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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
德州儀器的默認(rèn)過(guò)流保護(hù)方法被歸類(lèi)為“電流鎖存”保護(hù);這意味著,若在器件中檢測(cè)到任何過(guò)流故障,F(xiàn)ET將安全關(guān)斷,并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...
適宜學(xué)習(xí)人群: 1、對(duì)電路設(shè)計(jì)感興趣的同學(xué)(含電子信息類(lèi)的大學(xué)生,工程研發(fā)技術(shù)人員,電子愛(ài)好者等); 2、只會(huì)設(shè)計(jì)電路但對(duì)原理卻感覺(jué)模糊的同...
技術(shù)突破:中國(guó)電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶
由圖可以看出,β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度,但也存在著不足,主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低,特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過(guò),相對(duì)來(lái)說(shuō),這些缺點(diǎn)對(duì)功...
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟
進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
開(kāi)關(guān)電源14種拓?fù)溆?jì)算公式大匯總
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí),功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí),其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過(guò)此值),電流耐量則得按器件...
2018-12-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變換器功率器件 1.2萬(wàn) 2
限流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的原理及應(yīng)用領(lǐng)域
當(dāng)功率管電流高于限流時(shí),電流檢測(cè)電路輸出高電平給過(guò)流保護(hù)電路(OverCurrentLimit),過(guò)流保護(hù)電路通過(guò)反饋負(fù)載電壓給電荷泵,調(diào)節(jié)電荷泵輸出,...
2018-12-08 標(biāo)簽:電源開(kāi)關(guān)功率器件 1.6萬(wàn) 0
創(chuàng)建可以緩解密勒效應(yīng)寄生導(dǎo)通的柵極負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)器并不一定很復(fù)雜。許多現(xiàn)有的單極性工作的柵極驅(qū)動(dòng)器,借助很少的外部電路就可以輕松驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O負(fù)電壓。
2018-11-14 標(biāo)簽:功率器件柵極驅(qū)動(dòng)器 5317 0
激光雷達(dá)系統(tǒng)正在進(jìn)入各種其他應(yīng)用領(lǐng)域
隨著激光雷達(dá)的發(fā)展,相關(guān)市場(chǎng)也會(huì)出現(xiàn)增長(zhǎng)。據(jù)Yole Développement預(yù)測(cè),氮化鎵功率器件的市場(chǎng)將在未來(lái)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)79%的年復(fù)合增長(zhǎng)率,并在2...
2018-09-21 標(biāo)簽:功率器件激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 6412 0
基于GaN的開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素
輸入電壓兼容TTL電平,并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V,而不考慮VDD軌電壓。同時(shí),在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中,低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...
采用TL494芯片實(shí)現(xiàn)電動(dòng)跑步機(jī)的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
中國(guó)經(jīng)濟(jì)與世界的不斷接軌,使中國(guó)臺(tái)灣這個(gè)原先在電動(dòng)跑步機(jī)行業(yè)一直處于壟斷的地位,慢慢地被國(guó)內(nèi)大陸的電跑廠家所削弱。據(jù)2006年、2007年成都體育產(chǎn)品博...
為什么反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是反激電源變壓器?(2)
精通反激電源變壓器設(shè)計(jì)2-精通反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵---反激電源變壓器2A
器件環(huán)境溫度與負(fù)荷特性曲線很容易被忽視的問(wèn)題
另外,在電路設(shè)計(jì)中,器件的功率、電壓等參數(shù)都會(huì)降額,具體降額方法本人博客中已有其他文章專(zhuān)門(mén)介紹。這里補(bǔ)充說(shuō)的是降額之后的負(fù)荷特性曲線也要隨之發(fā)生變化(如...
Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN,以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...
幾種能夠?qū)崿F(xiàn)快速短路保護(hù)的方法,并且通過(guò)實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證了可行性
目前有4種常用的短路檢測(cè)及保護(hù)方法,其原理示意圖如圖4所示。其中最直接的方式就是使用電流探頭或者分流電阻檢測(cè)漏極電流。業(yè)界最常用的方法是檢測(cè)飽和壓降。M...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
什么是IEGT呢?這得從上個(gè)世紀(jì)末說(shuō)起
屈興國(guó)告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,東芝IEGT單管目前可以實(shí)現(xiàn)4.5KV和3KA的功率,再加上簡(jiǎn)易的串聯(lián)實(shí)施,這些產(chǎn)品完美匹配中國(guó)柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...
關(guān)于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設(shè)計(jì)方案的介紹
將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素,比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級(jí)和散熱方式等。本次會(huì)議重點(diǎn)介紹實(shí)現(xiàn)最佳腔體的設(shè)計(jì)和仿真方法。
關(guān)于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹
固態(tài)RF功率器件可以實(shí)現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計(jì)師對(duì)尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會(huì)議將介紹恩智浦推出的一款可擴(kuò)展功率模塊,它可快速的集...
SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過(guò)人之處呢?
圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對(duì)...
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