一文讀懂：白光干涉儀vs共聚焦顯微鏡的優(yōu)劣勢差異

在半導(dǎo)體、鋰電、光伏、航空航天等高端制造領(lǐng)域，高精度光學(xué)測量技術(shù)是把控產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)化生產(chǎn)工藝的核心支撐，直接關(guān)系到產(chǎn)業(yè)升級與技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)程。白光干涉儀與共...

2025-09-11 標(biāo)簽：測量顯微鏡干涉儀 264 0

案例分享 | 基于Sagnac-ppln的寬光譜偏振糾纏光子源

在之前的文章《案例分享|聚焦PPLN:1.48GHz通信波段糾纏光子源的技術(shù)創(chuàng)新與商業(yè)價(jià)值》，我們分享了英國Covesion公司展示的基于MgO:PPL...

2025-08-12 標(biāo)簽：量子干涉儀通信波段 440 0

白光掃描干涉法在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝混合鍵合表面測量中的應(yīng)用研究

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷縮小，三維（3D）封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。銅-介質(zhì)混合鍵合（HybridBonding）通過直接連接銅互連與介電...

2025-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測量干涉儀 368 0

PPLN應(yīng)用于惡劣環(huán)境中的波長轉(zhuǎn)換

在我們上一篇文章中《應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應(yīng)用》，我們分享了昊量光電提供的英國CovesionMgO：PPLN波導(dǎo)組件...

2025-06-11 標(biāo)簽：干涉儀PPLN 387 0

優(yōu)可測白光干涉儀AM系列：量化管控納米級粗糙度，位移傳感器關(guān)鍵零件壽命提升50%

位移傳感器模組的編碼盤，其粗糙度及碼道的刻蝕深度和寬度，會對性能帶來關(guān)鍵性影響。優(yōu)可測白光干涉儀精確測量表面粗糙度以及刻蝕形貌尺寸，精度最高可達(dá)亞納米級...

2025-05-21 標(biāo)簽：傳感器編碼器干涉儀 672 0

應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應(yīng)用

基于MgO:PPLN波導(dǎo)的1560nm至780nm高效倍頻技術(shù)，冷原子干涉技術(shù)通過銣原子冷卻與物質(zhì)波干涉，實(shí)現(xiàn)了對于重力加速度的精密測量。憑借由昊量光電...

2025-05-21 標(biāo)簽：測量干涉儀PPLN 443 0

光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測量法

簡單介紹光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測量法。 現(xiàn)在一般光纖端面3D干涉儀操作界面上，都有白光和單色光(比如紅光或其他顏色)的兩個選項(xiàng)。 ? 白光干...

2024-12-18 標(biāo)簽：3D測量干涉儀 1.4k 0

基于干涉儀原理的光學(xué)相干層析成像技術(shù)

光學(xué)相干層析技術(shù)它利用弱相干光干涉儀的基本原理，檢測生物組織不同深度層面對入射弱相干光的背向反射或幾次散射信號，通過掃描，可得到生物組織二維或三維結(jié)構(gòu)圖像。

2024-01-22 標(biāo)簽：圖像處理發(fā)光二極管核磁共振 1.6k 0

光波干涉的原理是什么？光波干涉的應(yīng)用有哪些？

介紹了光波干涉的原理是什么，以及該原理可以應(yīng)用于什么領(lǐng)域。

2024-01-07 標(biāo)簽：光波干涉儀光學(xué)元件 3.4k 0

光學(xué)表面粗糙度，這些知識你都了解嗎？

微缺陷是可以在光學(xué)光滑表面上發(fā)現(xiàn)的凹坑和劃痕。它們通常使用光學(xué)輪廓儀、顯微鏡或顯微圖像比較儀進(jìn)行量化。ISO 10110-8表示，“微缺陷的數(shù)量N被認(rèn)為...

2023-09-19 標(biāo)簽：紅外光譜干涉儀激光系統(tǒng) 1.3萬 0

電壓放大器：相位調(diào)制零差干涉儀性能評價(jià)實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵驅(qū)動力

實(shí)驗(yàn)名稱： 相位調(diào)制零差干涉儀性能評價(jià)及實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?測試相位調(diào)制零差干涉儀在測量鏡靜止時(shí)，由環(huán)境參數(shù)變化引起測量干涉儀與參考干涉儀之間干涉信號的相...

2025-09-22 標(biāo)簽：電壓放大器干涉儀 191 0

1um 以下的光刻深度，凹槽深度和寬度測量

一、引言 在半導(dǎo)體制造、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等高新技術(shù)領(lǐng)域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和寬度的精確測量至關(guān)重要。這類微小尺寸的測量精度直接影響產(chǎn)品...

2025-08-11 標(biāo)簽：光刻干涉儀白光干涉 371 0

通縮壓力下的 “逆行者”：新啟航如何用國產(chǎn) 3D 白光干涉儀破解半導(dǎo)體行業(yè)降本困局？

一、引言 全球半導(dǎo)體行業(yè)正面臨通縮壓力，市場需求增速放緩與制造成本上升的雙重?cái)D壓，使降本增效成為企業(yè)生存的核心命題。3D 白光干涉儀作為半導(dǎo)體晶圓、精密...

2025-07-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體干涉儀 344 0

?武漢昊衡科技OLI系列白光干涉儀——賦能CPO時(shí)代光互聯(lián)高可靠檢測?

在高速光通信向CPO（共封裝光學(xué)）技術(shù)躍遷的進(jìn)程中，光模塊與器件內(nèi)部光纖鏈路的微米級缺陷已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心痛點(diǎn)。傳統(tǒng)檢測手段受限于靈敏度不足、效...

2025-07-04 標(biāo)簽：檢測干涉儀昊衡科技 1.3k 0

硅片的 TTV，Bow, Warp,TIR 等參數(shù)定義

引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，硅片作為核心基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量參數(shù)對芯片性能和生產(chǎn)良率有著重要影響。TTV、Bow、Warp、TIR 等參數(shù)是衡量硅片質(zhì)量與特性的...

2025-07-01 標(biāo)簽：硅片干涉儀 2.1k 0

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...

2025-06-30 標(biāo)簽：光刻干涉儀 385 0

針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹...

2025-06-25 標(biāo)簽：晶圓干涉儀 516 0

光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠的圖案化和剝離是形成精確圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟，而光刻圖形的準(zhǔn)確測量則是確保工藝質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本文將詳細(xì)介紹光刻膠...

2025-06-20 標(biāo)簽：干涉儀光刻膠 444 0

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成...

2025-06-17 標(biāo)簽：光刻NMF干涉儀 470 0

減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文...

2025-06-14 標(biāo)簽：干涉儀光刻膠 515 0