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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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一直專注于汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的三星電子宣布進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。相應(yīng)地,硅半導(dǎo)體時(shí)代是否會(huì)結(jié)束、新材料市場(chǎng)是否會(huì)打開,業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。
2023-07-10 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 830 0
CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)
英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競(jìng)爭(zhēng)激烈的碳化硅市場(chǎng),屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在...
2024-07-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率半導(dǎo)體 829 0
中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展
根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)報(bào)告顯示,中國(guó)在SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)領(lǐng)先地位,特別是在功率元件業(yè)務(wù)中達(dá)到了42.4%的高占比。這一領(lǐng)域涵蓋了...
2024-05-08 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體電驅(qū)系統(tǒng) 828 0
根據(jù)NE研究院的數(shù)據(jù),截止2022年Q3,中國(guó)的主要模塊企業(yè)的數(shù)量為339.5萬(wàn)個(gè)功率模塊,這方面本土化率在很快的提升。在中國(guó)市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)下,電動(dòng)汽車...
2022-11-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體 825 0
SK啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年底完成650V GaN HEMT開發(fā)工作
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵...
2024-06-25 標(biāo)簽:晶圓GaN功率半導(dǎo)體 823 0
羅姆與東芝整合功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)一年左右達(dá)成協(xié)議
早前,東芝已于去年年底退出東京證交所,并由JIP牽頭的一眾企業(yè)財(cái)團(tuán)完成私有化交易。在此過程中,羅姆共斥資3000億日元,為雙方在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的整合奠定基礎(chǔ)。
2024-05-13 標(biāo)簽:東芝SiC功率半導(dǎo)體 822 0
三菱電機(jī)斥資100億日元新建專門封測(cè)工廠,提升功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)效率
? ? 三菱電機(jī)本月正式宣布計(jì)劃投資約 100 億日元,在其位于日本福岡縣福岡市的功率器件制作所新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠,目標(biāo) 2026 年...
2024-11-29 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體封測(cè) 820 0
浙江晶能微電子有限公司近日宣布成功完成5億元的B輪融資,本輪融資由秀洲翎航基金獨(dú)家投資。至此,晶能已完成四輪融資,其中高榕創(chuàng)投曾在2022年參與Pre-...
2024-10-28 標(biāo)簽:芯片微電子功率半導(dǎo)體 818 0
華潤(rùn)微榮獲2023年度ESG可持續(xù)發(fā)展“創(chuàng)新先鋒企業(yè)”
受新能源汽車熱潮影響,汽車芯片產(chǎn)業(yè)面臨機(jī)遇與挑戰(zhàn)。華潤(rùn)微作為我國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)先廠商,全力以赴涉足綠色汽車領(lǐng)域,力求在環(huán)保、產(chǎn)品革新、行業(yè)協(xié)作以及市場(chǎng)開發(fā)...
2023-12-27 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體華潤(rùn)微 817 0
英飛凌聚焦汽車電子,功率半導(dǎo)體關(guān)業(yè)者都可受惠
熟悉功率元件封測(cè)業(yè)者表示,目前能夠承接中高階MOSFET封測(cè)訂單的業(yè)者,主要為日月光與捷敏,日月光規(guī)模龐大,負(fù)責(zé)MOSFET相關(guān)工廠營(yíng)收規(guī)模約新臺(tái)幣20...
2017-11-28 標(biāo)簽:英飛凌汽車電子功率半導(dǎo)體 816 0
龍圖光罩科創(chuàng)板IPO獲批,募投項(xiàng)目技術(shù)和經(jīng)濟(jì)可行性是關(guān)鍵?
龍圖光罩擁有130nm及以上節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體掩模版制備頂尖技術(shù),覆蓋 CAM、光刻、檢測(cè)全流程。在功率半導(dǎo)體掩模版領(lǐng)域,其工藝節(jié)點(diǎn)已能充分滿足全球主流制程的需求。
2023-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻功率半導(dǎo)體 814 0
科技小巨人企業(yè),是上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)及市財(cái)政局等部門聯(lián)合培育的重點(diǎn)項(xiàng)目,旨在實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,加速推進(jìn)上海建設(shè)成為具有全球影...
2024-04-03 標(biāo)簽:集成電路電源管理功率半導(dǎo)體 813 0
衛(wèi)光科技李樸:600V超結(jié)MOSFET器件研究
報(bào)告中介紹,隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大,當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí),低導(dǎo)通壓降能夠縮小整機(jī)的冷卻系統(tǒng),從而降低整機(jī)尺寸和成本,所以用戶對(duì)器件...
2023-08-09 標(biāo)簽:電阻MOSFET功率半導(dǎo)體 813 0
貝思科爾將出席2024全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展
2024全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展(簡(jiǎn)稱“GAPS ”)將于5月30日-31日在中國(guó)杭州舉辦,貝思科爾在現(xiàn)場(chǎng)設(shè)有展位,誠(chéng)摯歡迎您的到來。
2024-05-19 標(biāo)簽:汽車電子功率半導(dǎo)體 809 0
英飛凌將向小米汽車供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體
英飛凌與小米汽車近日簽署了一項(xiàng)重要的合作協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,英飛凌將在未來五年內(nèi),即2027年之前,為小米汽車提供先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。這一舉措將大大增強(qiáng)...
2024-05-14 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體小米汽車 804 0
利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步,但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化,因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法...
2024-04-23 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 799 0
Littelfuse技術(shù)在太陽(yáng)能市場(chǎng)的應(yīng)用發(fā)展
Littelfuse的電路保護(hù)元件和功率器件的產(chǎn)品類型眾多,無論是在小于10kW的單相串式太陽(yáng)能逆變器,還是大于10kW的三相串式太陽(yáng)能逆變器,都有對(duì)應(yīng)...
2022-12-02 標(biāo)簽:太陽(yáng)能功率半導(dǎo)體Littelfuse 798 0
作為中國(guó)功率半導(dǎo)體業(yè)界龍頭之一的華潤(rùn)微電子宣布,重慶12英寸晶圓制造產(chǎn)線,以及先進(jìn)功率封裝測(cè)試基地等兩大建設(shè)計(jì)劃,均已建成投產(chǎn),標(biāo)志著華潤(rùn)微車用功率裝置...
2023-02-10 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體晶圓制造 792 0
巨頭跑步進(jìn)場(chǎng) 功率半導(dǎo)體進(jìn)入SiC時(shí)代?
與此同時(shí),王志偉表示,與碳化硅一樣,氧化鎵同樣被業(yè)內(nèi)所看好,但是,氧化鎵還有諸多技術(shù)瓶頸待突破。比如,由于高熔點(diǎn)、高溫分解以及易開裂等特性,大尺寸氧化鎵...
2023-05-29 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 786 0
浮思特 | 碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī)的總擁有成本——總體情況
在各種應(yīng)用領(lǐng)域取得商業(yè)成功之后,碳化硅準(zhǔn)備進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)激烈的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)。碳化硅功率模塊的實(shí)際好處不僅僅局限于效率提升。對(duì)比兩種電機(jī)驅(qū)動(dòng)類型可以看到在各...
2024-12-05 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅工業(yè)電機(jī) 785 0
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