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臺(tái)階高度的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)丨在臺(tái)階儀校準(zhǔn)下半導(dǎo)體金屬鍍層實(shí)現(xiàn)測(cè)量誤差<1%

Flexfilm ? 2025-07-22 09:53 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體芯片制造過程中,臺(tái)階結(jié)構(gòu)的精確測(cè)量至關(guān)重要,通常采用白光干涉儀或步進(jìn)儀等非接觸式測(cè)量設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控。然而,SiO?/Si臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)在測(cè)量中存在的問題顯著影響了測(cè)量精度。傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的上表面(SiO?)和下表面(Si)的折射率(n)和消光系數(shù)(k)差異導(dǎo)致了反射光的干涉相消現(xiàn)象,進(jìn)而影響白光干涉儀的測(cè)量結(jié)果。為解決這一問題,本研究結(jié)合半導(dǎo)體濺射工藝,提出在臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)表面濺射一層金屬鉻(Cr)。通過光學(xué)理論分析,探討材料層對(duì)測(cè)量的影響,并采用Flexfilm探針式臺(tái)階儀白光干涉儀進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,以驗(yàn)證優(yōu)化工藝的有效性。

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測(cè)量偏差的理論分析

flexfilm

  • 白光干涉儀的測(cè)量原理
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白光干涉儀的測(cè)量原理

白光干涉儀基于光的干涉效應(yīng)測(cè)量臺(tái)階高度,如圖所示。光源發(fā)出的白光經(jīng)分束器分成兩束,一束從參考鏡反射,另一束從被測(cè)表面反射。兩束光重新結(jié)合后形成干涉條紋,并通過CCD記錄,最終計(jì)算臺(tái)階高度。干涉條紋的可見度(M)由兩束光的強(qiáng)度比決定:a2ba1474-669e-11f0-a486-92fbcf53809c.png式中,I?, I? 為兩束光強(qiáng)度,Δ為光程差,λ為波長(zhǎng)。

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白光干涉儀掃描的臺(tái)階結(jié)構(gòu)

2

測(cè)量誤差來源分析

flexfilm

傳統(tǒng)SiO?/Si臺(tái)階結(jié)構(gòu)由于上下表面材料不同,導(dǎo)致反射率和相位差變化,影響干涉條紋的精確提取。根據(jù)菲涅耳反射理論,當(dāng)光從一種介質(zhì)進(jìn)入另一種介質(zhì)時(shí),反射率(R)可表示為:

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其中,n為折射率,k為消光系數(shù)。由于SiO?(n≈1.46)與Si(n≈3.88)的光學(xué)參數(shù)差異顯著,使得反射光強(qiáng)度變化,導(dǎo)致干涉儀測(cè)量偏差。

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臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)件測(cè)試結(jié)果對(duì)比

3

臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)制備工藝優(yōu)化

flexfilm

  • 標(biāo)準(zhǔn)制備流程

傳統(tǒng)的SiO?/Si臺(tái)階制備工藝包括:1.熱氧化(SiO?層生長(zhǎng))2.旋涂光刻膠3.曝光與顯影(1:1掩膜接觸式光刻)4. 干法/濕法蝕刻(優(yōu)化臺(tái)階結(jié)構(gòu))5.去膠(H?SO?/H?O?混合清洗)

  • 磁控濺射金屬層改進(jìn)
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[標(biāo)準(zhǔn)件] 制備工藝的改進(jìn)

為解決光學(xué)參數(shù)差異問題,本研究在去膠后增加一步Cr濺射工藝。Cr具有高折射率(n≈3.18)、硬度和耐腐蝕性,可有效覆蓋SiO?/Si表面,使上下表面光學(xué)參數(shù)均一化。采用磁控濺射技術(shù),確保金屬層厚度均勻。

  • 改進(jìn)后臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

制備不同標(biāo)稱高度(20–1000 nm)的臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn),采用兩種方法測(cè)量:臺(tái)階儀(基準(zhǔn)測(cè)量):接觸式測(cè)量,激光干涉儀校準(zhǔn),ABay誤差補(bǔ)償。白光干涉儀(非接觸式測(cè)量):比較兩種方法的數(shù)據(jù),分析誤差大小。

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實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,濺射Cr層后的臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量誤差<1%,驗(yàn)證了工藝優(yōu)化的有效性。本研究通過濺射金屬鉻(Cr)層于SiO?/Si臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)表面,成功解決了白光干涉儀的測(cè)量偏差問題,顯著提升精度至1%以內(nèi)。實(shí)驗(yàn)表明,該方案工藝兼容半導(dǎo)體制造流程(熱氧化/蝕刻后添加濺鍍),有效消除了上下表面光學(xué)參數(shù)(n和k)差異導(dǎo)致的誤差,適用于20–1000 nm量程的計(jì)量需求。

Flexfilm探針式臺(tái)階儀

flexfilm

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在半導(dǎo)體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領(lǐng)域,表面臺(tái)階高度、膜厚的準(zhǔn)確測(cè)量具有十分重要的價(jià)值,尤其是臺(tái)階高度是一個(gè)重要的參數(shù),對(duì)各種薄膜臺(tái)階參數(shù)的精確、快速測(cè)定和控制,是保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。

  • 配備500W像素高分辨率彩色攝像機(jī)
  • 亞埃級(jí)分辨率,臺(tái)階高度重復(fù)性1nm
  • 360°旋轉(zhuǎn)θ平臺(tái)結(jié)合Z軸升降平臺(tái)
  • 超微力恒力傳感器保證無接觸損傷精準(zhǔn)測(cè)量

通過使用高精度Flexfilm探針式臺(tái)階儀作為比對(duì)標(biāo)尺,對(duì)開發(fā)的標(biāo)稱范圍20~1000 nm的帶鉻鍍層臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)件高度進(jìn)行了嚴(yán)格評(píng)價(jià)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)清晰表明,鍍層成功將白光干涉儀的測(cè)量相對(duì)誤差抑制在±0.83%以內(nèi)(平均值絕對(duì)值<1%),相比未鍍層的“裸”SiO?/Si標(biāo)準(zhǔn)件精度提升顯著。此方案為半導(dǎo)體精密計(jì)量提供了可靠工具,具有潛力在更廣泛的光學(xué)測(cè)量環(huán)境中推廣應(yīng)用。原文出處:《Effect analysis of surface metal layer on step height standard》

*特別聲明:本公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,如涉及版權(quán)問題,敬請(qǐng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間核實(shí)并處理。

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