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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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TPS22924D 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開關(guān),3.6V 時(shí)具有 6200μs 的輸出放電和上升時(shí)間數(shù)據(jù)手冊
TPS22924D 是一個(gè)小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 ...
TPS22959 具有輸出放電的 5.5V、15A、4.4mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22959 是一個(gè)小的、超低的 R ~上~ 、單通道負(fù)載 開關(guān)與受控打開。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V...
TPS22925 具有輸出放電的 3.6V、3A、9.2mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22925 產(chǎn)品系列由四個(gè)器件組成:TPS22925B、TPS22925BN、TPS22925C、 和 TPS22925CN。每個(gè)器件都是一個(gè)具有...
TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22990 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成:TPS22990 和 TPS22990N。每個(gè)器件都是一個(gè) 3.9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān),具有受控和可調(diào)導(dǎo)通功能...
TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22976 產(chǎn)品系列由三個(gè)器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)...
TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 138 0
TPS22917 5.5V、2A、80mΩ、10nA 漏負(fù)載開關(guān)可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22917x 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電...
TPS22810-Q1 汽車類 1 通道、18V、2A、79mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22810-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和集成的快速輸出放電 (QOD)。該器件具有熱關(guān)斷功能,可保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響,從...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 142 0
TPS272C45 具有可調(diào)電流限制的 36V、45mΩ、3A、2 通道、工業(yè)高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS272C45 是一款雙通道智能高邊開關(guān),旨在滿足工業(yè)控制系統(tǒng)的要求。低導(dǎo)通電阻 (R DS(on) 為 45 mΩ)可最大限度地降低器件功耗,從而...
TPS7H2221-SEP 耐輻射 1.6V 至 5.5V 輸入 1.25A 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS7H2221-SEP 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V ...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 104 0
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路,不僅能以一體化封裝實(shí)...
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD...
CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊
這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:csd18...
CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:C...
CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD185...
CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18...
CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3mm × 3....
CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...
CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術(shù)手冊
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3 ...
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