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標(biāo)簽 > 接觸電阻
對(duì)導(dǎo)體間呈現(xiàn)的電阻稱為接觸電阻。 一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對(duì)接觸電阻的變化很敏感。 應(yīng)該指出, 開關(guān)的接觸電阻是開關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。
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在太陽(yáng)能電池的性能中,接觸電阻的大小取決于電極的材料和形狀,以及摻雜層的厚度、濃度和分布等因素,然而在這些因素影響到接觸電阻后,是沒有辦法準(zhǔn)確的自我表征...
2023-12-20 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池測(cè)試儀接觸電阻 1.3k 0
通過力學(xué)原理可以知道高的溫度應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致接觸件發(fā)生塑性變形,從而使得接觸壓力減少,另外多次插拔使用,也是接觸件接觸壓力減少的原因之一。
“電機(jī)熱管理系統(tǒng)”目的:優(yōu)化電機(jī)冷卻技術(shù)的選擇和開發(fā),以最大限度地提升的電機(jī)指標(biāo)(重量、體積、成本、效率)。
2023-07-18 標(biāo)簽:接觸電阻熱管理狀態(tài)機(jī) 1.2k 0
電子連接器在應(yīng)用各種電氣線路中,起著連接或斷開電路的作用。由于連接器的種類繁多,應(yīng)用范圍廣泛,因此,正確選擇連接器也是保證連接器可靠性的一個(gè)重要方面。那...
接觸電阻與傳輸線法TLM技術(shù)深度解密:從理論到實(shí)操,快速掌握精準(zhǔn)測(cè)量核心
Flexfilm專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破,致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技術(shù)...
一文詳解汽車線束系統(tǒng)性能設(shè)計(jì)方案
一般的接觸對(duì),體積電阻與接觸件之間界面的接觸電阻相比很小,而且數(shù)值基本無(wú)變化,因此通常所說的接觸電阻是,指界面處的接觸電阻,其數(shù)值受接觸件幾何結(jié)構(gòu)、...
液態(tài)金屬接觸電阻精確測(cè)量:傳輸線法(TLM)的新探索
液態(tài)金屬(如galinstan)因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性,在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而,其與金屬電極間的接觸電阻(Rc)測(cè)量存在挑戰(zhàn):傳統(tǒng)傳輸線...
TOPCon電池鋁觸點(diǎn)工藝:接觸電阻率優(yōu)化實(shí)現(xiàn)23.7%效率
隨著TOPCon太陽(yáng)能電池市占率突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn),通過材料配方革新與工...
2025-06-18 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池接觸電阻電池 615 0
傳輸線法(TLM)優(yōu)化接觸電阻:實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化
本文通過傳輸線方法(TLM)研究了不同電極材料(Ti、Al、Ag)對(duì)非晶Si-Zn-Sn-O(a-SZTO)薄膜晶體管(TFT)電氣性能的影響,通過TL...
基于單材料錫磷化合物邏輯結(jié)的氣體傳感器檢測(cè)氮氧化物介紹
二維(2D)材料因其高表面體積比,以及通過摻雜和功能化調(diào)節(jié)電子特性的出色能力,被證明是基于半導(dǎo)體的氣體傳感器非常有前景的候選材料。
汽車線束系統(tǒng)性能設(shè)計(jì)詳細(xì)解析
一般的接觸對(duì),體積電阻與接觸件之間界面的接觸電阻相比很小,而且數(shù)值基本無(wú)變化,因此通常所說的接觸電阻是指界面處的接觸電阻,其數(shù)值受接觸件幾何結(jié)構(gòu)、材料特...
基于厚度梯度設(shè)計(jì)的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破
隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固...
2025-06-23 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶硅接觸電阻 518 0
21.14%效率突破!MoO?基BC電池的接觸電阻與漏電協(xié)同優(yōu)化
硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池憑借其優(yōu)異的鈍化性能和載流子選擇性接觸,已實(shí)現(xiàn)單結(jié)最高效率(26.81%)。然而,傳統(tǒng)背接觸(IBC)結(jié)構(gòu)因復(fù)雜的背面圖案化...
M12連接器如何做到低接觸電阻?4大核心保障技術(shù)全解析
M12連接器對(duì)于M12連接器,接觸電阻超標(biāo)會(huì)導(dǎo)致電壓驟降引發(fā)設(shè)備異常,局部過熱加速氧化,信號(hào)失真,電力中斷風(fēng)險(xiǎn)驟增,電弧放電的安全隱患概率激增等。那么M...
面向硅基產(chǎn)線:二維半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化
隨著硅基集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代,二維過渡金屬硫化物(TMDCs,如MoS?、WS?)憑借原子級(jí)厚度、優(yōu)異的開關(guān)特性和無(wú)懸掛鍵界面,成為下一代晶體管溝道材...
四探針法精準(zhǔn)表征電阻率與接觸電阻 | 實(shí)現(xiàn)Mo/NbN低溫超導(dǎo)薄膜電阻器
低溫薄膜電阻器作為超導(dǎo)集成電路的核心元件,其核心挑戰(zhàn)在于實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)材料NbN與金屬電阻層Mo間的低接觸電阻(R?)。本文使用四探針法研究鉬(Mo)為電阻材...
半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證
二維半導(dǎo)體因其原子級(jí)厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì),成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而,金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體(如MoS?、...
基于傳輸線法TLM與隔離層優(yōu)化的4H-SiC特定接觸電阻SCR精準(zhǔn)表征
4H-碳化硅(4H-SiC)因其寬禁帶(3.26eV)、高熱導(dǎo)率(4.9W·cm?1·K?1)和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)(2.5MV·cm?1),成為高溫、高功率電子...
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