鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目落戶日照

據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目...

2023-06-27 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體制造電力驅(qū)動(dòng) 1247 0

中國新能源汽車驅(qū)動(dòng)SiC功率器件市場迅猛發(fā)展,國產(chǎn)廠商迎頭趕上

近年來，中國新能源汽車市場呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2023年中國新能源汽車銷量高達(dá)949.5萬輛，同比增長37.9%，市場占有率攀升至31....

2024-10-30 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體功率器件 1243 0

泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室正式啟動(dòng)

泰克科技在北京成立【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室】（TEK Advance Semiconductor Open Lab），并邀請嘉賓一起見證啟動(dòng)開幕，這是...

2022-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體泰克功率器件 1241 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢

GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點(diǎn)和優(yōu)勢如下：1. 低導(dǎo)通電阻...

2023-04-20 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1238 0

安世半導(dǎo)體再獲功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)！

由世紀(jì)電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)評選中，Nexper...

2023-03-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1238 0

碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)昕感科技完成新一輪戰(zhàn)略投資

近日，SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)領(lǐng)域的佼佼者昕感科技宣布，已完成新一輪戰(zhàn)略融資，本輪投資方為同鑫投資。此次融資的成功，標(biāo)志著昕感科技在SiC功率器件芯片及...

2024-05-20 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體 1236 0

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%［1］。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。

2020-05-28 標(biāo)簽：東芝電機(jī)功率器件 1236 0

金剛石多晶材料：高功率器件散熱解決方案

隨著電子器件功率密度的不斷提升，尤其是在5G通信、電動(dòng)汽車、高功率激光器、雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域，對高效散熱解決方案的需求日益迫切。金剛石多晶材料憑借其超...

2024-11-27 標(biāo)簽：散熱功率器件金剛石 1235 0

長飛先進(jìn)武漢基地宿舍樓提前封頂，預(yù)計(jì)明年7月投產(chǎn)

該項(xiàng)目專注于第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)每年可產(chǎn)出36萬片6英寸碳化硅晶圓及...

2024-05-10 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 1230 0

第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑

憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專業(yè)知識(shí)、強(qiáng)大科研技術(shù)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)能力，宏光半導(dǎo)體近年積極實(shí)現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團(tuán)之技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用其豐富經(jīng)驗(yàn)，在短短三個(gè)月調(diào)...

2022-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1228 0

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

　　科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET...

2012-05-10 標(biāo)簽：LED芯片功率器件科銳 1226 0

凌光紅外完成數(shù)千萬元A輪融資，助推半導(dǎo)體失效分析

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，蘇州凌光紅外科技有限公司（以下簡稱“凌光紅外”）順利完成數(shù)千萬元的A輪融資。

2024-01-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓功率器件 1225 0

三安集成：碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺(tái)，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展

三安集成副總經(jīng)理?xiàng)罱?、金龍新能源總?jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。

2020-09-29 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 1219 0