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標(biāo)簽 > 多晶硅
多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。
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本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱(chēng)Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái)，為提升...
在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下，太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料，其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性...
2024-12-27 標(biāo)簽：多晶硅存儲(chǔ)光伏系統(tǒng) 759 0
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要，特別是在現(xiàn)代集成電路制造中，如FinFET等先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下，硅片表面的微小不平整性對(duì)光刻結(jié)果...
當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí)，它們之間存在電場(chǎng)，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...
根據(jù)晶體凝固生長(zhǎng)與位錯(cuò)形成、運(yùn)動(dòng)與增殖的理論，多晶硅錠中位錯(cuò)存在兩種來(lái)源：原生和增殖。
2024-03-27 標(biāo)簽：多晶硅 876 0
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱(chēng)為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過(guò)90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強(qiáng)度使用下也不容易磨損。
inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...
離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來(lái)改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過(guò)注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來(lái)監(jiān)測(cè)航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動(dòng)力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對(duì)其最基本的要求。
多晶硅（polysilicon）是太陽(yáng)能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。
2024-01-23 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池多晶硅半導(dǎo)體 1147 0
多晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽(yáng)能電池板制造：多晶硅是太陽(yáng)能電池板制造的關(guān)鍵材料之一。它可以通...
2024-01-23 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池多晶硅半導(dǎo)體材料 1.2萬(wàn) 0
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見(jiàn)的硅沉積技術(shù)。
在MEMS器件設(shè)計(jì)過(guò)程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。
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