完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機械工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(瑞士)林德?!豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。
內(nèi)容簡介
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容,書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時,作為長期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家,作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機械工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(瑞士)林德?!豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。
內(nèi)容簡介
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容,書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時,作為長期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家,作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專業(yè)、自動化專業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書,也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書。
浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展,傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文...
2025-06-25 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體超結(jié)器件 78 0
半導(dǎo)體中電子和空穴運動方式有很多種,比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運動等等。它們都對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響,...
2025-06-23 標(biāo)簽:電流功率半導(dǎo)體載流子 365 0
羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能
在SiC(碳化硅)等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中,以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是,這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 標(biāo)簽:SPICE功率半導(dǎo)體碳化硅 133 0
對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 393 0
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段...
2025-06-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 409 0
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運行。
2025-05-15 標(biāo)簽:IGBT防靜電功率半導(dǎo)體 328 0
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈、供應(yīng)鏈安全備受關(guān)注的背景下,功率半導(dǎo)體測試設(shè)備領(lǐng)域長期依賴進(jìn)口的局面正在被打破。航裕電源憑借自主研發(fā)的HY-SMU 300...
2025-04-29 標(biāo)簽:二極管直流電源功率半導(dǎo)體 376 0
驅(qū)動電路設(shè)計(十)——柵極電荷和應(yīng)用
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-04-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動電路設(shè)計 493 0
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-04-07 標(biāo)簽:驅(qū)動電路功率半導(dǎo)體 503 0
CMT8603X單通道隔離柵極驅(qū)動器的技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場景及其認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)立即下載
類別:電子資料 2025-02-21 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體
類別:電子資料 2024-08-29 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體
第三代SiC功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)介紹立即下載
類別:電源技術(shù) 2024-04-23 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析報告立即下載
類別:報告 2023-12-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體報告產(chǎn)業(yè)鏈
三相并網(wǎng)逆變器模型預(yù)測容錯控制-三相四開關(guān)TPFS立即下載
類別:電子資料 2023-03-01 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體三相并網(wǎng)
碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能帶來哪些優(yōu)勢立即下載
類別:電子資料 2023-02-21 標(biāo)簽:肖特基功率半導(dǎo)體碳化硅
類別:電子資料 2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體
中國大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)前50名立即下載
類別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1...
2025-06-27 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅博世 183 0
招生通知|第二期 IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動和應(yīng)用培訓(xùn)班
對于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來說,功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...
2025-06-20 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 173 0
揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案
在當(dāng)今工業(yè)自動化和電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是各類設(shè)備穩(wěn)定運行的核心。揚杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求...
2025-06-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 193 0
高功率DC-DC應(yīng)用設(shè)計新方案:DFN3.3x3.3源極朝下封裝技術(shù)
專為高功率密度應(yīng)用而設(shè)計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝,采用創(chuàng)新的柵極中置布局技術(shù),可大幅簡化 PCB 走線設(shè)計。 日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球...
2025-06-18 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1069 0
在2025年5月以“車啟芯時代,引領(lǐng)芯未來”為主題的2025全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體峰會在杭州盛大啟幕。作為全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級盛會,本次峰會吸引...
2025-06-18 標(biāo)簽:測試測量功率半導(dǎo)體電流探頭 268 0
SGS亮相第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇
近日,第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開,作為國際公認(rèn)的測試、檢驗和認(rèn)證機構(gòu),SGS受邀出席并發(fā)表《車規(guī)功率器件可靠性認(rèn)證與SiC適用性探討》主題演講,...
2025-06-17 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 448 0
普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備,獲功率半導(dǎo)體國際巨頭海外工廠訂單
據(jù)悉,在高端Clip封裝設(shè)備領(lǐng)域長期由少數(shù)國際巨頭把持的局面下,近期,中國半導(dǎo)體裝備制造商普萊信實現(xiàn)了重大突破,普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備(涵...
2025-06-16 標(biāo)簽:封裝功率半導(dǎo)體 219 0
三菱電機集團(tuán)近日宣布與GE Vernova公司(美國馬薩諸塞州劍橋)簽署諒解備忘錄,強化雙方在高壓直流(HVDC)輸電系統(tǒng)用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作。該協(xié)議...
2025-06-13 標(biāo)簽:IGBT三菱電機功率半導(dǎo)體 313 0
感恩同行,砥礪奮進(jìn) | 捷捷微電榮膺大華股份“2024年優(yōu)秀供應(yīng)商”!
近日,捷捷微電憑借卓越的技術(shù)實力與高效協(xié)同的服務(wù)能力,榮獲浙江大華技術(shù)股份有限公司“2024年優(yōu)秀供應(yīng)商”稱號!這份殊榮是對捷捷微電深耕行業(yè)、追求卓越的...
2025-06-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體捷捷微電 373 0
瑞能半導(dǎo)體攜全場景產(chǎn)品矩陣亮相SNEC 2025,以技術(shù)創(chuàng)新踐行“能源轉(zhuǎn)型愿景”
2025年6月11日,中國上海 ?—?6月11日至13日,全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體解決方案提供商瑞能半導(dǎo)體攜覆蓋光伏全產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新產(chǎn)品組合,亮相SNEC第十...
2025-06-12 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 368 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |