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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

半導(dǎo)體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應(yīng)用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物，CMP后的...

2022-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 CMP 5.9k 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 刻蝕 2.5k 0

半導(dǎo)體晶圓的雙流體清洗技術(shù)

一直以來，對于粒子的洗滌效果，以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)為指標(biāo)進行討論。通過使用由顆粒測量儀器測量的晶片...

2022-04-13 標(biāo)簽：晶圓清洗 3.3k 0

應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)

直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現(xiàn)3DIC對下一代器件的優(yōu)勢，TSV縮放至關(guān)重要。

2022-04-12 標(biāo)簽：晶圓清洗 TSV 1.8k 0

用于單晶片清洗的超臨界流體

使用超臨界流體去除污染物的過程，即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質(zhì)。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度，使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜，并...

2022-04-12 標(biāo)簽：晶圓工藝清洗 1.6k 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.6k 0

半導(dǎo)體晶圓清洗工藝技術(shù)

溶液中含有大量稀釋的鹽酸去離子水。清洗槽其下部的megaSonic發(fā)生器，用于選擇性應(yīng)用megaSonic能量。油箱里有快速卸油閥底部使解決方案能夠被...

2022-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 1.2k 0

微機械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標(biāo)簽：晶圓單晶硅刻蝕 1.7k 0

微機械結(jié)構(gòu)硅片的機械減薄研究

本文提出了一種用于實現(xiàn)貫穿芯片互連的包含溝槽和空腔的微機械晶片的減薄方法。通過研磨和拋光成功地使晶圓變薄，直至達到之前通過深度反應(yīng)離子蝕刻蝕刻的空腔。研...

2022-03-29 標(biāo)簽：集成電路 mems 晶圓 996 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應(yīng)用研究

隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標(biāo)簽：晶圓檢測晶片 1.5k 0

MXene光電探測器的探測度

中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心與國內(nèi)多家單位科研團隊合作，通過設(shè)計MXene材料的離心、旋涂、光刻和蝕刻工藝，提出了具有微米級分辨率的晶圓...

2022-03-24 標(biāo)簽：探測器晶圓 2.9k 0

芯片制造的6個關(guān)鍵步驟

盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來，生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過程十分復(fù)雜，今天我們將會介紹六個最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離...

2022-03-23 標(biāo)簽：芯片晶圓 8.7k 0

一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生...

2022-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2k 0

濕清洗后晶圓旋轉(zhuǎn)速度對金屬線的影響

在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術(shù)去除污染...

2022-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造 1.4k 0

當(dāng)前工業(yè)機器人的關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用

我國工業(yè)機器人的市場主要集中在汽車、汽車零部件、摩托車、電器、工程機械、石油化工等行業(yè)。中國作為亞洲第三大的工業(yè)機器人需求國，市場發(fā)展穩(wěn)定，汽車及其零部...

2022-03-15 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)晶圓工業(yè)機器人 4.9k 0

濕化學(xué)清洗過程中晶片污染控制方法

本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時間質(zhì)譜儀對晶圓清洗溶液進行全自動在線監(jiān)測。該分析儀通過其在正負模式下提供強(元素)和弱...

2022-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分析儀晶圓 1.8k 0

兆聲波輔助濕法化學(xué)處理去除

由TOK、JSR、陶氏化學(xué)等公司生產(chǎn)的新一代負色調(diào)和化學(xué)放大的正色調(diào)光阻劑在先進的包裝應(yīng)用中獲得了發(fā)展勢頭。隨著銅柱和微凸起的采用，樹脂的厚度要求正在增...

2022-03-08 標(biāo)簽：晶圓工藝熱量 1.6k 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 2.5k 0

使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離摘要本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和...

2022-01-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓化學(xué) 3.2k 0

關(guān)于薄膜金剛石的化學(xué)機械拋光的研究報告

摘要納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa)，以及在低溫下生長的能力(450C)，這推動了NCD薄膜生長和應(yīng)用的復(fù)興。...

2022-01-25 標(biāo)簽：機械晶圓化學(xué) 2.5k 0

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領(lǐng)域。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。
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東軟集團是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。

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