?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕,用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定
2022-05-11 14:31:36
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接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕刻以
2022-05-11 14:49:58
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干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程,通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分,通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控,可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換,從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:56
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磁電阻線性位置測量電路提供非接觸式AMR(各向異性磁阻)線性位置測量解決方案。該電路非常適用于高速,精確,非接觸長度和位置測量至關(guān)重要的應(yīng)用
2019-11-05 08:50:35
是光手性的本征態(tài)。因此,近場光手性密度與圓偏振密切相關(guān)。在幾何光學(xué)中,四分之一波板將線偏振轉(zhuǎn)換為圓偏振是眾所周知的。它們是由雙折射材料制成的,例如各向異性材料。波片的厚度是尋常(x-)偏振和非尋常(z-
2025-02-21 08:49:40
LCD的組成有具有折射率各向異性的液晶并夾在兩個偏振器之間,來控制顏色和亮度。偏振分析使分析觀測角度光特性的關(guān)鍵??紤]到液晶分子的光學(xué)各向異性,TechWiz Polar可根據(jù)偏振器和補償膜精確地分析光的偏振狀態(tài)。
2025-02-14 09:41:38
1.摘要
雙折射效應(yīng)是各向異性材料最重要的光學(xué)特性,并廣泛應(yīng)用于多種光學(xué)器件。當入射光波撞擊各向異性材料,會以不同的偏振態(tài)分束到不同路徑,即眾所周知的尋常光束和異常光束。在本示例中,描述了如何利用
2025-04-29 08:51:11
中的可撓式電子產(chǎn)品成為事實。海鄭實業(yè)強烈推出各向異性導(dǎo)電膠異方性導(dǎo)電膠(***冠品ACA:Anisotropic Conductive Adhesive)兼具單向?qū)щ娂澳z合固定的功能,各向異性導(dǎo)電膠異
2009-07-04 17:22:48
什么是MEMS?MEMS = Micro-Electro-Mechanical System, 是用半導(dǎo)體技術(shù),在半導(dǎo)體材料上刻蝕出來的微機械結(jié)構(gòu)。下圖左邊是MEMS制程做出的微機械齒輪與螨蟲的大小對比,右邊是一個200um的微機械風(fēng)扇葉片放大圖。
2019-09-12 09:05:05
真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng),同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面
2018-09-03 09:31:49
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
有誰知道我可以在EMPRO中實現(xiàn)完全各向異性的方式?我想模擬一個完全復(fù)雜的3x3介電常數(shù)矩陣和一個完全復(fù)雜的3x3磁導(dǎo)率矩陣(即張量)。有沒有辦法在任何EMPRO模擬器中以這種方式定義材料? 以上
2018-11-19 11:01:54
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
好奇OMP400與OMP600的測頭為什么具有各向同性呢?依然是在三個位置布置應(yīng)變片,應(yīng)該在觸發(fā)力上具有各向異性的,為什么能夠?qū)崿F(xiàn)各向同性呢?奇怪
2024-06-01 17:02:35
證明一種高階各向異性擴散與小波收縮的等價性,并根據(jù)等價性利用高階各向異性擴散與小波收縮的優(yōu)勢,提出高階各向異性擴散小波收縮降噪算法。該算法在低頻部分采用經(jīng)典的
2009-03-20 17:03:33
13 各向異性擴散平滑去噪的主要特點是擴散方向的選擇性與定向擴散能力,有效表征信號或圖像的局部結(jié)構(gòu)特征是各向異性擴散的基礎(chǔ),傳統(tǒng)的梯度表示方法極易受到噪聲干擾。該文
2009-04-23 09:56:32
21 從靜磁表面波MSSW各向異性理論模擬出發(fā),提出了通過調(diào)節(jié)磁場方向來實現(xiàn)對MSSW濾波器帶寬調(diào)制的方法,并由實驗得到驗證:即在微帶換能器寬度一定時,可以增加(或減小)磁場與
2009-05-12 21:42:21
31 本文討論了石英微機械陀螺的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,敘述了用于石英加工的化學(xué)各向異性刻蝕機理,給出了石英音叉?zhèn)鞲衅鞯募庸し椒ǎ峁┝宋覀冄兄频氖?b class="flag-6" style="color: red">微機械陀螺的試驗結(jié)
2009-06-23 09:05:39
20 根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點,以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素,溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子,建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:24
19 基于改進的各向異性擴散的圖像恢復(fù):擴散加權(quán)圖像中廣泛存在的高斯白噪聲會給張量計算和腦白質(zhì)追蹤等帶來嚴重的影響為了減少噪聲影響, 嘗試采用改進的各向異性擴散濾波器來
2009-10-26 11:29:46
21 單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)中的導(dǎo)模特性:推導(dǎo)了介電常數(shù)張量和磁導(dǎo)率張量中各分量帶有不同符號的單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)的導(dǎo)行條件。根據(jù)分量符號的正負組合,分情
2009-10-26 17:00:22
20 環(huán)境對各向異性導(dǎo)電膠膜性能參數(shù)的影響張軍,賈宏,陳旭(鄭州大學(xué)化工學(xué)院,鄭州 450002)摘要:各向異性導(dǎo)電膠膜(ACF)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg 是它的一個重要性能參數(shù),用
2009-12-14 11:42:11
43 各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)( HTS)微帶天線
分析了各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)微帶天線特性。選取兩種典型的高溫超導(dǎo)各向異性介質(zhì)———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作為高溫超
2010-02-22 16:50:57
12 一種改進的各向異性高斯濾波算法摘 要:為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:51
19 在各向同性介質(zhì)中,折射率與入射光的偏振態(tài)無關(guān),而在各向異性介質(zhì)中,不同偏振態(tài)的平面波將以不同的速度和方向傳播而出現(xiàn)分支,這種現(xiàn)象稱作雙.折.射.。各向異性
2010-09-13 15:53:58
0 一、設(shè)備概述高溫磷酸刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造中用于各向異性刻蝕的關(guān)鍵設(shè)備,通過高溫磷酸溶液與半導(dǎo)體材料(如硅片、氮化硅膜)的化學(xué)反應(yīng),實現(xiàn)精準的材料去除。其核心優(yōu)勢在于納米級刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32
1341 詳細介紹了各向異性磁阻傳感器的物理機理,并以HMC1002為例說明其測量原理、芯片以及電路的主要特點,給出了弱磁測量的結(jié)果與分析。將hmc1001、hmc1002與傾角傳感器相結(jié)合,可用于姿
2011-09-06 14:31:44
101 提出了一種用各向異性雙變量拉普拉斯函數(shù)模型去模擬NSCT域的系數(shù)的圖像去噪算法,這種各向異性雙邊拉普拉斯模型不僅考慮了NSCT系數(shù)相鄰尺度間的父子關(guān)系,同時滿足自然圖像不同
2012-10-16 16:06:03
21 的影響也反映了進去。 計算結(jié)果與實驗結(jié)果進行了對比, 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。 微電子機械系統(tǒng)(M EM S) 的發(fā)展令人矚目, 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M
2017-11-07 19:48:14
25 均值濾波預(yù)處理;其次,通過在彩色圖像中引入權(quán)重的思想,構(gòu)建具有4鄰域形式的深度圖像模型,利用彩色圖像引導(dǎo)的深度圖像進行各向異性擴散,填補孔洞;最后,使用改進的自適應(yīng)中值濾波平滑圖像噪聲。實驗結(jié)果表明,該方法能
2017-11-25 11:08:46
9 由于受數(shù)據(jù)采集時間、照射劑量、成像系統(tǒng)掃描的幾何位置等因素的約束,計算機斷層成像(CT)技術(shù)目前只能在有限角度范圍或在較少的投影角度得到數(shù)據(jù),這些都屬于不完全角度重建問題。圖像重建問題中的總變分
2017-12-12 19:08:41
3 摘要: 針對感應(yīng)線圈式車輛檢測器的不足,設(shè)計了一種基于各向異性磁阻傳感器(AMR)的非接觸式智能車輛監(jiān)測裝置,能監(jiān)測車輛的到達時間、類型、方向和車速等基本信息。系統(tǒng)主要由采集系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)兩個獨立
2018-01-20 03:05:38
1577 各向異性又叫非均質(zhì)性,是指物體的物理、化學(xué)等性質(zhì)隨著測定方向而異的特性H1。硅在某些腐蝕溶液中,不同晶向的腐蝕速率不盡相同,這就是硅各向異性腐蝕的特點。硅各向異性腐蝕技術(shù)是微電子機械
2018-02-07 16:27:41
1 在圖像去噪過程中,為保持圖像邊緣并去除噪聲,提出一種結(jié)合片相似性各向異性擴散( AD)和沖擊濾波器的圖像去噪和增強模型。采用片相似性AD模型去除圖像中的噪聲,引入沖擊濾波器增強圖像的重要結(jié)構(gòu)特征
2018-02-24 15:37:48
0 反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng),同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。
2018-05-16 09:38:35
43910 在此次發(fā)表的論文中,在實空間中系統(tǒng)研究了天然層狀材料α相三氧化鉬中橢圓型和雙曲型兩種新型聲子極化激元的各向異性傳輸特性(如圖3)。α相三氧化鉬的晶格結(jié)構(gòu)具有獨特的面內(nèi)各向異性,其[001]晶向
2018-12-07 14:49:28
5493 為此,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所智能高分子材料團隊研究員陳濤和張佳瑋開展了一系列工作。通過構(gòu)筑非對稱性各向異性水凝膠及其復(fù)合體系,實現(xiàn)了仿生水凝膠驅(qū)動器的多功能化(如圖1)。
2018-12-31 11:26:00
7690 強磁場中心薛飛團隊于2019年提出并實現(xiàn)了一種針對納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實驗器件加工工藝,解決了第一個問題。對于第二個問題,此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品,對于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:07
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高保真度制造關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu),刻蝕工藝需要選擇性超高的定向(各向異性)技術(shù),同時還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。
2020-08-20 10:35:00
1628 )研發(fā)了一種摻硼的各向異性釤(Sm,F(xiàn)e0.8Co0.2)12薄膜,其中僅含有少量的稀土元素。該化合物具有1.2特斯拉矯頑力,足以用于汽車電機。該薄膜通過打造一種獨特的顆粒狀納米結(jié)構(gòu)得以實現(xiàn),其中釤12
2020-10-10 15:48:58
2496 各向異性刻蝕,可以嚴格控制縱向和橫向刻蝕。? 干法的各向異性刻蝕,可以用表面損傷和側(cè)壁鈍化兩種機制來解釋。表面損傷機制是指,與硅片平行的待刻蝕物質(zhì)的圖形底部,表面的原子鍵被破壞,擴散至此的自由基很容易與其發(fā)生反
2020-12-29 14:42:58
11752 
作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料,黑磷因其獨特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期,幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相繼報道。
2020-12-24 12:20:19
2255 低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù),我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21
1405 的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:02
1906 
。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當考慮到互補金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時,使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:40
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出現(xiàn)在一個曲線特征中,這表明它是第二大首選。明顯的結(jié)構(gòu)(密集),但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此,在考慮退火變換的情況下,需要在實際器件中設(shè)計形狀及其方向。
2022-02-09 16:45:43
1617 
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37
2047 
通過使用各向同性和各向異性工藝,可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快,但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形??梢愿_地控制各向異性蝕刻,并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:34
3460 
高度光滑表面光潔度的45個反射鏡。在這項工作中,我們使用了一種CMOS兼容的各向異性蝕刻劑,含有四甲基氫氧化銨(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非離子表面活性劑(NC-200),含有100%的聚氧
2022-03-14 10:51:42
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在半導(dǎo)體微器件的制造中,必須通過蝕刻各種材料,從表面移除整個層或?qū)⒖刮g劑圖案轉(zhuǎn)移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝:濕法和干法蝕刻,同時進一步分為各向同性和各向異性工藝(見下圖)。
2022-03-17 13:36:28
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由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā),溫度對(111)表面電流勢和電流時間結(jié)果的強烈影響支持了化學(xué)活化的重要性,在n型(111)電極上進行的光電流實驗表明,氧化物成核對無源層的生長具有重要意義,提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。
2022-03-22 15:36:40
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在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進行了一系列的實驗,測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00
966 
為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:34
4201 
,這些技術(shù)的總稱被使用為微機械。在本稿中,關(guān)于在微機械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù),在敘述其研究動向和加工例子的同時,還談到了未來微機械的發(fā)展方向。
2022-03-29 14:57:26
1732 
實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:27
3109 
為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:36
4132 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進,并且新的結(jié)果顯示,在5 μm
2022-05-11 15:46:19
1455 
我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:46
3260 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:31
6 濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中,各向同性 (Isotropic)濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸(HF)、硝酸( HNO3)和乙酸(CH3COOH)組成的混合物(也
2022-10-08 09:16:32
7442 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:18
19991 隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場,面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 14:29:59
2695 
其制造工藝流程如下:首先形成補償側(cè)墻 (Offset Spacer),經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后,選擇性地進行圖形化,在p型源漏區(qū)先進行干法刻蝕,使其凹陷適當?shù)纳疃?30~100nm);然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔(Diamond Cavity,又稱“∑”形狀)
2023-01-05 14:08:31
5005 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12
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實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用實驗?zāi)康?本實驗探究了應(yīng)力致磁各向異性的物理表現(xiàn)及其定量檢測應(yīng)力的特性,設(shè)計搭建了實驗系統(tǒng),制作了鐵磁性Q195鋼材平板試件,在
2022-09-23 09:22:49
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鎳鐵(NiFe)合金具有較強的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點,成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50
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各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù),旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而,概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01
2088 SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求,而其
2023-12-14 08:15:52
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各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向?qū)щ?,即垂直?dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的,可以是Ag顆粒,聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣,涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時
2024-01-05 09:01:41
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對DRIE刻蝕,是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于,兩個射頻源:將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59
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能和機械性能,且能夠適應(yīng)更高的工作溫度和濕度環(huán)境。本文將詳細介紹各向異性導(dǎo)電膠的工作原理和制備工藝步驟。 各向異性導(dǎo)電膠的工作原理是基于導(dǎo)電粒子的連接行為。導(dǎo)電粒子通常由金屬或碳微粒組成。當導(dǎo)電膠受到壓力或溫度的作用時,導(dǎo)電粒子會在膠層內(nèi)形成電子通路,從而實現(xiàn)
2024-01-24 11:11:56
4840 各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48
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。深圳市福英達的旗艦產(chǎn)品Fitech mLEDTM1370和Fitech mLEDTM1550系列8號粉超微錫膏能夠滿足封裝的需求。此外,各向異性導(dǎo)電膠對mini-LED封裝也有著優(yōu)異的效果,還可
2024-03-25 09:19:16
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刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁,是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直,底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài),它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。
2024-03-27 10:49:06
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刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用,或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。
2024-04-12 11:41:56
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磁阻角度傳感芯片 - AM100是一款基于各向異性磁電阻(AMR)技術(shù)的角度傳感器IC。它產(chǎn)生一個模擬輸出電壓,該電壓隨通過傳感器表面磁通量的方向而變化。
2024-12-02 15:50:22
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、過刻蝕、刻蝕速率、鉆蝕、選擇比、均勻性、深寬比以及各向同性/異性刻蝕。 ? ? 不完全刻蝕 不完全刻蝕是指在刻蝕過程中未能完全去除指定區(qū)域內(nèi)的材料,導(dǎo)致表面層還留在圖形孔中或表面上的情況。這種情況可能由多種因素引
2024-12-05 16:03:10
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無偏差的刻蝕過程,我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程,我們可以將其拆解為幾個基本環(huán)節(jié)。首先,第一個環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理,這些氣體在等離子體環(huán)境中會被分解成離子、自由基等具有刻蝕作用
2024-12-17 10:48:34
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芯片濕法刻蝕方法主要包括各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。為了讓大家更好了解這兩種方法,我們下面準備了詳細的介紹,大家可以一起來看看。 各向同性刻蝕 定義:各向同性刻蝕是指在所有方向上均勻進行的刻蝕,產(chǎn)生
2024-12-26 13:09:05
1685 本文研究了二維材料PdSe?與石墨烯組成的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的自旋動力學(xué)。PdSe?因其獨特的五邊形晶格結(jié)構(gòu),能夠誘導(dǎo)石墨烯中各向異性的自旋軌道耦合(SOC),從而在室溫下實現(xiàn)自旋壽命的十倍調(diào)制。研究
2025-02-17 11:08:38
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在碳化硅襯底厚度測量中,探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度,且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測量誤差根源,為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。
耦合影響機制分析
材料
2025-06-11 09:57:28
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各向異性導(dǎo)電膠(Anisotropic Conductive Adhesive, ACA)是一種特殊的導(dǎo)電膠,其導(dǎo)電性能具有方向性,即熱壓固化后在一個方向上(通常是垂直方向)具有良好的導(dǎo)電性,而在另一個方向(如水平方向)則表現(xiàn)為絕緣性。這種特性使得ACA在電子封裝、連接等領(lǐng)域具有獨特的應(yīng)用價值。
2025-06-11 13:26:03
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大連義邦定向力感知壓感油墨Nanopaint,通過絲網(wǎng)印刷工藝可以實現(xiàn)高精度各向異性壓阻傳感,為智能系統(tǒng)裝上“觸覺神經(jīng)”。
2025-08-04 13:37:16
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)。例如,緩沖氧化物刻蝕液(BOE)通過添加NH?F穩(wěn)定反應(yīng)速率。復(fù)合酸體系(如HNO?+HF+HAc)可實現(xiàn)各向異性刻蝕,適用于形成特定角度的溝槽結(jié)構(gòu)。?濃度控制濃度
2025-08-04 14:59:28
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濕法刻蝕通常是各向同性的(即沿所有方向均勻腐蝕),但在某些特定條件下也會表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機制分析:晶體結(jié)構(gòu)的原子級差異晶面原子排列密度與鍵能差異:以石英為例
2025-08-06 11:13:57
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摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30
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磁編碼器作為現(xiàn)代工業(yè)自動化系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,其精度和可靠性直接影響著數(shù)控機床等高端裝備的性能表現(xiàn)?;?b class="flag-6" style="color: red">各向異性磁阻(AMR)效應(yīng)的MT6701磁編碼器,憑借其獨特的物理特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計,在數(shù)控機床主軸
2025-08-29 16:32:26
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的晶體結(jié)構(gòu)賦予其顯著的各向異性,在 TTV 厚度測量過程中,各向異性效應(yīng)會導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)偏差,影響測量準確性。深入研究各向異性效應(yīng)并探尋有效的修正算法,是提升碳化硅 TT
2025-09-16 13:33:13
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的高精度表征,廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本研究提出一種新方法:利用各向異性襯底打破橢偏分析中n,k,d的參數(shù)耦合。模擬結(jié)果表明,該方法可在單次測量中
2025-12-08 18:01:31
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工藝通過獨特的“刻蝕-鈍化”循環(huán),實現(xiàn)了高深寬比、各向異性的微結(jié)構(gòu)加工,廣泛應(yīng)用于微機電系統(tǒng)(MEMS)、深硅刻蝕及硅通孔(TSV)制造等領(lǐng)域。
2025-12-26 14:59:47
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