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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用
服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點存儲，處理著網(wǎng)絡(luò)上80％以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息，需要24*7不間斷運行，承載著整個企業(yè)甚至全球各地的訪問任務(wù)，這主要歸功于其高性能、高...
處理納米級顆粒污染仍然是半導(dǎo)體器件制造過程中的主要挑戰(zhàn)之一。對于越來越多的關(guān)鍵處理步驟而言尤其如此，在這些步驟中，需要去除顆粒物質(zhì)的殘留物而不會對敏感器...
以下是常見的晶圓清洗故障排除方法，涵蓋從設(shè)備檢查到工藝優(yōu)化的全流程解決方案：一、清洗效果不佳（殘留污染物或顆粒超標(biāo)）1.確認污染物類型與來源視覺初判：使...
氬離子切拋技術(shù)在簡化樣品制備流程中的應(yīng)用
在材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，樣品的制備對于后續(xù)的分析和測試至關(guān)重要。傳統(tǒng)的制樣方法，如機械拋光和研磨，雖然在一定程度上可以滿足要求，但往往存在耗時長、操作復(fù)雜...
微電子封裝是芯片成為功能產(chǎn)品的最后一步。它不僅為芯片提供電氣連接、散熱通道，還承擔(dān)物理支撐與保護作用。封裝質(zhì)量直接影響器件性能，其中，互連技術(shù)尤為關(guān)鍵。...
在當(dāng)今數(shù)字化的時代，電子技術(shù)改變著我們的生活方式。而集成電路，作為電子技術(shù)的核心驅(qū)動力，更是發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。 集成電路，簡稱 IC，是將大量的晶體...
CET半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力監(jiān)控及管理系統(tǒng)解決方案
CET中電技術(shù)積極響應(yīng)國家政策、深刻理解半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)客戶的需求，推出了集設(shè)備監(jiān)測、能耗監(jiān)測、用能監(jiān)管、能效分析、設(shè)備運維、碳資產(chǎn)管理等功能于一體的電力監(jiān)控及...
2025-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體管理系統(tǒng)電力監(jiān)控 677 0
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因...
聚焦離子束（FIB）技術(shù)：半導(dǎo)體量產(chǎn)中的高精度利器
技術(shù)原理與背景聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種先進的納米加工和分析工具。其基本原理是在電場和磁場作用下，將離子束聚焦到亞微米甚至納米量級，通過偏轉(zhuǎn)和加速系...
臺階高度的測量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實現(xiàn)測量誤差<1%
在半導(dǎo)體芯片制造過程中，臺階結(jié)構(gòu)的精確測量至關(guān)重要，通常采用白光干涉儀或步進儀等非接觸式測量設(shè)備進行監(jiān)控。然而，SiO?/Si臺階高度標(biāo)準(zhǔn)在測量中存在的...
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的...
高精度半導(dǎo)體冷盤chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體...
在電子設(shè)備不斷追求高性能、低功耗的今天，功率MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，其性能直接影響著電路的效率與穩(wěn)定性。新潔能NCE4953低耗高效的功率解決...
在這種情況下，線圈采用Y形接法，使用半導(dǎo)體元件為線圈供給電流，根據(jù)旋轉(zhuǎn)的磁體位置來控制電流的流入和流出。在該示例中，使用霍爾元件來檢測磁體的位置?；?..
長期以來，在光伏組件的研發(fā)與測試階段，評估各部件的耐候性能始終是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。相較于傳統(tǒng)常規(guī)測試，研發(fā)測試更需迅速、精確且穩(wěn)定地評估組件的耐候性能。
吉時利2601B源表在半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，對測試設(shè)備的要求也越來越高。吉時利2601B源表作為一款高性能的數(shù)字源表，以其卓越的精度、多功能性和靈活性，成為半導(dǎo)體測試領(lǐng)域...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
新能源汽車動力系統(tǒng)效率與功率密度是核心技術(shù)指標(biāo)，第三代寬禁帶半導(dǎo)體（如SiC）已經(jīng)在車用逆變器中廣泛應(yīng)用，但高開關(guān)速度對功率回路寄生雜感要求嚴苛。近年來...
使用寬帶隙推動提高效率的下一代電源設(shè)計擴大了性能差距
功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)是改進的關(guān)鍵，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的新型寬帶隙（WBG） 類型有望取得重大進展。讓我們詳細研...
電力電子設(shè)計人員不斷嘗試通過提高轉(zhuǎn)換效率來減小整體設(shè)計尺寸。他們這樣做的一種方法是使用寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，WBG 器件可以在更...
2023-02-16 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 625 0
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