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標簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程，或指晶體管門電路的尺寸，單位為納米（nm）。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米（AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝，intel第9代全面采用14nm），更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高，已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術是一種通過在硅介質層中制作垂直導通孔并填充導電材料來實現(xiàn)芯片間垂直互連的先進封裝技術。
半導體行業(yè)持續(xù)推進性能和集成度的邊界，Chiplet技術作為克服傳統(tǒng)單片設計局限性的解決方案正在興起。在各種Chiplet集成方法中，玻璃中介板代表了一...
隨著顯示技術的不斷發(fā)展，MicroLED作為一種新興的顯示技術，因其高亮度、高對比度、低功耗等優(yōu)點，受到了廣泛關注。為了實現(xiàn)MicroLED技術的產(chǎn)業(yè)化...
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡（...
在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質對薄膜材料或襯底進行刻蝕的工藝，其評價參數(shù)直接影響器件的結構精度和性能。那么干法刻蝕有哪些...
相比傳統(tǒng)體加工技術，表面微機械加工通過“犧牲層腐蝕”工藝，可構建更復雜的三維微結構，顯著擴展設計空間。
CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semiconductor） Image Sensor，中文意思是互補...
隨著半導體器件特征尺寸不斷微縮，對高質量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術作為一種在半導體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長...
在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實現(xiàn)對硅表面的保護和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、...
本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對器件及電路性能的影響上。
化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎，展現(xiàn)出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2...
源漏擴展結構（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應中起到重要作用。SDE（源漏擴展結構）引入了一個淺的...
本文介紹了當半導體技術從FinFET轉向GAA（Gate-All-Around）時工藝面臨的影響。
Plating(電鍍)是一種電化學過程，通過此過程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領域，特別是在Bump連接技術中，電鍍起到至關重要的作用，...
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
熱處理是指將金屬或合金加熱到一定溫度，保溫一段時間，然后通過適當?shù)睦鋮s方式使其發(fā)生物理變化，從而使其性能發(fā)生改變的加工技術。
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求...
本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點及其前后的變化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段...
日晟萬欣產(chǎn)品均采用了高品質材料及精密制造工藝，可確保連接器的穩(wěn)定性及高可靠性，同時也能滿足各種惡劣環(huán)境下使用及現(xiàn)代電子設備對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。那么微型...
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