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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

智能化與電動(dòng)化雙輪驅(qū)動(dòng)，汽車MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開(kāi)始興起，在如今電力電子功率器件中，無(wú)疑成為了最重要...

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1016 0

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。

2023-02-08 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 1014 0

vdmos器件的具體應(yīng)用

VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...

2024-09-29 標(biāo)簽：電路電流 VDMOS器件 993 0

如何選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）時(shí)，需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求，同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...

2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 981 0

如何確保380V輔助電源的穩(wěn)定性？

交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對(duì)電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。

2024-04-29 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏電流 975 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型：JFET（結(jié)型）和MOS-FET（金屬-氧...

2024-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 961 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-...

2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 948 0

求一種高壓大電流DMOS版圖設(shè)計(jì)方案

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類

2023-07-05 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管逆變器 906 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管入門指南

在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 FET 892 0

3D-IC中三個(gè)不同層次的3D是什么

隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當(dāng)特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶...

2024-04-02 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 886 0

金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測(cè)研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-07 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電探測(cè)器 875 0

摩爾定律下一個(gè)10年的關(guān)鍵之3D堆疊技術(shù)

隨著傳統(tǒng)平面晶體管的尺寸縮小，器件物理學(xué)家稱為短溝道效應(yīng)的器件占據(jù)了中心位置?？偟膩?lái)說(shuō)，由于源極和漏極之間的距離變得非常小，電流會(huì)在不應(yīng)該泄漏的時(shí)候漏過(guò)...

2023-03-22 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 873 0

半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)

上回我們講到了在1959年，杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個(gè)集成電路芯片，標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開(kāi)了集成電路的時(shí)代。

2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 858 0

IGBT模塊參數(shù)詳解車用IGBT模塊可靠性

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（...

2022-11-16 標(biāo)簽：IGBT 場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 831 0

石墨烯氣體傳感器的發(fā)展及技術(shù)類型有哪些

大多數(shù)基于石墨烯的氣體傳感器具有薄的層結(jié)構(gòu)。一個(gè)單獨(dú)的原始或CVD石墨烯片可以被轉(zhuǎn)移到一個(gè)剛性或柔性的襯底，以形成傳感層。然后金屬電極沉積在石墨烯的表面...

2023-08-09 標(biāo)簽：傳感器氣體傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 819 0

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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源斬波器 MOS管 801 0

一種用于實(shí)時(shí)檢測(cè)溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器

這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。

2022-11-10 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器 781 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 752 0

C?N識(shí)別丙烷和丁烷的氣體傳感器的開(kāi)發(fā)研究

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2023-11-14 標(biāo)簽：氣體傳感器柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 748 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 704 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

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