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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 677 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,來(lái)自巴西坎皮納斯州立大學(xué)(State University of Campinas)以及巴西國(guó)家生物分析科學(xué)技術(shù)研究所(Nati...
2023-07-28 標(biāo)簽:傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管微流控器件 592 0
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級(jí) 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車環(huán)境中為非車載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 584 0
在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大...
2025-02-14 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管OD 566 0
GaN FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢(shì)
本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中,且無(wú)需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽:傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 553 0
正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)
2023-05-24 標(biāo)簽:晶閘管場(chǎng)效應(yīng)晶體管VMOS管 551 0
關(guān)于模擬電路的40個(gè)實(shí)用小常識(shí)
穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管,由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn),適用反向擊穿的工作狀態(tài),只要限制電流的大小,這種擊穿是非破壞性的。
2023-01-09 標(biāo)簽:pcb模擬電路穩(wěn)壓二極管 472 1
"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在?
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是互補(bǔ)金...
用戶指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評(píng)估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級(jí),帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 414 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊,通過(guò)外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 392 0
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 339 0
OPA1S2385 具有集成低電平有效開關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊(cè)
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬,場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個(gè)快速 SPST COMS 開...
2025-04-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 172 0
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