制造工藝

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制造工藝指制造CPU或GPU的制程，或指晶體管門電路的尺寸，單位為納米（nm）。主流的CPU制程已經(jīng)達(dá)到了7-14納米（AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝，intel第9代全面采用14nm），更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達(dá)到了4nm或更高，已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。

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制造工藝技術(shù)

半導(dǎo)體分層工藝的簡(jiǎn)單介紹

在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（...

2025-07-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝芯片制造 149 0

干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝，其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些...

2025-07-07 標(biāo)簽：mems 制造工藝刻蝕 378 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)表面微機(jī)械加工技術(shù)

相比傳統(tǒng)體加工技術(shù)，表面微機(jī)械加工通過(guò)“犧牲層腐蝕”工藝，可構(gòu)建更復(fù)雜的三維微結(jié)構(gòu)，顯著擴(kuò)展設(shè)計(jì)空間。

2025-06-26 標(biāo)簽：制造工藝微機(jī)械加工技術(shù) 170 0

CMOS圖像傳感器的制造步驟

CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semiconductor） Image Sensor，中文意思是互補(bǔ)...

2025-06-18 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 圖像傳感器 388 0

一文詳解外延生長(zhǎng)技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...

2025-06-16 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體晶體管 964 0

主流氧化工藝方法詳解

在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過(guò)在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的保護(hù)和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、...

2025-06-12 標(biāo)簽：集成電路制造工藝氧化工藝 701 0

CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)

本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)，重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對(duì)器件及電路性能的影響上。

2025-06-04 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 晶體管 678 0

化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2...

2025-05-28 標(biāo)簽：制造工藝化合物硅半導(dǎo)體 667 0

源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)概述

源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE（源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)）引入了一個(gè)淺的...

2025-05-27 標(biāo)簽：工藝制造工藝 MOS 266 0

FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)工藝面臨的影響。

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 1013 0

半導(dǎo)體電鍍工藝介紹

Plating(電鍍)是一種電化學(xué)過(guò)程，通過(guò)此過(guò)程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領(lǐng)域，特別是在Bump連接技術(shù)中，電鍍起到至關(guān)重要的作用，...

2025-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電鍍制造工藝 466 0

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

2025-04-08 標(biāo)簽：NAND 制造工藝閃存芯片 1036 0

微型導(dǎo)軌的制造工藝中，熱處理的目的是什么？

熱處理是指將金屬或合金加熱到一定溫度，保溫一段時(shí)間，然后通過(guò)適當(dāng)?shù)睦鋮s方式使其發(fā)生物理變化，從而使其性能發(fā)生改變的加工技術(shù)。

2025-04-06 標(biāo)簽：制造工藝導(dǎo)軌 292 0

柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶體管制造工藝 834 0

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求...

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體制造工藝 1466 0

CMOS集成電路的基本制造工藝

本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點(diǎn)及其前后的變化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段...

2025-03-20 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 半導(dǎo)體 1996 0

微矩形高密連接器技術(shù)難題怎么解決？

日晟萬(wàn)欣產(chǎn)品均采用了高品質(zhì)材料及精密制造工藝，可確保連接器的穩(wěn)定性及高可靠性，同時(shí)也能滿足各種惡劣環(huán)境下使用及現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。那么微型...

2025-03-17 標(biāo)簽：連接器制造工藝 244 0

集成電路制造中的電鍍工藝介紹

本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應(yīng)用和工藝流程。

2025-03-13 標(biāo)簽：集成電路電鍍制造工藝 1010 0

集成電路制造工藝中的High-K材料介紹

本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點(diǎn)、重要性、優(yōu)勢(shì)，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片集成電路制造工藝 1157 0

深度解讀芯片封裝設(shè)計(jì)

封裝設(shè)計(jì)是集成電路（IC）生產(chǎn)過(guò)程中至關(guān)重要的一環(huán)，它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。

2025-03-06 標(biāo)簽：集成電路制造工藝芯片封裝 579 0

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自動(dòng)駕駛汽車（Autonomous vehicles；Self-piloting automobile ）又稱無(wú)人駕駛汽車、電腦駕駛汽車、或輪式移動(dòng)機(jī)器人，是一種通過(guò)電腦系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)無(wú)人駕駛的智能汽車。在20世紀(jì)也已經(jīng)有數(shù)十年的歷史，于21世紀(jì)初呈現(xiàn)出接近實(shí)用化的趨勢(shì)，比如，谷歌自動(dòng)駕駛汽車于2012年5月獲得了美國(guó)首個(gè)自動(dòng)駕駛車輛許可證，預(yù)計(jì)于2015年至2017年進(jìn)入市場(chǎng)銷售。
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智能手表，是將手表內(nèi)置智能化系統(tǒng)、搭載智能手機(jī)系統(tǒng)而連接于網(wǎng)絡(luò)而實(shí)現(xiàn)多功能，能同步手機(jī)中的電話、短信、郵件、照片、音樂(lè)等。
大疆

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深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年，如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間，大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無(wú)人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系，在無(wú)人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
LiFi

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LiFi是可見(jiàn)光無(wú)線通信又稱“光保真技術(shù)”，是一種利用可見(jiàn)光波譜（如燈泡發(fā)出的光）進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)娜聼o(wú)線傳輸技術(shù)。本章詳細(xì)介紹了LiFi網(wǎng)絡(luò)什么時(shí)候上市，LiFi技術(shù)原理，lifi技術(shù)應(yīng)用等內(nèi)容。
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　　3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，又稱增材制造，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過(guò)逐層打印的方式來(lái)構(gòu)造物體的技術(shù)。 3D打印技術(shù)出現(xiàn)在20世紀(jì)90年代中期，實(shí)際上是利用光固化和紙層疊等技術(shù)的最新快速成型裝置。　　1986年，美國(guó)科學(xué)家Charles Hull開(kāi)發(fā)了第一臺(tái)商業(yè)3D印刷機(jī)。
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可穿戴設(shè)備即直接穿在身上，或是整合到用戶的衣服或配件的一種便攜式設(shè)備。可穿戴設(shè)備不僅僅是一種硬件設(shè)備，更是通過(guò)軟件支持以及數(shù)據(jù)交互、云端交互來(lái)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的功能，可穿戴設(shè)備將會(huì)對(duì)我們的生活、感知帶來(lái)很大的轉(zhuǎn)變。
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一加手機(jī)（OnePlus）是OPPO前副總經(jīng)理劉作虎創(chuàng)立的深圳市萬(wàn)普拉斯科技有限公司旗下的智能手機(jī)品牌，堅(jiān)持“不將就”的產(chǎn)品理念，堅(jiān)持“讓好產(chǎn)品說(shuō)話”，采用線上銷售模式。
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美國(guó)國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局簡(jiǎn)稱DARPA，是美國(guó)國(guó)防部屬下的一個(gè)行政機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)研發(fā)用于軍事用途的高新科技。成立于1958年，當(dāng)時(shí)的名稱是“高等研究計(jì)劃局”（Advanced Research Projects Agency，簡(jiǎn)稱ARPA），1972年3月改名為DARPA，但在1993年2月改回原名ARPA，至1996年3月再次改名為DARPA。
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紅米

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紅米手機(jī)是小米款入門型手機(jī)，也屬于小米手機(jī)系列其中一個(gè)產(chǎn)品，紅米note3是2015年11月24日在發(fā)布的一款全金屬指紋識(shí)別手機(jī)。全金屬機(jī)身、指紋識(shí)別和4000mAh的大容量電池。
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航空母艦，簡(jiǎn)稱“航母”，是一種以艦載機(jī)為主要武器的大型水面艦艇，可以供艦載機(jī)起飛和降落。它通常擁有巨大的飛行甲板和艦島，艦島大多坐落于右舷。
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熱成像是通過(guò)非接觸探測(cè)紅外能量（熱量），并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對(duì)溫度值進(jìn)行計(jì)算的一種檢測(cè)設(shè)備。
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可見(jiàn)光通信技術(shù)，是利用熒光燈或發(fā)光二極管等發(fā)出的肉眼看不到的高速明暗閃爍信號(hào)來(lái)傳輸信息的，將高速因特網(wǎng)的電線裝置連接在照明裝置上，插入電源插頭即可使用。利用這種技術(shù)做成的系統(tǒng)能夠覆蓋室內(nèi)燈光達(dá)到的范圍，電腦不需要電線連接，因而具有廣泛的開(kāi)發(fā)前景。
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所謂量子芯片就是將量子線路集成在基片上，進(jìn)而承載量子信息處理的功能。借鑒于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)的發(fā)展歷程，量子計(jì)算機(jī)的研究在克服瓶頸技術(shù)之后，要想實(shí)現(xiàn)商品化和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，需要走集成化的道路。超導(dǎo)系統(tǒng)、半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng)、微納光子學(xué)系統(tǒng)、甚至是原子和離子系統(tǒng)，都想走芯片化的道路。
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iPad Pro

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iPad Pro，是蘋(píng)果公司推出的一款平板電腦，北京時(shí)間2021年4月21日凌晨，iPad Pro在2021蘋(píng)果春季新品發(fā)布會(huì)上正式發(fā)布。新款iPad Pro支持5G，官方稱理想狀態(tài)下下載速度達(dá)3.5Gbps；在美國(guó)支持毫米波，下載速度可達(dá)4Gbps。
器官芯片

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