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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性,進(jìn)給參數(shù)控制切割過...

2025-07-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 492 0

晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制

晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制

摘要:本文針對(duì)超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題,研究晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制方法。分析影響切割深度與 TTV 的...

2025-07-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化 491 0

半導(dǎo)體制程工藝小課堂6(下)基板的物理蝕刻

半導(dǎo)體制程工藝小課堂6(下)基板的物理蝕刻

每日工藝小課堂集合, ? ? ?

2022-08-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻基板 490 0

超快恢復(fù)二極管選型不當(dāng)導(dǎo)致效率降低的分析與應(yīng)對(duì)

超快恢復(fù)二極管選型不當(dāng)導(dǎo)致效率降低的分析與應(yīng)對(duì)

在高頻、高效電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,辰達(dá)半導(dǎo)體超快恢復(fù)二極管憑借其極短的反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)和低反向電流損耗,成為開關(guān)電源、逆變器、功率因數(shù)校正(PFC)等場(chǎng)合...

2025-07-30 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體超快恢復(fù)二極管 459 0

一文讀懂共聚焦顯微鏡的系統(tǒng)組成

一文讀懂共聚焦顯微鏡的系統(tǒng)組成

共聚焦顯微鏡作為半導(dǎo)體、材料科學(xué)等領(lǐng)域的重要成像設(shè)備,其核心優(yōu)勢(shì)在于突破傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡的焦外模糊問題。光子灣科技深耕光學(xué)測(cè)量領(lǐng)域,其共聚焦顯微鏡技術(shù)優(yōu)勢(shì)...

2025-10-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料顯微鏡 455 0

從3C電子到半導(dǎo)體封裝,微型導(dǎo)軌具備哪些優(yōu)勢(shì)?

從3C電子到半導(dǎo)體封裝,微型導(dǎo)軌具備哪些優(yōu)勢(shì)?

微型導(dǎo)軌憑借超小體積、高負(fù)載能力及低摩擦特性,成為高精度設(shè)備中不可或缺的傳動(dòng)元件。

2025-10-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體導(dǎo)軌3C電子 454 0

半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)升級(jí):機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)攻克類別不平衡難題,小數(shù)據(jù)也能精準(zhǔn)判,降本又提效!

半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)升級(jí):機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)攻克類別不平衡難題,小數(shù)據(jù)也能精準(zhǔn)判,降本又提效!

一、引言機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的應(yīng)用,正面臨傳統(tǒng)算法難以突破的核心瓶頸。盡管行業(yè)能產(chǎn)生海量生產(chǎn)數(shù)據(jù),但兩大關(guān)鍵問題始終未能有效解決:一是極端類...

2025-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體檢測(cè)機(jī)器學(xué)習(xí) 450 0

奧特光繼電器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用場(chǎng)景與選型推薦

奧特光繼電器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用場(chǎng)景與選型推薦

在電力系統(tǒng)的高壓環(huán)境與復(fù)雜電磁干擾中,“隔離”與“可靠”是保障設(shè)備安全和電網(wǎng)穩(wěn)定的核心訴求。作為深耕光耦領(lǐng)域的專業(yè)廠商,其光繼電器產(chǎn)品通過了UL、VDE...

2025-12-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)光耦 448 0

SOA增益飽和特性仿真分析

SOA增益飽和特性仿真分析

SOA的仿真,通常離不開載流子速率方程、傳輸方程、以及增益方程這三大方程,本文根據(jù)增益方程分析行波半導(dǎo)體光放大器TW-SOA的增益飽和特性。

2025-10-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體增益仿真 440 0

有源晶振和無源晶振有輸入輸出嗎

有源晶振和無源晶振有輸入輸出嗎

在電子設(shè)備中,處理器決定性能的上限,而晶振,決定一切是否穩(wěn)定、可靠。它不負(fù)責(zé)計(jì)算,卻為系統(tǒng)提供精準(zhǔn)的節(jié)拍。它體積小,卻決定著時(shí)鐘、通信與同步的精度。

2025-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體無源晶振晶振 438 0

淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系

淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系

SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支,歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代,已形成以SIMOX、BSOI、Eltran及Smart Cut為核心的四大成...

2025-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SOI晶圓制造 436 0

MDD橋堆開路失效或單向?qū)ǖ脑蚺c解決方案

MDD橋堆開路失效或單向?qū)ǖ脑蚺c解決方案

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體橋堆(BridgeRectifier)是電源電路中最基礎(chǔ)也是最關(guān)鍵的整流器件,它負(fù)責(zé)將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC),為后級(jí)電路提供...

2025-10-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體整流器橋堆 432 0

半導(dǎo)體制造市場(chǎng)中鋼結(jié)構(gòu)承重基座的風(fēng)云變幻-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

半導(dǎo)體制造市場(chǎng)中鋼結(jié)構(gòu)承重基座的風(fēng)云變幻-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

在半導(dǎo)體制造這一前沿領(lǐng)域,每一次細(xì)微的技術(shù)變革都可能引發(fā)行業(yè)的巨大震動(dòng)。其中,鋼結(jié)構(gòu)承重基座作為保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵基礎(chǔ),正經(jīng)歷著前所未有的風(fēng)云變幻,...

2025-05-26 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體 431 0

集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

Bosch工藝,又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝,是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技術(shù),由Robert Bosch于1993年提出,屬于...

2025-12-26 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體BOSCH 428 0

半導(dǎo)體光放大器SOA增益特性仿真

半導(dǎo)體光放大器SOA增益特性仿真

半導(dǎo)體光放大器SOA目前在一些通信網(wǎng)絡(luò)中常被用作功率放大器或前置放大器。然而,在未來全光開關(guān)、再生以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換方案中,半導(dǎo)體光放大器也有望成為多功能元件...

2025-11-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體仿真SOA 426 0

【海翔科技】東京精密 TOKYO SEIMITSU Vega 系列二手探針臺(tái) Vega Planet|現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)機(jī)測(cè)試保障

【海翔科技】東京精密 TOKYO SEIMITSU Vega 系列二手探針臺(tái) Vega Planet|現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)機(jī)測(cè)試保障

一、引言 在高端半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域,東京精密 TOKYO SEIMITSU Vega 系列的 Vega Planet 探針臺(tái)以其全方位的性能表現(xiàn),成為復(fù)...

2025-10-11 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體海翔科技 411 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)3D SOI集成電路技術(shù)

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)3D SOI集成電路技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中,3D集成電路(3D IC)憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制,成為提升性能與功能密度的核心路徑。

2025-12-26 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體TSV 411 0

AOTE奧特|光耦的應(yīng)用領(lǐng)域

AOTE奧特|光耦的應(yīng)用領(lǐng)域

光耦是一種特殊的電子組件,具有很多特性。它可以用來取代傳統(tǒng)的電阻器,如電池、電感器和電容器等。在半導(dǎo)體工業(yè)中,使用光耦能夠減少工藝步驟,提高生產(chǎn)效率。一...

2025-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光耦光電耦合器 411 0

如何設(shè)定清洗槽的溫度

如何設(shè)定清洗槽的溫度

設(shè)定清洗槽的溫度是半導(dǎo)體濕制程工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),需結(jié)合化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、材料穩(wěn)定性及污染物特性進(jìn)行精準(zhǔn)控制。以下是具體實(shí)施步驟與技術(shù)要點(diǎn):1.明確工藝目標(biāo)...

2025-09-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體清洗 410 0

SOA半導(dǎo)體光放大器的結(jié)構(gòu)參數(shù)

SOA半導(dǎo)體光放大器的結(jié)構(gòu)參數(shù)

本篇文章將進(jìn)一步根據(jù)SOA本身的結(jié)構(gòu)參數(shù)(如波導(dǎo)長(zhǎng)度、波導(dǎo)體積)、特性參數(shù)(增益系數(shù)、透明載流子濃度,耦合參數(shù)),注入?yún)?shù)(偏置電流、輸入光功率)等作為...

2025-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體仿真SOA 408 0

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    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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