蓋MOSFET、整流器件、保護(hù)器件、小信號SiC等,打造...
半導(dǎo)體分立器件測試的對象與分類、測試參數(shù),測試設(shè)備的分類與測試能力
半導(dǎo)體分立器件測試是對二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測的過程,旨在評估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測試內(nèi)容與...
2025高端掃地機(jī)器人MOSFET選型分析:從分立器件到系統(tǒng)級能效革命
在2025年智能清潔設(shè)備激烈競爭中,旗艦級掃地機(jī)器人的性能邊界正被MOSFET技術(shù)重新定義。本文深度拆解最新一代產(chǎn)品的功率電子架構(gòu),揭示三大核心發(fā)現(xiàn): ...
線上研討會 @6/26 KEC:電力分立器件專家,IGBT應(yīng)用領(lǐng)域深度解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,如何選擇合適的分立半導(dǎo)體器件?如何充分發(fā)揮IGBT的性能?這些問題是否困擾著你?作為一家擁有56年歷史的專業(yè)公司,KEC以其專注于電力...
半導(dǎo)體分立器件分類、靜態(tài)參數(shù)及測量是什么?
根據(jù)半導(dǎo)體分立器件的功能與結(jié)構(gòu)差異,可將其分為以下核心類別,各類型典型器件及應(yīng)用場景如下: ?一、基礎(chǔ)二極管類? ? ?類型? ?代表器件? ?核心功能...
半導(dǎo)體分立器件分類及應(yīng)用領(lǐng)域 一、核心分類 ?基礎(chǔ)元件? ?二極管?:包括普通二極管(如硅/鍺二極管)、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管(T...
揚(yáng)杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技術(shù)驅(qū)動能源變革
揚(yáng)杰科技亮相PCIM? 以硬核技術(shù)驅(qū)動能源變革 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 5月6-8日,揚(yáng)杰科技攜多款高性能功率器件及解決方案亮相德國PCIM...
2025-05-09 標(biāo)簽:分立器件功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 1k 0
安世半導(dǎo)體Nexperia推出車規(guī)級平面肖特基二極管,采用節(jié)省空間的CFP2-HP封裝
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出采用CFP2-HP封裝的全新產(chǎn)品組合,包含16款優(yōu)化低VF平面肖特基二極管。...
分立器件可靠性:從工業(yè)死機(jī)到汽車故障的隱形防線
本文聚焦分立器件可靠性,指出35%電子設(shè)備失效源于選型不當(dāng)。解析可靠性三大核心指標(biāo)(標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、參數(shù)分析、實(shí)測驗(yàn)證)及選型三大黃金法則,強(qiáng)調(diào)避免常溫參數(shù)忽...
2025年慕尼黑上海電子展即將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。2025年4月15-17日飛虹半導(dǎo)體攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——MOS管、IGBT...
GaN充電器高頻化之路:分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題?
本文針對 GaN 器件高頻化挑戰(zhàn),合科泰分析寄生電感振蕩與驅(qū)動信號失真問題,提出通過器件選型、PCB 布局及電路優(yōu)化等方案,提升高頻應(yīng)用性能與可靠性。
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相2025中國電機(jī)智造研討會
近日,由Big-Bit商務(wù)網(wǎng)主辦的<2025中國電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用暨電機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈交流會>在深圳登喜路國際大酒店隆重啟幕。作為半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域...
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