橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體推出了其最新的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）射頻收發(fā)器芯片，讓智能物聯(lián)網(wǎng)硬件具有極高的能效，可連續(xù)工作長(zhǎng)達(dá)10年而無需更換電池。
2016-11-23 11:22:33
1555 意法半導(dǎo)體新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對(duì)軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場(chǎng)截止（TFS） IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以選用這些IGBT，來達(dá)到更高的能效等級(jí)。
2019-03-27 16:05:333437 意法半導(dǎo)體布局第三代半導(dǎo)體多年，是推動(dòng)氮化鎵、碳化硅等發(fā)展商用的主要廠商之一。在氮化鎵方面，2018年意法半導(dǎo)體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。意法
2020-02-24 08:57:484103 為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
2021-08-30 10:22:452334 
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
中國，2017年11月15日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新的超低功耗微控制器，讓每天與人
2017-11-21 15:21:22
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)人員的需求專門設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
就有意法半導(dǎo)體。”若有興趣更詳細(xì)地了解教程或購買SensorTile開發(fā)套件，請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)站 (http://www.st.com/sensortile-edu)。意法半導(dǎo)體博客還有更多信息。(https
2018-02-09 14:08:48
傳感器的電源電壓和電流，進(jìn)而簡(jiǎn)化連網(wǎng)產(chǎn)品、智能傳感器、移動(dòng)機(jī)器人或無人機(jī)控制器等注重功耗的項(xiàng)目開發(fā)。詳情請(qǐng)瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體STM32F4基本型產(chǎn)品線
2018-05-22 11:20:41
中國，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
ASM330LHH，可以生成自主導(dǎo)航適用的高精度輸出;? 3mm x 2.5mm x 0.83mm的纖薄、小巧的外觀尺寸，不會(huì)對(duì)任何板載模塊的尺寸構(gòu)成實(shí)質(zhì)性影響;?采用觸點(diǎn)陣列(LGA) 封裝詳情請(qǐng)?jiān)L問意法半導(dǎo)體官網(wǎng)：www.st.com/asm330lhh-pr查看原文
2018-07-17 16:46:16
半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-25 11:01:49
系統(tǒng)等各種設(shè)備和系統(tǒng)。STM32系列微控制器的制造商意法半導(dǎo)體是世界領(lǐng)先的32位Arm?Cortex?-M-core 微控制器廠商。為加快和促進(jìn)開發(fā)社區(qū)的應(yīng)用開發(fā)，意法半導(dǎo)體建立了一個(gè)強(qiáng)大的軟硬件開發(fā)
2018-07-13 15:52:39
和/或其他地區(qū)的注冊(cè)商標(biāo)和/或非注冊(cè)商標(biāo)。STM32是美國專利商標(biāo)局注冊(cè)商標(biāo)。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)
2018-03-22 14:30:41
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
及財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)表現(xiàn)最好的年度之一。 圍繞智能駕駛和物聯(lián)網(wǎng)兩大應(yīng)用領(lǐng)域，通過推出針對(duì)廣大終端市場(chǎng)的獨(dú)特的產(chǎn)品組合，我們實(shí)現(xiàn)了讓意法半導(dǎo)體進(jìn)入可持續(xù)且盈利的成長(zhǎng)軌道這一目標(biāo)。 同時(shí)，我們也完善了可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
新聞創(chuàng)新的自適應(yīng)脈寬調(diào)制器為固定通/斷時(shí)間可控的穩(wěn)壓器提供恒定開關(guān)頻率意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-04 10:37:44
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
的優(yōu)勢(shì)，近年來在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
STM32系列打造意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略產(chǎn)品
2012-07-31 21:36:53
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
` 本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-11 16:20 編輯
? 意法半導(dǎo)體的集成化NFC控制器已通過GSMA、EMVCo和NFC Forum三大標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，能最大限度縮短
2018-06-11 15:22:25
更高?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體部門副總裁Alessandro Cremonesi表示：“為了讓定位產(chǎn)品的開發(fā)工作得到支持，我們與TomTom發(fā)揮雙方各自的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，圍繞高人氣的STM32開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，開發(fā)出了一個(gè)
2018-09-07 11:12:27
智能電表芯片單片集成開發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個(gè)智能電網(wǎng)市場(chǎng)的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
產(chǎn)品和解決方案，共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇，滿足世界對(duì)可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導(dǎo)體的技術(shù)讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)技術(shù)應(yīng)用更廣泛。意法半導(dǎo)體承諾將于2027年實(shí)現(xiàn)碳中和。
2022-12-12 10:02:34
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關(guān)速度、產(chǎn)品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢(shì)有機(jī)統(tǒng)一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術(shù)除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實(shí)上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
，40W時(shí)總功率損耗降低40%，讓家電設(shè)備可以達(dá)到更高的能效級(jí)別。 在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖3: 仿真測(cè)試結(jié)果：逆變器功率損耗比較，Tamb
2018-11-20 10:52:44
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
決方案。數(shù)據(jù)連接與云服務(wù)：M2M網(wǎng)絡(luò)讓越來越多的機(jī)器在封閉的系統(tǒng)內(nèi)互相連接，而物聯(lián)網(wǎng)則正通過智能云服務(wù)改進(jìn)現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)。意法半導(dǎo)體擁有多種無線連接技術(shù)，能夠幫助客戶輕松快捷地連接到云端。本次意法半導(dǎo)體的眾多
2018-06-28 10:59:23
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
▌2024ST工業(yè)峰會(huì)簡(jiǎn)介
第六屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程！在為期一整天的活動(dòng)中，您將探索意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新，推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展。參加意法半導(dǎo)體及合作伙伴高管的精彩主題演講
2024-10-16 17:18:50
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
布局的智慧出行、電力和能源、物聯(lián)網(wǎng)和5G。其分別推出了電動(dòng)汽車快充（PD）、高能效功率半導(dǎo)體微控制器、傳感器、模擬和電源管理芯片等，藉此使得智慧出行幫助汽車制造商讓每個(gè)人的駕駛更安全、更環(huán)保、更互聯(lián)；讓
2022-07-01 10:28:37
意法半導(dǎo)體ST鞏固無線通信半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位
中國，2008年5月27日 — 意法半導(dǎo)體（
2008-07-15 15:52:371217 意法半導(dǎo)體推出全新車用電源管理芯片
全球領(lǐng)先的汽車電子和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體發(fā)布一款新的車身電源管理芯片。當(dāng)今汽車的電子產(chǎn)品數(shù)
2009-11-09 08:47:331025 富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率，并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)低碳能源社會(huì)。富士通半導(dǎo)
2012-11-21 08:51:361656 氮化鎵(GaN)技術(shù)超越硅 實(shí)現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率——來自安森美半導(dǎo)體Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28 氮化鎵（GaN）是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)如功率因數(shù)校正（PFC）、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或
2016-04-28 15:03:041165 electronica 2018最火展區(qū)之一，意法半導(dǎo)體的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:325393 臺(tái)積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。
2020-02-21 15:41:183076 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢(shì)十分明顯，例如，在大功率工作時(shí)能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 17:15:131626 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場(chǎng)重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193244 基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 意法半導(dǎo)體將于 11 月 3 日在中國深圳福田香格里拉大酒店舉辦意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì) 2021 。
2021-11-03 10:44:532109 電源，例如，充電器、PC機(jī)外部電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電視機(jī)等家電。消費(fèi)電子產(chǎn)品的全球產(chǎn)量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車及其充電設(shè)施。
2022-01-17 14:22:543358 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出了一個(gè)新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導(dǎo)體。
2022-03-14 10:05:382426 2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì)，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達(dá)到
2022-04-07 13:53:308138 
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172063 本文（上）回顧了氮化鎵的發(fā)展歷程，并介紹了意法半導(dǎo)體MasterGaN產(chǎn)品系列和解決方案；本文（下）將介紹意法半導(dǎo)體VIPerGaN產(chǎn)品系列和解決方案。
2022-09-20 09:07:262904 了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562408 
意法半導(dǎo)體怎么樣 意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113002 氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204099 、以及空客的ZEROe（零排放飛機(jī)計(jì)劃）和CityAirbus NextGen（下一代城市空中客車） 全球航空航天業(yè)先驅(qū) 空中客車公司 (以下簡(jiǎn)稱空客)和全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 最近簽署了一項(xiàng)功率電子技術(shù)研發(fā)合作協(xié)議，以促進(jìn)功率電子器件更高效、更
2023-06-29 08:10:021023 
在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個(gè)單一封裝內(nèi)整合了意法半導(dǎo)體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)器。
2023-06-30 16:33:451393 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《意法半導(dǎo)體電源管理指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 11:37:590 ? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” ， 關(guān)注我們 ???????? 文末有福利 如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時(shí)又不
2023-08-03 08:05:011056 
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453085 2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111621 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184060 材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:242956 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324485 為了推動(dòng)氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升，意法半導(dǎo)體近日推出了EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)，是一款諧振轉(zhuǎn)換器
2024-12-25 14:19:481143 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151134 ??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023810 
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16942 隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980
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