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標(biāo)簽 > 寄生電感
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FHL170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管常用于同步整流電路!
面對(duì)新時(shí)代的快速發(fā)展,對(duì)快充技術(shù)的迅速提升,開關(guān)電源使用范圍更加廣泛,降低低壓大電流的功耗已經(jīng)是電力工程師的難題。
2023-08-31 標(biāo)簽:開關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 911 0
提升PCB板Layout質(zhì)量的6個(gè)細(xì)節(jié)
現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來(lái)完成布局布線的,俗稱的“拉線工”。
對(duì)于貼片式電路板的話,跳線的方式很難使用機(jī)器統(tǒng)一安裝,而使用空焊盤和0歐電阻的配合方式可以起到和跳線一樣的作用,在生產(chǎn)的時(shí)候就起到一定的配置作用。
高速差分信號(hào)線我們必須保證等寬、等間距來(lái)實(shí)現(xiàn)特定的差分阻抗值。所以在布差分信號(hào)線的時(shí)候盡量保證對(duì)稱。
基于ADI LTC1871的實(shí)例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來(lái)的影響
講解如何利用LTC1871 升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來(lái)檢查開關(guān)波形,并觀察寄生電感變化時(shí)的 PCB 布局。
簡(jiǎn)單分析一下如何進(jìn)行合理PCB layout布局以及設(shè)計(jì)中的注意事項(xiàng)
在DCDC電源電路中,PCB的布局對(duì)電路功能的實(shí)現(xiàn)和良好的各項(xiàng)指標(biāo)來(lái)說(shuō)都十分重要。
更高性能OBC的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素
消費(fèi)者需求不斷攀升,電動(dòng)汽車(EV)必須延長(zhǎng)續(xù)航里程,方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車相媲美。解決這個(gè)問題主要有兩種方法:在不顯著增加電池尺寸或重量的情...
2024-11-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美寄生電感 780 0
開關(guān)穩(wěn)壓器在兩個(gè)不同路徑之間來(lái)回切換電流。這種切換非常快,具體切換速度取決于切換邊緣的持續(xù)時(shí)間。開關(guān)電流流經(jīng)的走線稱為熱回路或交流電流路徑,其在一個(gè)開關(guān)...
高速電路設(shè)計(jì)具體的七個(gè)技術(shù)面
避免熱點(diǎn)產(chǎn)生:信號(hào)過孔會(huì)在電源層和底層產(chǎn)生voids。所以不合理的放置過孔很有可能會(huì)使電源或者地平面某些區(qū)域的電流密度增加。而這些電流密度增加的地方我們...
從儲(chǔ)能角度理解電容容易造成一種錯(cuò)覺,認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲(chǔ)能作用發(fā)生在低頻段,不容易向高頻擴(kuò)展。實(shí)際上,從儲(chǔ)能角度理解,可以解釋任何電...
2024-03-04 標(biāo)簽:電容電源系統(tǒng)寄生電感 669 1
用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂...
EMC:Electromagnetic Compatibility,即電磁兼容性。指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法...
在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和射頻系統(tǒng)中,>1MHz的電流測(cè)量精度直接決定系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)方案依賴電流互感器(CT)或霍爾傳感器,卻常受限于相位漂移、磁飽和和帶寬...
2025-06-23 標(biāo)簽:開關(guān)電源互感器串聯(lián)電感 480 0
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器 通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
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