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標簽 > 存儲芯片
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無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 標簽:DRAM半導體產(chǎn)業(yè)存儲芯片 1166 0
SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營收增長5倍
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收...
SK海力士,全球知名的存儲芯片制造商,近日公布了其第四季度的財務報告。報告顯示,公司在這一季度實現(xiàn)了盈利,這是自2022年第四季度以來首次實現(xiàn)季度盈利。
DRAM漲價潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤改善
報導指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價約2年半來首度呈現(xiàn)揚升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價。
2024-01-25 標簽:DRAM存儲芯片Nand flash 612 0
存儲模組大廠威剛發(fā)布2023年財報數(shù)據(jù),2023年全年合并營收達337億新臺幣,同比下降3.9%。
韓國關(guān)稅署公布,2023年韓企向我輸出的空白光掩膜(半導體工藝關(guān)鍵原料)價值總額上漲至1.41億美元,增幅為47.69%,遠超整體出口的年均漲幅(21%...
CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲芯片,比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲,TF卡替代方案
文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH(SecureDigitalNANDFlash)是一種安全數(shù)字NAND閃存...
AI推動存儲芯片需求,三星、SK海力士和美光稼動率全面調(diào)升
市場觀點認為,此次存儲芯片價格反彈,正是產(chǎn)業(yè)內(nèi)供需雙方良性互動的成果。當市場經(jīng)歷過2022年的低谷之后,作為行業(yè)領軍企業(yè)的三星電子、SK海力士等受到了一...
從NoC的角度來看,我覺得有趣的是,你必須優(yōu)化這些路徑,從處理器到NoC,通過控制器訪問內(nèi)存接口,可能通過UCIe將一個芯片傳遞給另一個芯片,然后芯片中有內(nèi)存。
針對美國媒體有關(guān)SK海力士準備出售中國大連工廠的報道,該韓國存儲芯片巨頭做出了回應,明確表示目前沒有計劃出售該工廠。
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
DRAM稼動率緩步改善,業(yè)界認為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 標簽:DRAM存儲芯片Nand flash 707 0
2023年中國集成電路產(chǎn)量增長6.9%,出口量下降1.8%
據(jù)國家統(tǒng)計局2024年1月17日發(fā)布的數(shù)據(jù),2023年中國集成電路產(chǎn)量達到了3514億塊,相較于2022年的3242億塊有顯著提高。此項大數(shù)據(jù)囊括了各種...
韓國與三星、SK海力士聯(lián)手,622萬億韓元打造半導體巨型集群
2022年全球半導體市場規(guī)模將達到5996億美元。預計全球半導體市場將下降12.3%至525.9美元由于IT產(chǎn)品需求和存儲半導體價格暴跌,預計到2023...
近期,由于旺季拉貨效應未持續(xù)發(fā)酵、車用與工控芯片不再短缺、以及IDM廠自有新產(chǎn)能開出等利空沖擊,晶圓代工行業(yè)又面臨一波新的降價潮,行業(yè)內(nèi)廠商幾乎無一幸免。
2024-01-17 標簽:mcu半導體產(chǎn)業(yè)臺積電 1044 0
和美精藝科創(chuàng)板IPO受理!主打存儲芯片封裝基板,募資8億建設生產(chǎn)基地等
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,深圳和美精藝半導體科技股份有限公司(以下簡稱:和美精藝)科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理。 本次科創(chuàng)板IPO,和美精藝擬公...
值得關(guān)注的是,三星已不再從事 NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲芯片加工,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向使用華邦生產(chǎn)的產(chǎn)品。近期,隨著 NOR flash 和 D...
三星電子轉(zhuǎn)型之路:應對挑戰(zhàn),聚焦超級差距技術(shù)
三星電子現(xiàn)在的目標是在新興的高密度存儲芯片領域趕上競爭對手,計劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進芯片,可與硬件配合使...
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