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基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

具體來說,該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內(nèi)...

2024-04-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1124 0

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎

近日,在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會上,基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎”?;景雽?dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

2024-04-02 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1382 0

基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)

近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會,作為亞洲電子...

2024-03-04 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1036 0

國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ

國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ

隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...

2022-12-05 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代國芯思辰 1096 0

國芯思辰|對標(biāo)科銳C4D30120D,40A/1200V碳化硅肖特基二極管B2D40120HC1用于機車空調(diào)升壓電源

國芯思辰|對標(biāo)科銳C4D30120D,40A/1200V碳化硅肖特基二極管B2D40120HC1用于機車空調(diào)升壓電源

在動車或地鐵中,機車空調(diào)需要有穩(wěn)定的電力供電,保持車廂內(nèi)的空氣質(zhì)量。當(dāng)機車出現(xiàn)故障時,需要通過后備電池給空調(diào)供電。而機車中常規(guī)的后備電池電壓為直流110...

2022-11-30 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代碳化硅肖特基二極管 797 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主,但由于各...

2022-11-25 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 1278 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務(wù)器電源

國芯思辰|基本半導(dǎo)體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務(wù)器電源

如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖,主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成,輸出12V電壓;在PFC功率因數(shù)校正部分,...

2022-11-23 標(biāo)簽:二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 972 0

國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應(yīng)用,可替代C2M0080120D

國芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應(yīng)用,可替代C2M0080120D

車載OBC又稱車載交流充電機,安裝于電動汽車上,通過插座和電纜與交流插座連接,以三相或者單相交流電源向汽車提供電源;車載OBC的優(yōu)點是不管車載電池在任何...

2022-11-17 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 1294 0

國芯思辰|可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管:基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計

國芯思辰|可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管:基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計

在1KWPFC電源設(shè)計中,功率因數(shù)校正部分市場上主流的器件方案為SiMOS管:Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成,為后級提供穩(wěn)定的...

2022-11-15 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 992 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機,工作結(jié)溫-55~175℃

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機,工作結(jié)溫-55~175℃

氫能發(fā)電機特指以氫氣為原料的發(fā)電機,原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機,經(jīng)過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程,帶動電機產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備,具有無噪...

2022-11-09 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體氫能源發(fā)電機 1013 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應(yīng)用方案

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應(yīng)用方案

計算機開關(guān)電源是一種電容輸入型電路,其電流和電壓之間的相位差會造成交換功率的損失,此時便需要PFC電路提高功率因數(shù)。目前的PFC有兩種,一種為被動式PF...

2022-11-07 標(biāo)簽:PFC電路基本半導(dǎo)體 1040 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

國芯思辰|基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

第5代通信技術(shù)5G頻率越高,穿透和繞射能力會相對下降,信號智能直射傳播,很多偏僻地方就會收不到信號,微基站很好彌補了這項缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、發(fā)...

2022-11-03 標(biāo)簽:微基站基本半導(dǎo)體 878 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化,導(dǎo)通電阻32mΩ

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UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源,其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器,然而傳統(tǒng)的功率MOS(超級結(jié)MOS和COO...

2022-10-31 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體國芯思辰 1396 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管助力OBC發(fā)展,650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?

國芯思辰|基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管助力OBC發(fā)展,650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?

采用SiC功率器件可有效提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng),獲得更高的擊穿電壓、更低的開啟電阻、更大的熱導(dǎo)率;并且能保證在更高溫度下可以穩(wěn)定工作,使電動汽車或混合動力...

2022-10-26 標(biāo)簽:二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 976 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位,反向電壓1200V

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位,反向電壓1200V

在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件,能夠有效的減少開關(guān)損耗,提高逆變器的效率,因此為了保護IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作,設(shè)計師們會給IG...

2022-10-12 標(biāo)簽:基本半導(dǎo)體 1109 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅(qū)動功率損耗,導(dǎo)通延遲20ns

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅(qū)動功率損耗,導(dǎo)通延遲20ns

據(jù)評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。電動機驅(qū)動電路一般原理圖本文主要講到基本半導(dǎo)...

2022-09-30 標(biāo)簽:電動機基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代 1086 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D40120HC替代C4D40120D用于儲能雙向變流器,有效提高系統(tǒng)功率密度

國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D40120HC替代C4D40120D用于儲能雙向變流器,有效提高系統(tǒng)功率密度

儲能變流器(PCS)可控制蓄電池的充電和放電過程,進行交直流的變換,在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。PCS由DC/AC雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。...

2022-09-29 標(biāo)簽:肖特基二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 1409 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體雙通道隔離柵極驅(qū)動器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源,驅(qū)動峰值電流4.5/6A

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國芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線式UPS設(shè)計,需要在控制器的驅(qū)動信號與功率開關(guān)管之間做隔離,這里提一下國產(chǎn)基本半導(dǎo)體的雙通道隔離柵極驅(qū)動...

2022-09-20 標(biāo)簽:德州儀器UPS電源柵極驅(qū)動器 1205 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)

國芯思辰|基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)

在工業(yè)空調(diào)變頻的過程中,通過電源濾波整流,把交流轉(zhuǎn)換為直流,通過PFC的功率因子提升給到驅(qū)動電路部分,而由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極IGB...

2022-09-14 標(biāo)簽:東芝柵極驅(qū)動器工業(yè)空調(diào) 1937 0

國芯思辰|基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器

國芯思辰|基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器

光伏逆變器是整個光伏發(fā)電體系的系統(tǒng)中最重要的一個部分,逆變器的效率決定著光伏發(fā)電的效率,所以需要實現(xiàn)高可靠性是一個逆變器的重要指標(biāo)。本文講述采用基本半導(dǎo)...

2022-09-08 標(biāo)簽:光伏逆變器基本半導(dǎo)體國芯思辰 1154 0

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