、RK3399、RK3288三大主力平臺。瑞芯微與商湯科技硬件與軟件的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，將加速“中國智造”在人臉識別領(lǐng)域的場景化、商用化落地。
2018-08-16 09:47:07
8111 地，2020 年業(yè)界普遍認(rèn)為 5G 會實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，熱點(diǎn)技術(shù)與應(yīng)用推動(dòng)下，國內(nèi)半導(dǎo)體材料需求有望進(jìn)一步增長。寬禁帶半導(dǎo)體材料測試1 典型應(yīng)用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征2 典型應(yīng)用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
和閱讀能力；3.25－35歲；4.1年以上工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)。上班地點(diǎn)：漕河涇開發(fā)區(qū) 聯(lián)系方式：MSN: bmhr3@hotmail.comEmail: fy@intebankjp.com
2008-09-25 10:39:42
棲霞警方科技強(qiáng)警解決郊區(qū)治安難題  
2008-11-26 16:07:36
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
，幫助工程師避免只關(guān)注設(shè)計(jì)忽略整體效率? 可以進(jìn)行諧波標(biāo)準(zhǔn)預(yù)一致性測試，縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期? 結(jié)合光隔離ISOVu探頭可以對寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN進(jìn)行特性分析驗(yàn)證參與小調(diào)研，還有機(jī)會活動(dòng)精美禮品
2018-07-25 15:48:08
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
MHCHXM中文名是什么？為什么強(qiáng)元芯是一級代理？
2016-09-17 12:31:11
請問MHCHXM產(chǎn)品質(zhì)量怎么樣？是強(qiáng)元芯生產(chǎn)的嗎？有沒有誰用過他家的呀？
2016-09-12 14:42:15
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
聯(lián)發(fā)科技登上全球半導(dǎo)體廠商20強(qiáng)增長速度冠軍寶座 單芯片產(chǎn)品MT6253量產(chǎn)將再創(chuàng)傳奇
新竹2009年12月10日電 /美通社亞洲/ --
2009-12-10 22:34:24604 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”，紐約證券交易所：SMI，香港聯(lián)合交易所：981)獲頒“中國十強(qiáng)半導(dǎo)體企業(yè)”獎(jiǎng)。
2012-10-24 09:21:041187 12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514919 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，填補(bǔ)我國高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012150 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 近日，2018中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會在濟(jì)南召開。會上，國家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對接提供了良好的交流互動(dòng)平臺。
2018-12-10 14:24:253990 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫龋邏阂馕吨碗娏?，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會減少，結(jié)果會直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524422 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！3554億科技巨頭牽手華為，智能家電時(shí)代或來臨
2019-08-21 09:42:073594 半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297 第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，且支持超快速開關(guān)切換頻率，帶來的測試挑戰(zhàn)也成了
2020-10-30 03:52:111116 泰克光電將在2020年12月8-10日在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的深圳國際半導(dǎo)體展會上推出系列新設(shè)備產(chǎn)品展示 展位號：2號館 A285 敬請期待 深圳市泰克光電科技有限公司成立于2012年
2020-11-20 12:04:452290 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認(rèn)識得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，吉時(shí)利源表SMU在許多學(xué)科工程師和科學(xué)家中享有盛譽(yù)，以其優(yōu)異的性能為當(dāng)代材料科學(xué)研究提供多種測試方案，今天安泰測試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。
2021-08-20 11:17:47719 作為2021年技術(shù)熱詞，寬禁帶總會在各大技術(shù)熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車的“寵兒”，但也有些朋友會問我們，寬禁帶半導(dǎo)體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 泰克發(fā)布的這一全新測試系統(tǒng)有助于加快制造速度，因?yàn)樗s短了測試時(shí)間，進(jìn)而加快了新芯片的上市速度。
2021-09-29 11:49:241410 有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、北京郵電大學(xué)、三安光電有限公司等知名企業(yè)及高?？蒲性核餐窒?b class="flag-6" style="color: red">寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最新進(jìn)展。
2021-12-23 14:06:342830 
中國十強(qiáng)半導(dǎo)體企業(yè)有哪些？接下來簡單介紹一下。
2022-01-27 14:40:15119200 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2022-02-21 16:47:151118 對于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534542 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 泰克科技在北京成立【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室】（TEK Advance Semiconductor Open Lab），并邀請嘉賓一起見證啟動(dòng)開幕，這是全國首個(gè)企業(yè)級第三代半導(dǎo)體功率器件測試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室。
2022-09-26 14:30:341591 隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢，迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810871 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
?。ㄔ斍檎埓粒簣?bào)名|工業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體開發(fā)者論壇）快掃描下方二維碼報(bào)名活動(dòng)，并獲取詳細(xì)論壇議程吧！（論壇為英文演講）新品通用分立功率半導(dǎo)體測試評估平臺型號為EVAL_
2022-04-01 10:32:161355 
（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:466543 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 技術(shù)迭代，驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn) 用芯智測，啟智未來 立足根本，測試為先 TIF 2023是一個(gè)融合性、持續(xù)性的全方位共創(chuàng)交流平臺。 我們邀請半導(dǎo)體，汽車行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者與泰克公司
2023-06-30 08:35:02727 
為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提
2023-06-30 10:08:301328 
（上海） 舉辦，涵蓋新能源汽車、綠色能源、數(shù)據(jù)中心、半導(dǎo)體等技術(shù)話題。 本次泰克將攜 寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈測試方案 及 智能汽車全棧式測試方案 亮相慕展，期待與您在現(xiàn)場共同探討交流測試技術(shù)，從測試著手，搞定各類產(chǎn)品開發(fā)難題！ (文末預(yù)約有驚喜~) “ 泰克展位 在這里
2023-07-06 19:45:011211 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場強(qiáng)、高的電子飽和速度和強(qiáng)的抗輻射等特性，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下，近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。
2023-07-24 09:33:401325 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力強(qiáng)嗎 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力強(qiáng)嗎？這是一個(gè)值得討論的問題。在技術(shù)和工程領(lǐng)域，半導(dǎo)體是一種非常重要的材料，因?yàn)樗鼈兙哂薪橛?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)體和絕緣體之間的電導(dǎo)特性。在本文中，我們將探討半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力、其
2023-08-27 16:00:313197 寬禁帶半導(dǎo)體光電探測技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測功能，推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-09-28 16:54:265233 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)細(xì)分領(lǐng)域龍頭強(qiáng)者恒強(qiáng)
2023-01-13 09:06:5412 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” ， 關(guān)注我們 ???????? 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。 在整個(gè)
2023-12-07 10:45:021167 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬
2023-12-16 08:30:341283 
12月27日，浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項(xiàng)目正式通線投產(chǎn)。
2023-12-29 10:20:371581 深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司于2023年年底在上海市嘉定區(qū)設(shè)立了車規(guī)級可靠性實(shí)驗(yàn)中心，該實(shí)驗(yàn)中心是天狼芯半導(dǎo)體重點(diǎn)打造和建設(shè)的功率器件開放實(shí)驗(yàn)平臺，
2024-03-01 10:09:081492 近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進(jìn)會在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時(shí)刻。
2024-04-03 09:23:101093 會上，臨港新片區(qū)管委會聯(lián)動(dòng)萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561150 ，今日宣布其實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過全面升級后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中國區(qū)分銷業(yè)務(wù)總經(jīng)理宋磊為本次盛會做了開幕致辭，同時(shí)我們有幸邀請到了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉博士，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
2024-05-16 17:14:30591 
功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341390 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381689 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261671 英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動(dòng)交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311369 在國家“雙碳”戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，節(jié)能減排已成為推動(dòng)各行各業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的核心動(dòng)力。泰克科技與廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司的合作，正是這一戰(zhàn)略下的重要實(shí)踐，雙方致力于推動(dòng)SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與市場競爭力，共同加速寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的綠色升級。
2024-07-09 14:22:521309 
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體測試變得越來越復(fù)雜和具有挑戰(zhàn)性。在這種情況下，信號發(fā)生器作為測試設(shè)備的一個(gè)組成部分，扮演了越來越重要的角色。泰克信號發(fā)生器是一種高性能的信號發(fā)生器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體
2024-10-22 16:58:44852 
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長的市場和客戶對先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求愈發(fā)強(qiáng)烈，這一背景下納微實(shí)現(xiàn)了營收的持續(xù)增長，連續(xù)三年成功入榜。
2024-11-22 17:22:531471 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
?無需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 ：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 9月24日，PCIM Asia 2025在上海新國際博覽中心盛大開幕。泰克（Tektronix）攜手合作伙伴東方中科，重磅亮相N5館F08展位，聚焦模擬半導(dǎo)體與寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用場景，全面展示泰克全棧
2025-09-30 17:50:164640
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