華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC單晶技術(shù)

碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)能等特點(diǎn)，應(yīng)用優(yōu)勢明顯。目前全球40%能量作為電能被...

2023-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 987 0

全球功率半導(dǎo)體市場再度走低，2012比上年下降11.5%

　日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5％。功率半導(dǎo)...

2013-05-21 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體 984 0

華燦光電20.84億定增募資獲批，京東方即將入主

京東方是半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域全球龍頭及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域全球創(chuàng)新型企業(yè)，華燦光電則是全球領(lǐng)先的LED芯片及先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于顯示屏背光源，是京東...

2023-07-11 標(biāo)簽：功率器件華燦光電MicroLED 983 0

微克科技授予芯導(dǎo)科技“年度戰(zhàn)略合作伙伴獎”

近日，智能穿戴科技行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)微克科技，決定向芯導(dǎo)科技頒發(fā)“年度戰(zhàn)略合作伙伴獎”，以表彰其在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量、服務(wù)支持等方面的杰出貢獻(xiàn)。這一榮譽(yù)不僅...

2024-01-25 標(biāo)簽：IC設(shè)計功率器件芯導(dǎo)科技 980 0

芯聯(lián)集成與理想汽車簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

在功率器件、MEMS、連接三大產(chǎn)品方向上具備卓越核心芯片技術(shù)的芯聯(lián)集成與中國新能源汽車市場領(lǐng)導(dǎo)者理想汽車正式宣布簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。這一協(xié)議的簽署標(biāo)志...

2024-03-07 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件理想汽車 977 0

1.23億，吉利旗下晶能微電子收購益中封裝

收購?fù)瓿珊?，晶能微電子產(chǎn)品版圖實現(xiàn)對殼封模塊、塑封模塊和單管產(chǎn)品的全覆蓋。此外，晶能會持續(xù)增加投資，將現(xiàn)有產(chǎn)線逐步升級為工業(yè)級產(chǎn)品線，并新建車規(guī)級產(chǎn)品線...

2023-08-30 標(biāo)簽：功率器件SiC晶能微電子 975 0

又一SiC功率器件公司獲超億元融資！

2022年3月，昕感科技完成超億元A輪融資，由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...

2023-02-09 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 975 0

陜西先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺全面啟用

陜西光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢...

2023-05-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件光子器件 974 0

SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)！

碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論Si...

2022-11-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 970 0

派恩杰榮獲“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”

12月12日晚，第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎”在深圳揭曉，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴，經(jīng)過數(shù)月時間的緊密籌劃，專家組委會和眾多行業(yè)...

2024-12-16 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 967 0

碳化硅晶圓對半導(dǎo)體的作用

　如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。

2023-07-25 標(biāo)簽：晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 966 0

士蘭微擬募資65億元提升12英寸芯片、SiC功率器件等產(chǎn)能

大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，士蘭微3月1日披露了其A股股票募集說明書，士蘭微本次向特定對象發(fā)行A股股票募集資金總額不超過65億元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集...

2023-03-14 標(biāo)簽：芯片功率器件SiC 966 0

瑞能半導(dǎo)體再次榮獲海爾卡奧斯創(chuàng)智物聯(lián)戰(zhàn)略供應(yīng)商獎

日前，全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體，在海爾卡奧斯創(chuàng)智物聯(lián)2023年度優(yōu)秀供應(yīng)商評比中榮獲戰(zhàn)略供應(yīng)商獎。

2024-02-27 標(biāo)簽：ESD功率器件智能控制器 961 0

長電科技第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案獲得顯著增長

? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長電科技厚積薄發(fā)...

2023-09-19 標(biāo)簽：功率器件模組半導(dǎo)體器件 959 0

安賽思半導(dǎo)體和三福半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司和新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱：三福半導(dǎo)體）成功簽署戰(zhàn)略合作備忘錄，并舉行了安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室的揭牌儀式。

2024-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT功率器件 956 0

積塔半導(dǎo)體完成135億元融資

積塔半導(dǎo)體技術(shù)的集成電路芯片制造企業(yè)作為模擬電路、功率器件生產(chǎn)技術(shù)的研究開發(fā)及制造聚焦于bcd， igbt/frd， sgt/mosfet， tvs， ...

2023-09-04 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體功率器件 955 0

深圳至信微電子獲千萬元A輪融資，加速碳化硅功率器件研發(fā)與市場布局?

至信微電子創(chuàng)立于2021年，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品包括碳化硅MOSFET以及相關(guān)模組等。據(jù)了解，該公司核心團(tuán)隊匯聚了來自全球著名半導(dǎo)...

2023-12-27 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 955 0

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...

2022-09-01 標(biāo)簽：MOSFET東芝功率器件 953 0