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標(biāo)簽 > 寄生電感
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?高頻薄膜MELF電阻器的技術(shù)特性與應(yīng)用解析
Vishay/Beyschlag MM-HF MELF薄膜電阻器是低電感非螺旋微調(diào)產(chǎn)品。這些電阻器非常適合用于高頻電路設(shè)計(jì)，在這些設(shè)計(jì)中，由于常規(guī)電阻器...
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN002: How to read GaN datasheet
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規(guī)則以CG65030TAD產(chǎn)品為例，"C"為公司...
MOSFET柵極驅(qū)動器充放電中的能量轉(zhuǎn)換過程
在MOSFET開關(guān)中，柵極驅(qū)動器(Gate Driver)承擔(dān)著為其充電與放電的關(guān)鍵任務(wù)，而這背后的能量轉(zhuǎn)換過程，直接影響驅(qū)動系統(tǒng)的效率與熱設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)功...
如今，從液晶電視到手機(jī)等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中使用的許多芯片組都是采用遠(yuǎn)低于130nm的先進(jìn)技術(shù)開發(fā)的。這些技術(shù)對3.3V以上直流電壓的耐受性極低，因此靜電放電...
在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和射頻系統(tǒng)中，＞1MHz的電流測量精度直接決定系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)方案依賴電流互感器（CT）或霍爾傳感器，卻常受限于相位漂移、磁飽和和帶寬...
2025-06-23 標(biāo)簽：開關(guān)電源互感器串聯(lián)電感 1.1k 0
回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值，其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實(shí)現(xiàn)。...
UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動采用半橋或同步降壓配置的兩個 N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 3....
UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動器，用于在非連續(xù) （DCM） 和 過渡模式 （TM）。與測量 ...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
2025-02-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 719 0
更高性能OBC的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素
消費(fèi)者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情...
瓷介電容器是一種使用陶瓷材料作為介質(zhì)的電容器，廣泛應(yīng)用于電子電路中，用于儲存和釋放電能、濾波、去耦、諧振等。由于陶瓷材料的介電常數(shù)較高，瓷介電容器通常具...
IGBT模塊采用吸收電路時，典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨著吸收電容充電，瞬態(tài)電壓再次上升。第二次上升峰值△U...
GaNSense?半橋IC可提高效率并降低成本，賦能電機(jī)集成逆變器
電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)消耗了歐洲近50%的電力 ，因此政府制定了相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，以確保盡可能高效地使用電力，同時盡量減少對電網(wǎng)的影響和擾亂。
2024-05-30 標(biāo)簽：逆變器電平轉(zhuǎn)換器寄生電感 1.3k 0
基于ADI LTC1871的實(shí)例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來的影響
講解如何利用LTC1871 升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來檢查開關(guān)波形，并觀察寄生電感變化時的 PCB 布局。
安建半導(dǎo)體推出針對大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來，工業(yè)及消費(fèi)市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。
如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲
降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。
用FAN73711浮驅(qū)芯片，在起機(jī)時沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象，基本能夠正常工作，但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會發(fā)生炸機(jī)，比如在源跳變時會發(fā)生PFC炸機(jī)。
基于ANSYS的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的數(shù)字設(shè)計(jì)方案
寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體需要具有更低的寄生電感和電容的封裝。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，提出了新的包裝解決方案，以增加集成度。
在電路PCB設(shè)計(jì)中，地平面設(shè)計(jì)是一個重要的組成部分，PCB地平面的設(shè)計(jì)不僅關(guān)乎到電子產(chǎn)品的工作性能，而且對于EMC方面的影響也是息息相關(guān)。
2024-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源emiPCB設(shè)計(jì) 4.1k 0
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