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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFE...

2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 1371 0

MOS管的原理是什么?它是如何起作用的?

mos管,即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。

2023-02-12 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 1366 0

高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計(jì)

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功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源斬波器逆變器 1330 0

MOS管FDBL86066型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

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儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長,尤其是在俄烏沖突的影響下,海外民眾為解決用電需求,開始購入戶用儲(chǔ)能等產(chǎn)品,在歐洲的海外市場爆發(fā)尤為顯著。

2023-08-07 標(biāo)簽:MOS管電池管理系統(tǒng)場效應(yīng)晶體管 1318 0

應(yīng)用于汽車功放電路的FHP45N20W場效應(yīng)管

如何能夠從品質(zhì)提升自己的產(chǎn)品力,進(jìn)而獲取市場青睞。對(duì)于汽車音響功放,選用一款能替代國外IRFB38N20D型號(hào)參數(shù)的MOS管尤為重要。

2022-10-28 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管 1301 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

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近期,美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽:充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 1299 0

北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革

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紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用,現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長方法制備的塊體半導(dǎo)體材料,通過倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián),其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜,嚴(yán)重制...

2023-08-11 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1263 0

高載流子遷移率膠體量子點(diǎn)紅外探測器使用

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短波紅外和中波紅外波段是兩個(gè)重要的大氣窗口。在該波段范圍內(nèi),碲化汞膠體量子點(diǎn)表現(xiàn)出良好的光響應(yīng)。

2023-10-16 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管紅外探測器光譜儀 1230 0

FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。

2024-01-09 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管場效應(yīng)晶體管 1209 0

mos驅(qū)動(dòng)芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因

MOS驅(qū)動(dòng)芯片,也稱為MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET是一種...

2024-07-14 標(biāo)簽:MOS場效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)芯片 1204 0

選用MOS管還是三極管?

三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。

2023-02-16 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管MOS管 1203 0

平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片的工作原理

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電場激活原位摻雜的平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片的工作原理如圖1所示。通過離子溶液處理和恒定電場激活,器件的工作模式由光導(dǎo)型變成了光伏型。場效應(yīng)晶體管...

2023-08-11 標(biāo)簽:探測器場效應(yīng)晶體管短波 1194 0

半導(dǎo)體光刻工藝 光刻—半導(dǎo)體電路的繪制

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。

2023-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 1180 0

IGBT的G極電壓影響因素、測量方法及應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...

2024-07-25 標(biāo)簽:電壓IGBT電子器件 1179 0

曹原導(dǎo)師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實(shí)現(xiàn)開關(guān)超導(dǎo)性

低溫傳輸測量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時(shí)的預(yù)期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時(shí)使...

2023-02-10 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1174 0

11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混頻器概述

HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無引線RoHS兼容無引線芯片載體(LCC)中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。

2023-05-26 標(biāo)簽:變頻器混頻器場效應(yīng)晶體管 1168 0

單相逆變電路的類型有哪些

單相逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制、可再生能源等領(lǐng)域。 單相逆變電路的類型 單相逆變電路按照不同的分...

2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管逆變電路 1071 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片怎么提高電流

柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...

2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場效應(yīng)晶體管 1043 0

請(qǐng)教一下經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎?

靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對(duì)于CMOS IC來說,經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。

2023-12-15 標(biāo)簽:集成電路CMOSESD 1031 0

簡單認(rèn)識(shí)場效應(yīng)管和集成運(yùn)放

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET),又稱場效應(yīng)管,是一種利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器...

2024-08-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管集成運(yùn)放 1018 0

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