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東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機功率損耗

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8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:431012

英飛凌600V功率開關器件家族又添新丁

在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現(xiàn)最高達96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13950

羅姆開發(fā)1000A/600V的SiC功率模塊

羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊,額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流,是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461712

IR推出優(yōu)化的600V車用IGBT系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170

IR推出600V車用柵極驅(qū)動芯片AUIRS2332J

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應用。
2011-10-21 09:45:211990

Transphorm發(fā)布耐壓為600V的GaN類功率元件

美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風險企業(yè),因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:442262

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533853

IR為混合動力汽車和電動車推出600V車用IGBT

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應用而優(yōu)化,包括空調(diào)壓縮機應用等。
2014-12-11 11:48:093378

TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗,德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片,從而使TI成為首家,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。
2016-05-05 14:41:391153

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:112189

如何設計600V FS結構的IGBT

商業(yè)化正處于起步階段,F(xiàn)S技術更是遠遠落后于發(fā)達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法,并通過
2019-12-19 17:59:0025

Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298

英飛凌新推出功率器件驅(qū)動電機控制器為核心的吊扇方案

以IMD112T iMOTION? Driver, iMOTION?智能驅(qū)動器——帶功率器件驅(qū)動的電機控制器為核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ,逆變器采用3A 600V逆導型IGBT。
2022-06-15 10:06:162179

基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動汽車逆變器

外殼的設計很重要。第三種可能是提高操作溫度。高溫路線圖要求器件在 175°C 下運行,將來甚至在 200°C 下運行。 對于第一個方面,降低損耗,我們需要轉(zhuǎn)向基于碳化硅和氮化鎵的功率器件。對于 EV 應用,我們將討論 600 至 1,200 V 范圍
2022-08-03 10:16:551271

Vishay推出四款新型TO-244封裝第5代FRED Pt 600V Ultrafast整流器

Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026

東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079

Vishay推出封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET

Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業(yè)和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(下稱“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開關(8通道)和TPD2017FN低邊開關(8通道),用于控制電機、螺線管、燈具和工業(yè)設備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37705

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:211572

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業(yè)內(nèi)出優(yōu)異的降噪和低損耗特性

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

中國上海,2023年2月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業(yè)
2023-02-09 15:30:00497

東芝推出有助于減小貼裝面積的智能功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業(yè)設備的可編程邏輯控制器)中使
2023-02-12 09:37:421691

三相600V柵極全橋驅(qū)動IC-PT5616/PT5616A介紹

PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:333035

強茂推出優(yōu)越電氣參數(shù)的600V功率FRED

優(yōu)越的電氣參數(shù),呈現(xiàn)出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路,而
2023-03-06 11:56:27709

新聞|同時實現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET-R60xxRNx系列

有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數(shù)量,并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:021093

超級結結構的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596

Toshiba推出適用于直流無刷電動機的600V小型智能功率元件

?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:341611

東芝推出兩款用于直流無刷電機驅(qū)動的600V小型智能功率器件

表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機驅(qū)動電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39753

東芝推出適用于半導體測試設備中高頻信號開關的小型光繼電器-降低插入損耗,改善高頻信號傳輸特性-

抑制功率衰減 [1] ,適用于使用大量繼電器且需要實現(xiàn)高速信號傳輸?shù)陌雽w測試設備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經(jīng)過優(yōu)化的封裝設計,這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信
2023-10-17 23:10:021222

東芝推出用于直流無刷電機驅(qū)動的600V小型智能功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅(qū)動應用。
2023-10-27 11:05:541530

Toshiba發(fā)布用于無刷直流電機驅(qū)動器的600V小型智能功率器件

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品,適用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等
2023-10-27 11:13:001295

美格納推出第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管

美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859

Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領行業(yè)潮流,最新推出600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創(chuàng)新和卓越性價比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

使用自動扭矩降低步進電機系統(tǒng)的功率損耗

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用自動扭矩降低步進電機系統(tǒng)的功率損耗.pdf》資料免費下載
2024-09-09 09:45:060

適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費下載
2024-09-21 10:18:060

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:231257

東芝第3代SiC MOSFET助于降低應用中電源損耗分享個人觀點

功率器件是管理和降低各種電子設備電能功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設備小型
2025-05-16 15:41:40372

揚杰科技TO-220AB-1 600V 低功耗小功率可控硅產(chǎn)品 適應小家電頻繁啟停

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢: 1.低導通壓降(VTM :減少功率損耗,提高能效,降低溫升
2025-06-04 12:05:4446250

東芝推出兩項創(chuàng)新技術提升碳化硅功率器件性能

日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項創(chuàng)新技術,該技術可在增強溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同時,顯著降低其因?qū)娮鑋1]而產(chǎn)生的損耗
2025-06-20 14:18:50957

三菱電機推出新緊湊型DIPIPM功率半導體模塊

包括PSS30SF1F6(額定電流30A / 額定電壓600V)和PSS50SF1F6(額定電流50A / 額定電壓600V)。
2025-09-24 10:39:48916

新潔能NCE07TD60BF:一款高效可靠的600V IGBT,賦能高性能功率系統(tǒng)

終止(TrenchFSII)技術的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身,為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49713

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