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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)介

  納米技術(shù)有很多種,基本上可以分成兩類,一類是由下而上的方式或稱為自組裝的方式,另一類是由上而下所謂的微縮方式。前者以各種材料、化工等技術(shù)為主,后者則以半導(dǎo)體技術(shù)為主。以前我們都稱 IC 技術(shù)是「微電子」技術(shù),那是因?yàn)榫w管的大小是在微米(10-6米)等級(jí)。但是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展得非常快,每隔兩年就會(huì)進(jìn)步一個(gè)世代,尺寸會(huì)縮小成原來的一半,這就是有名的摩爾定律(Moore’s Law)。

  大約在 15 年前,半導(dǎo)體開始進(jìn)入次微米,即小于微米的時(shí)代,爾后更有深次微米,比微米小很多的時(shí)代。到了 2001 年,晶體管尺寸甚至已經(jīng)小于 0.1 微米,也就是小于 100 納米。因此是納米電子時(shí)代,未來的 IC 大部分會(huì)由納米技術(shù)做成。但是為了達(dá)到納米的要求,半導(dǎo)體制程的改變須從基本步驟做起。每進(jìn)步一個(gè)世代,制程步驟的要求都會(huì)變得更嚴(yán)格、更復(fù)雜。

半導(dǎo)體技術(shù)百科

  半導(dǎo)體技術(shù)是指半導(dǎo)體加工的各種技術(shù),包括晶圓的生長(zhǎng)技術(shù)、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術(shù)和工藝整合等技術(shù)。

  納米技術(shù)

  納米技術(shù)有很多種,基本上可以分成兩類,一類是由下而上的方式或稱為自組裝的方式,另一類是由上而下所謂的微縮方式。前者以各種材料、化工等技術(shù)為主,后者則以半導(dǎo)體技術(shù)為主。以前我們都稱 IC 技術(shù)是「微電子」技術(shù),那是因?yàn)榫w管的大小是在微米(10-6米)等級(jí)。但是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展得非???,每隔兩年就會(huì)進(jìn)步一個(gè)世代,尺寸會(huì)縮小成原來的一半,這就是有名的摩爾定律(Moore’s Law)。

  大約在 15 年前,半導(dǎo)體開始進(jìn)入次微米,即小于微米的時(shí)代,爾后更有深次微米,比微米小很多的時(shí)代。到了 2001 年,晶體管尺寸甚至已經(jīng)小于 0.1 微米,也就是小于 100 納米。因此是納米電子時(shí)代,未來的 IC 大部分會(huì)由納米技術(shù)做成。但是為了達(dá)到納米的要求,半導(dǎo)體制程的改變須從基本步驟做起。每進(jìn)步一個(gè)世代,制程步驟的要求都會(huì)變得更嚴(yán)格、更復(fù)雜。

  貢獻(xiàn)

  隨著光刻工藝的發(fā)展,如今的芯片變得越來越小,硅晶片上也出現(xiàn)了極為精細(xì)的結(jié)構(gòu)。原子力顯微鏡(AFM)可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的高分辨率表面測(cè)量,為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來了全新的檢測(cè)方法。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器憑借出眾的性能及可靠性為這些技術(shù)進(jìn)步做出了貢獻(xiàn)。

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半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)

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半導(dǎo)體技術(shù)技術(shù)

利用硅半導(dǎo)體技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器

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半導(dǎo)體技術(shù)的狀態(tài)與實(shí)現(xiàn)最佳性能的電路設(shè)計(jì)考慮因素

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半導(dǎo)體技術(shù)資訊

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