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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來(lái)《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與...
2022-12-09 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1336 0
半導(dǎo)體芯科技編譯 來(lái)源:Aju Korea Daily 韓國(guó)功率半導(dǎo)體材料供應(yīng)商STI已與南部港口城市釜山合作,計(jì)劃于2026年建設(shè)一座功率半導(dǎo)體材料工...
2023-08-30 標(biāo)簽:Sti功率半導(dǎo)體 1334 0
英飛凌科技股份公司近日宣布與全球領(lǐng)先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設(shè)備及解決方案領(lǐng)軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達(dá)成合作。英飛凌將為盛弘電氣提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V...
2024-01-31 標(biāo)簽:英飛凌變流器功率半導(dǎo)體 1334 0
瑞薩電子收購(gòu)Transphorm,加速GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)布局
全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布,已成功完成對(duì)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)的...
2024-06-22 標(biāo)簽:GaN瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1334 0
日立出售功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)!美蓓亞三美全資收購(gòu)
資料顯示,美蓓亞三美成立于1951年7月,現(xiàn)任會(huì)長(zhǎng)兼CEO為貝沼由久,業(yè)務(wù)內(nèi)容包括軸承等機(jī)械加工品業(yè)務(wù)、電子元器件、半導(dǎo)體、小型電機(jī)電子設(shè)備業(yè)務(wù)、汽車(chē)零...
2023-11-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiC功率半導(dǎo)體 1329 0
東芝在日本新建功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施,預(yù)計(jì)2025年春季投產(chǎn)
近日,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”)宣布,位于日本西部兵庫(kù)縣姬路市的半導(dǎo)體工廠已啟動(dòng)新的功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著東...
2024-03-12 標(biāo)簽:太陽(yáng)能東芝功率半導(dǎo)體 1329 0
碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性:...
2023-12-21 標(biāo)簽:MOSFET高頻開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體 1329 0
汽車(chē)缺“芯”,這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車(chē)”的關(guān)鍵
目前汽車(chē)業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類(lèi)、控制類(lèi)、通信類(lèi)、計(jì)算類(lèi)、功率類(lèi)的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資...
2023-11-17 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1323 0
富樂(lè)德擬發(fā)行股份及可轉(zhuǎn)債收購(gòu)富樂(lè)華100%股權(quán)
近日,富樂(lè)德披露了一項(xiàng)重大重組預(yù)案,計(jì)劃通過(guò)發(fā)行股份及可轉(zhuǎn)債的方式,向上海申和等59個(gè)交易對(duì)方購(gòu)買(mǎi)江蘇富樂(lè)華半導(dǎo)體科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“富樂(lè)華”)10...
2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 1323 0
希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用
3月5日,據(jù)“樂(lè)山發(fā)布”消息,四川樂(lè)山高新區(qū)希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用,屆時(shí)企業(yè)將新增4個(gè)品類(lèi)的生產(chǎn)線,全部投用后可實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售...
日本旭化成氮化鋁基板技術(shù)突破:邁向更大面積與實(shí)用化
在全球半導(dǎo)體科技日新月異的大背景下,日本旭化成株式會(huì)社在功率半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域取得了令人矚目的技術(shù)突破。該公司近日宣布,其氮化鋁基板技術(shù)已實(shí)現(xiàn)了可使用面積...
2024-06-15 標(biāo)簽:基板功率半導(dǎo)體旭化成 1319 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 1314 0
安建半導(dǎo)體在ISPSD2024再展技術(shù)鋒芒
在近日結(jié)束的ISPSD2024征稿評(píng)比中,安建半導(dǎo)體憑借其在碳化硅領(lǐng)域的卓越技術(shù)實(shí)力,成功脫穎而出,榮獲口頭報(bào)告機(jī)會(huì)。此次評(píng)比中,口頭報(bào)告的錄取率僅為1...
2024-06-12 標(biāo)簽:集成電路功率半導(dǎo)體安建半導(dǎo)體 1309 0
瑞能半導(dǎo)體助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打造新的增長(zhǎng)極
日前,2023慕尼黑華南電子展在深圳盛大舉行。作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商,瑞能半導(dǎo)體憑借優(yōu)異的創(chuàng)新能力以及突出的產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力,在同期舉行的“2023硬...
2023-11-10 標(biāo)簽:晶閘管軟開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體 1308 0
近日,香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)體和集成電路中心張宇昊教授和汪涵教授、美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心(CPES)東棟教授、酈強(qiáng)教授、Richard Zhan...
2025-02-07 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1302 0
ROHM開(kāi)發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”
羅姆(總部位于日本京都市)面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2I...
2021-12-21 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體Rohm 1301 0
IGBT產(chǎn)品預(yù)計(jì)2026年全球市場(chǎng)規(guī)模約84億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率7.5%
全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局方面,國(guó)外生產(chǎn)商憑借其在半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),占據(jù)全球功率器件驅(qū)動(dòng)器主要市場(chǎng)。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2021年,全球前五名驅(qū)動(dòng)IC生產(chǎn)商...
2023-06-27 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT功率半導(dǎo)體 1299 0
納微半導(dǎo)體公布2023年第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體近日公布了其截至2023年12月31日的第四季度和全年未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī),數(shù)據(jù)顯示該公司在過(guò)去一年中實(shí)現(xiàn)了顯著的增長(zhǎng)。
2024-03-03 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1295 0
意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā),讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導(dǎo)體推出了一個(gè)新系列—— 氮化鎵(GaN) 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1289 0
功率半導(dǎo)體器件陶瓷基板用氮化鋁粉體專(zhuān)利解析及DOH新工藝材料介紹
摘要:功率半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于多個(gè)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè),而散熱問(wèn)題是影響其性能、可靠性和壽命的關(guān)鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),被廣泛認(rèn)為是用于制備...
2024-03-06 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫(kù)功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1288 0
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