ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
請問一下各位高手,如何去降低電機的功率!在不改動負載、電壓的條件下!可以加個元器件什么的!
2014-12-17 12:03:29
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
近年來,功率半導體廠商致力于提高器件的開關速度,這帶來了開關損耗降低和系統(tǒng)能效提升的益處。這些功率器件需要優(yōu)化的直流電路寄生電感(L?)。為了滿足具有大電流的高功率應用的需求,推出了一種全新的芯片
2018-12-07 10:16:11
1、摘要通帶插入損耗是無源射頻器件(如濾波器,發(fā)射合路器,電纜)的重要指標。而用常見的單臺功率計輸入輸出測試法卻不能獲得準確的結果。本文解釋了產(chǎn)生誤差的原因,并描述了一種在工程中極為實用的雙功率計
2019-06-10 07:53:22
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設計,配有高端和低端驅(qū)動器,可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
電機控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg), 配合先進的封裝技術
2024-09-23 17:07:50
問下雙向可控硅的最大功率怎么看? 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A,那最大功率是600*4=2400W咯?
2019-07-05 16:28:57
在工業(yè)電機、新能源逆變器等高功率應用的設計中,你是否也在高壓驅(qū)動的門檻前反復權衡?
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作,驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT,什么樣的門極驅(qū)動器才能在高頻開關
2025-12-03 08:25:35
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn), Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器(PFC
2009-12-31 10:03:11
1237 適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新
功率轉(zhuǎn)換
器件
英飛凌科技股份公司近日
推出適用于節(jié)能家用電器
電機驅(qū)動裝置的
功率轉(zhuǎn)換
器件系列。全新的
600V RC IGBT驅(qū)動系列(RC指逆向?qū)?/div>
2010-01-23 08:37:07
1431 英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列(RC指
2010-01-25 08:44:19
1090 600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:18
1434 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:34
2107 IR推出汽車驅(qū)動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:41
1787 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57
2028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43
1012 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現(xiàn)最高達96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13
950 羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊,額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流,是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:46
1712 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46
1170 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應用。
2011-10-21 09:45:21
1990 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風險企業(yè),因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:44
2262 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:53
3853 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應用而優(yōu)化,包括空調(diào)壓縮機應用等。
2014-12-11 11:48:09
3378 
基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗,德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片,從而使TI成為首家,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。
2016-05-05 14:41:39
1153 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:11
2189 商業(yè)化正處于起步階段,F(xiàn)S技術更是遠遠落后于發(fā)達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法,并通過
2019-12-19 17:59:00
25 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:35
2298 以IMD112T iMOTION? Driver, iMOTION?智能驅(qū)動器——帶功率器件驅(qū)動的電機控制器為核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ,逆變器采用3A 600V逆導型IGBT。
2022-06-15 10:06:16
2179 外殼的設計很重要。第三種可能是提高操作溫度。高溫路線圖要求器件在 175°C 下運行,將來甚至在 200°C 下運行。 對于第一個方面,降低損耗,我們需要轉(zhuǎn)向基于碳化硅和氮化鎵的功率器件。對于 EV 應用,我們將討論 600 至 1,200 V 范圍
2022-08-03 10:16:55
1271 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性,能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11
2026 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53
1079 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業(yè)和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12
1359 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(下稱“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開關(8通道)和TPD2017FN低邊開關(8通道),用于控制電機、螺線管、燈具和工業(yè)設備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37
705 關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21
1572 
600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21
2074 
中國上海,2023年2月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業(yè)
2023-02-09 15:30:00
497 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用(如工業(yè)設備的可編程邏輯控制器)中使
2023-02-12 09:37:42
1691 PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:33
3035 優(yōu)越的電氣參數(shù),呈現(xiàn)出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs,以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線;此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路,而
2023-03-06 11:56:27
709 有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數(shù)量,并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:02
1093 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30
802 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10
1596 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34
1611 表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機驅(qū)動電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39
753 
抑制功率衰減 [1] ,適用于使用大量繼電器且需要實現(xiàn)高速信號傳輸?shù)陌雽w測試設備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經(jīng)過優(yōu)化的封裝設計,這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信
2023-10-17 23:10:02
1222 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅(qū)動應用。
2023-10-27 11:05:54
1530 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品,適用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等
2023-10-27 11:13:00
1295 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01
1859 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:38
1341 英飛凌再次引領行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創(chuàng)新和卓越性價比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45
1266 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用自動扭矩降低步進電機系統(tǒng)的功率損耗.pdf》資料免費下載
2024-09-09 09:45:06
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費下載
2024-09-21 10:18:06
0 新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:23
1257 
功率器件是管理和降低各種電子設備電能功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設備小型化
2025-05-16 15:41:40
372 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢: 1.低導通壓降(VTM :減少功率損耗,提高能效,降低溫升
2025-06-04 12:05:44
46250 
日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項創(chuàng)新技術,該技術可在增強溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同時,顯著降低其因?qū)娮鑋1]而產(chǎn)生的損耗
2025-06-20 14:18:50
957 
包括PSS30SF1F6(額定電流30A / 額定電壓600V)和PSS50SF1F6(額定電流50A / 額定電壓600V)。
2025-09-24 10:39:48
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終止(TrenchFSII)技術的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身,為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49
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