MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管SiC 7.7k 0

什么是片狀三端子電容？怎樣去安裝它呢

因?yàn)榧纳姼械拇嬖?，?dǎo)致高頻信號(hào)的IL（插入損耗）較大，嚴(yán)重影響到電容的高頻濾波效果，因此發(fā)展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感更小...

2022-08-17 標(biāo)簽：電容器寄生電感高頻濾波 7.5k 0

寄生電感怎么來(lái)的 不必要的LC串聯(lián)諧振要絕對(duì)杜絕嗎？

我一直有一個(gè)感覺(jué)：咱們硬件工程師，會(huì)遇到各種各樣的問(wèn)題，亦或是各種各樣的現(xiàn)象，總會(huì)有一個(gè)非常簡(jiǎn)單的解釋，一句話或者是幾句話，我們見(jiàn)多了這個(gè)解釋，就自以為...

2021-01-22 標(biāo)簽：諧振電路LC濾波器寄生電感 6.5k 0

從麥克斯韋談寄生電感由來(lái)和定義

電流流過(guò)導(dǎo)線，會(huì)在導(dǎo)線的周圍產(chǎn)生磁場(chǎng)。當(dāng)導(dǎo)線電流變化時(shí)，這個(gè)磁場(chǎng)也會(huì)變化，變化的磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)將阻礙電流的變化，而阻礙電流變化的這種能力，就可...

2020-08-26 標(biāo)簽：信號(hào)完整性寄生電感 6.5k 0

pcb等長(zhǎng)設(shè)計(jì)為什么會(huì)出現(xiàn)時(shí)延差異？

1倍線寬的蛇形繞線帶來(lái)的延時(shí)差異是-10ps，比參考線快了10ps，造成延時(shí)差異的主要原因是信號(hào)的自耦合現(xiàn)象。

2021-04-13 標(biāo)簽：pcb寄生電容傳輸線 6.1k 0

TOLL及TO-247-4L封裝介紹

隨著科技的不斷發(fā)展，功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率，封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...

2023-10-13 標(biāo)簽：MOSFET散熱器驅(qū)動(dòng)電路 6.1k 0

對(duì)于STM32的I2C Layout走線多長(zhǎng)合適呢？

今天來(lái)討論一個(gè)I2C走線問(wèn)題，過(guò)程是通過(guò)用ST提供的IBIS模型，從SI的角度出發(fā)，做SI仿真來(lái)評(píng)估STM32的I2C信號(hào)和確定Layout走線到底能走多長(zhǎng)。

2023-09-27 標(biāo)簽：STM32I2C總線寄生電感 6.1k 0

PCB多層板疊層設(shè)計(jì)

PCB(Printed Circuit Board)，即印刷電路板，其按照導(dǎo)體層數(shù)分類，可以分為只有一面覆銅的單面板，兩面都有覆銅的雙面板，以及具有多個(gè)...

2023-07-08 標(biāo)簽：電容器PCB板IC設(shè)計(jì) 5.6k 0

MOSFET雪崩特性參數(shù)解析

EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。

2023-05-24 標(biāo)簽：MOSFETRCD寄生電感 5.5k 0

關(guān)于電源交叉調(diào)整率疑問(wèn)解答

當(dāng)選擇一個(gè)可從單電源產(chǎn)生多輸出的系統(tǒng)拓?fù)鋾r(shí)，反激式電源是一個(gè)明智的選擇。由于每個(gè)變壓器繞組上的電壓與該繞組中的匝數(shù)成比例，因此可以通過(guò)匝數(shù)來(lái)輕松設(shè)置每個(gè)...

2019-05-29 標(biāo)簽：寄生電感交叉調(diào)整率 5.4k 0

如何最小化SEPI 轉(zhuǎn)換器的排放？

為了創(chuàng)建一個(gè)輻射干擾盡可能低的優(yōu)化電路板布局，開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器的熱回路必須盡可能小—也就是說(shuō)，寄生電感越小越好。為了說(shuō)明快速開(kāi)關(guān)電流產(chǎn)生的影響，我們針對(duì)一...

2019-04-16 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器寄生電感 4.9k 0

PFC頻繁炸機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路原理分析

用FAN73711浮驅(qū)芯片，在起機(jī)時(shí)沒(méi)有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象，基本能夠正常工作，但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會(huì)發(fā)生炸機(jī)，比如在源跳變時(shí)會(huì)發(fā)生PFC炸機(jī)。

2024-04-15 標(biāo)簽：pcbMOS管驅(qū)動(dòng)電路 4.7k 0

如何實(shí)現(xiàn)高頻濾波 穿心電容濾波原理

由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對(duì)高頻信號(hào)呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對(duì)高頻信號(hào)的旁路作用；②導(dǎo)線之...

2023-09-07 標(biāo)簽：電容電磁干擾寄生電感 4.6k 0

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETVDMOSIGBT 4.6k 0

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。

2024-02-21 標(biāo)簽：MOS管寄生電容寄生電感 4.4k 0

PCB走線中需要注意的7個(gè)點(diǎn)

今天給大家分享的是：PCB走線中需要注意的7個(gè)點(diǎn)。 一、PCB 電源布線 數(shù)字電路很多時(shí)候需要的電流是不連續(xù)的，所以對(duì)一些高速器件就會(huì)產(chǎn)生浪涌電流。 如...

2023-06-19 標(biāo)簽：寄生電感PCB走線高速器件 4.3k 0