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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí),需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽:SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 3.1k 1
光刻是通過(guò)一系列操作,除去外延片表面特定部分的工藝,在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。
2023-10-08 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體器件光刻技術(shù) 2.5k 0
當(dāng)技術(shù)優(yōu)化的整體方法包括芯片設(shè)計(jì)、封裝和產(chǎn)品級(jí)相互依賴性時(shí),產(chǎn)品、設(shè)計(jì)、封裝、工藝和器件相互依賴性的整體方法,以提高研發(fā)效率和價(jià)值創(chuàng)造
2023-10-07 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件 1.7k 0
不同的電路圖可以使用不同的符號(hào)和標(biāo)記方式來(lái)表示LED的正負(fù)極性。因此,在閱讀特定電路圖時(shí),最好查閱相關(guān)的說(shuō)明文檔或標(biāo)注,以確保正確地理解LED的正反極性...
半導(dǎo)體器件為什么熱阻參數(shù)經(jīng)常被誤用?
一些半導(dǎo)體器件集成了專用的熱二極管,根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測(cè)量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒(méi)有這種設(shè)計(jì),結(jié)溫的估計(jì)取決于外部參考點(diǎn)溫度和封裝的熱阻參...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象...
2023-09-20 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 4.3k 0
太陽(yáng)能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 586 0
在日常的電源設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制,以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì) 9.6k 0
超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。
2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 7.9k 0
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)...
可控硅是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆...
2023-09-11 標(biāo)簽:可控硅電壓半導(dǎo)體器件 2.6k 0
為了滿足應(yīng)用的散熱要求,設(shè)計(jì)人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類型的熱特性。在本博客中, Nexperia(安世半導(dǎo)體)討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道...
晶閘管(thyristor)也是一種高功率半導(dǎo)體器件。它具有電流控制功能,能夠進(jìn)行整流、開(kāi)關(guān)和逆變等功能。晶閘管通常只能在正半周或負(fù)半周中進(jìn)行控制,因此...
2023-08-26 標(biāo)簽:可控硅晶閘管半導(dǎo)體器件 2.4k 0
可控硅的主要參數(shù)包括最大正向電壓、最大反向電壓、觸發(fā)電壓、保持電流、最大導(dǎo)通電流等。其中,最大正向電壓和最大反向電壓分別表示可控硅可以承受的最大正向和反...
2023-08-26 標(biāo)簽:可控硅晶閘管半導(dǎo)體器件 2.2k 0
雙向晶閘管與單向晶閘管的最重要的區(qū)別在于其具有雙向電流特性。這意味著在交流電路中,雙向晶閘管能夠控制電流的方向,從而實(shí)現(xiàn)交流電路的控制。雙向晶閘管的性能...
2023-08-26 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件交流電流 2.1k 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間, 利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件, 可用來(lái)產(chǎn)生, 控制, 接收, 變換, 放大信號(hào)和進(jìn)行能...
2022-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件氦質(zhì)譜檢漏儀真空檢漏 1.5k 0
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2.9k 0
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