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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

提高調(diào)制速度的腔內(nèi)金屬孔徑的VCSEL介紹

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最右面的圖為16通道的VCSEL陣列照片,芯片尺寸為0.16mm2,相鄰?fù)ǖ篱g距離為40um,每個(gè)區(qū)域數(shù)據(jù)速率密度為2,5Tbps/mm2

2023-05-29 標(biāo)簽:晶圓VCSEL光耦合 2668 0

基于PVD 薄膜沉積工藝

PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發(fā)靶材材料來產(chǎn)生金屬蒸汽,然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應(yīng)用材料公司在 PVD 技術(shù)開發(fā)方面擁有 25 年以上的豐...

2023-05-26 標(biāo)簽:晶圓邏輯器件PVD 4598 0

LTCC/HTCC基板在晶圓測(cè)試探針卡中的應(yīng)用

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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上,主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測(cè)試,就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè),以檢測(cè)...

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓LTCC 1816 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)為可與 應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽:晶圓邏輯器件CVD 9720 0

AI助力設(shè)計(jì)工藝遷移,破解“缺芯”難題

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造成芯片短缺的原因十分復(fù)雜,其中之一在于制造產(chǎn)能的缺口不均。傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)的制造產(chǎn)能明顯不足,但12nm、16nm等工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能卻仍有富余,因此前者受到...

2023-05-25 標(biāo)簽:芯片晶圓AI 1227 0

3nm及以下的5D提取需求

3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是,與平面晶體管相比,從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會(huì)產(chǎn)生許多電容值,必須...

2023-05-25 標(biāo)簽:電容晶圓FinFET 652 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

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微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí),金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而,...

2023-05-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1750 0

大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光切割整套解決方案

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改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個(gè)芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層,使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標(biāo)簽:晶圓SiC激光切割 2269 0

IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡(jiǎn)介

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對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),這些性能能夠發(fā)揮出來多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...

2023-05-25 標(biāo)簽:英飛凌晶圓逆變器 1960 0

芯片制造和測(cè)試數(shù)據(jù)分析在半導(dǎo)體行業(yè)的重要性

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芯片制造和測(cè)試過程產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量是巨大的,壓倒性的,以至于變得毫無用處,除非有一種有效的方法來收集和分析它。與其他數(shù)據(jù)密集型流程一樣,需要適當(dāng)?shù)拇髷?shù)據(jù)分析...

2023-05-24 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 3234 0

抓出半導(dǎo)體工藝中的魔鬼-晶圓表面金屬污染分析

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早先對(duì)于晶圓表面金屬的濃度檢測(cè)需求為1010atoms/cm2,隨著工藝演進(jìn),偵測(cè)極限已降至108 atoms/cm2,可以滿足此分析需求的技術(shù)以全反射...

2023-05-24 標(biāo)簽:晶圓反應(yīng)器半導(dǎo)體工藝 4598 0

一片晶圓可以產(chǎn)出多少芯片?

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芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程,在空白的硅片完成電路加工,出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測(cè)試過程,在...

2023-05-23 標(biāo)簽:芯片晶圓封裝 6725 0

倒裝芯片,挑戰(zhàn)越來越大

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正在開發(fā)新的凸點(diǎn)(bump)結(jié)構(gòu)以在倒裝芯片封裝中實(shí)現(xiàn)更高的互連密度,但它們復(fù)雜、昂貴且越來越難以制造。

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓封裝內(nèi)存 1134 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

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隨著晶圓代工制程不斷縮小,摩爾定律逼近極限,先進(jìn)封裝是后摩爾時(shí)代的必然選擇。其中,利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn),采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓SiP封裝 5221 0

如何確認(rèn)硅晶材料與硅晶片的檢測(cè)純度?

晶圓,是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片,是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓硅芯片 1815 0

一文讀懂讀透 半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

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刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代,要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從25%提至50%。

2023-05-22 標(biāo)簽:晶圓光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 4277 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介

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經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨(Back Grinding)開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序,其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-22 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 2177 0

離子注入工藝之退火處理

離子注入工藝之退火處理

高溫爐廣泛用于進(jìn)行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個(gè)批量過程,在850攝氏度至1000攝氏度情況下,通常約30min能處理100片晶圓。

2023-05-22 標(biāo)簽:晶圓RTP 6137 0

利用碳化硅簡(jiǎn)化全球設(shè)備設(shè)計(jì)

通過利用單一外形尺寸和電源拓?fù)?,ATDI的電源簡(jiǎn)化了將電源集成到過程和測(cè)試設(shè)備中的客戶的設(shè)計(jì)和認(rèn)證過程。這也減輕了晶圓廠/裝配終端客戶的負(fù)擔(dān),因?yàn)榧词顾?..

2023-05-20 標(biāo)簽:電源MOSFET晶圓 726 0

半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的探針卡制作及應(yīng)用

半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的探針卡制作及應(yīng)用

精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導(dǎo)熱性、高附著強(qiáng)度和大的載流能力。使用溫度范圍寬,可以達(dá)到-55℃~850℃,熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測(cè)試環(huán)境...

2023-05-19 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體測(cè)試探針卡 5948 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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