PPLN應用于惡劣環(huán)境中的波長轉換

在我們上一篇文章中《應用探究|PPLN波導賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應用》，我們分享了昊量光電提供的英國CovesionMgO：PPLN波導組件...

2025-06-11 標簽：干涉儀PPLN 212 0

優(yōu)可測白光干涉儀AM系列：量化管控納米級粗糙度，位移傳感器關鍵零件壽命提升50%

位移傳感器模組的編碼盤，其粗糙度及碼道的刻蝕深度和寬度，會對性能帶來關鍵性影響。優(yōu)可測白光干涉儀精確測量表面粗糙度以及刻蝕形貌尺寸，精度最高可達亞納米級...

2025-05-21 標簽：傳感器編碼器干涉儀 425 0

應用探究|PPLN波導賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應用

基于MgO:PPLN波導的1560nm至780nm高效倍頻技術，冷原子干涉技術通過銣原子冷卻與物質波干涉，實現(xiàn)了對于重力加速度的精密測量。憑借由昊量光電...

2025-05-21 標簽：測量干涉儀PPLN 229 0

光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測量法

簡單介紹光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測量法。 現(xiàn)在一般光纖端面3D干涉儀操作界面上，都有白光和單色光(比如紅光或其他顏色)的兩個選項。 ? 白光干...

2024-12-18 標簽：3D測量干涉儀 967 0

基于干涉儀原理的光學相干層析成像技術

光學相干層析技術它利用弱相干光干涉儀的基本原理，檢測生物組織不同深度層面對入射弱相干光的背向反射或幾次散射信號，通過掃描，可得到生物組織二維或三維結構圖像。

2024-01-22 標簽：圖像處理發(fā)光二極管核磁共振 1263 0

光波干涉的原理是什么？光波干涉的應用有哪些？

介紹了光波干涉的原理是什么，以及該原理可以應用于什么領域。

2024-01-07 標簽：光波干涉儀光學元件 3074 0

光學表面粗糙度，這些知識你都了解嗎？

微缺陷是可以在光學光滑表面上發(fā)現(xiàn)的凹坑和劃痕。它們通常使用光學輪廓儀、顯微鏡或顯微圖像比較儀進行量化。ISO 10110-8表示，“微缺陷的數(shù)量N被認為...

2023-09-19 標簽：紅外光譜干涉儀激光系統(tǒng) 1.2萬 0

雷達干涉測量原理與應用知識點

散射體在分辨單元內的運動到下一個會導致隨機不同的相干背向散射從一幅圖像到另一幅圖像的相位，即“時間”去相關。

2023-09-07 標簽：激光器微波雷達 1817 0

什么是雙多基地雷達技術

雷達網(wǎng)中三部測距單基地雷達組網(wǎng)有時被稱為三邊測量雷達。三邊測量的概念也用在多基地雷達中，它借助到達時間差（TDOA）或差分多普勒技術來測量目標位置。

2023-08-05 標簽：接收機雷達干涉儀 2222 0

通縮壓力下的 “逆行者”：新啟航如何用國產 3D 白光干涉儀破解半導體行業(yè)降本困局？

一、引言 全球半導體行業(yè)正面臨通縮壓力，市場需求增速放緩與制造成本上升的雙重擠壓，使降本增效成為企業(yè)生存的核心命題。3D 白光干涉儀作為半導體晶圓、精密...

2025-07-16 標簽：半導體干涉儀 106 0

?武漢昊衡科技OLI系列白光干涉儀——賦能CPO時代光互聯(lián)高可靠檢測?

在高速光通信向CPO（共封裝光學）技術躍遷的進程中，光模塊與器件內部光纖鏈路的微米級缺陷已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心痛點。傳統(tǒng)檢測手段受限于靈敏度不足、效...

2025-07-04 標簽：檢測干涉儀昊衡科技 894 0

硅片的 TTV，Bow, Warp,TIR 等參數(shù)定義

引言 在半導體制造領域，硅片作為核心基礎材料，其質量參數(shù)對芯片性能和生產良率有著重要影響。TTV、Bow、Warp、TIR 等參數(shù)是衡量硅片質量與特性的...

2025-07-01 標簽：硅片干涉儀 389 0

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...

2025-06-30 標簽：光刻干涉儀 122 0

針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹...

2025-06-25 標簽：晶圓干涉儀 214 0

光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠的圖案化和剝離是形成精確圖形結構的關鍵步驟，而光刻圖形的準確測量則是確保工藝質量的重要環(huán)節(jié)。本文將詳細介紹光刻膠...

2025-06-20 標簽：干涉儀光刻膠 189 0

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成...

2025-06-17 標簽：光刻NMF干涉儀 242 0

減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文...

2025-06-14 標簽：干涉儀光刻膠 300 0

可再生光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導體制造與微納加工行業(yè)，光刻膠剝離液的使用量龐大。傳統(tǒng)剝離液存在環(huán)境污染、資源消耗等問題，可再生光刻膠剝離液憑借環(huán)保與可持續(xù)優(yōu)勢成為研究熱點。...

2025-06-05 標簽：干涉儀光刻膠 202 0

Micro OLED 陽極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術，在微型顯示領域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準測量...

2025-05-23 標簽：光刻測量干涉儀 140 0