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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>詳解微機械中的各向異性刻蝕技術(shù)

詳解微機械中的各向異性刻蝕技術(shù)

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2022-03-14 10:51:421371

半導(dǎo)體微器件刻蝕過程研究報告

在半導(dǎo)體微器件的制造,必須通過蝕刻各種材料,從表面移除整個層或?qū)⒖刮g劑圖案轉(zhuǎn)移到下面的層。在蝕刻工藝可以分為兩種工藝:濕法和干法蝕刻,同時進一步分為各向同性和各向異性工藝(見下圖)。
2022-03-17 13:36:28902

硅在KOH溶液中陽極氧化的各向異性

由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā),溫度對(111)表面電流勢和電流時間結(jié)果的強烈影響支持了化學(xué)活化的重要性,在n型(111)電極上進行的光電流實驗表明,氧化物成核對無源層的生長具有重要意義,提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機理來解釋陽極氧化過程明顯的各向異性
2022-03-22 15:36:401282

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻的方向依賴性,然后進行了一系列的實驗,測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00966

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201

微機械各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

,這些技術(shù)的總稱被使用為微機械。在本稿,關(guān)于在微機械占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù),在敘述其研究動向和加工例子的同時,還談到了未來微機械的發(fā)展方向。
2022-03-29 14:57:261732

鐵磁材料的應(yīng)力致磁各向異性特性研究

實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:273109

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進,并且新的結(jié)果顯示,在5 μm
2022-05-11 15:46:191455

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:463260

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕室半導(dǎo)體IC制造的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316

常見的各向同性濕法刻蝕的實際應(yīng)用

濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中,各向同性 (Isotropic)濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸(HF)、硝酸( HNO3)和乙酸(CH3COOH)組成的混合物(也
2022-10-08 09:16:327442

濕法刻蝕和清洗(Wet Etch and Cleaning)

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:1819991

基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個弊端

隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場,面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 14:29:592695

前段集成工藝(FEOL)

其制造工藝流程如下:首先形成補償側(cè)墻 (Offset Spacer),經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后,選擇性地進行圖形化,在p型源漏區(qū)先進行干法刻蝕,使其凹陷適當?shù)纳疃?30~100nm);然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔(Diamond Cavity,又稱“∑”形狀)
2023-01-05 14:08:315005

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:122602

功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究的應(yīng)用

實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究的應(yīng)用實驗?zāi)康?本實驗探究了應(yīng)力致磁各向異性的物理表現(xiàn)及其定量檢測應(yīng)力的特性,設(shè)計搭建了實驗系統(tǒng),制作了鐵磁性Q195鋼材平板試件,在
2022-09-23 09:22:491254

結(jié)構(gòu)參數(shù)對各向異性磁電阻(AMR)磁場傳感器性能的影響

鎳鐵(NiFe)合金具有較強的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點,成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:501623

什么是各向異性刻蝕?

各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù),旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而,概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:012088

SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法

SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體元件的體積急劇減小,對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要,這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求,而其
2023-12-14 08:15:521302

RFID各向異性導(dǎo)電膠類型和可靠性

各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向?qū)щ?,即垂直?dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的,可以是Ag顆粒,聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣,涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時
2024-01-05 09:01:411419

為什么深硅刻蝕C4F8能起到鈍化作用?

對DRIE刻蝕,是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于,兩個射頻源:將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:595074

各向異性導(dǎo)電膠原理 各向異性導(dǎo)電膠的工藝步驟

能和機械性能,且能夠適應(yīng)更高的工作溫度和濕度環(huán)境。本文將詳細介紹各向異性導(dǎo)電膠的工作原理和制備工藝步驟。 各向異性導(dǎo)電膠的工作原理是基于導(dǎo)電粒子的連接行為。導(dǎo)電粒子通常由金屬或碳微粒組成。當導(dǎo)電膠受到壓力或溫度的作用時,導(dǎo)電粒子會在膠層內(nèi)形成電子通路,從而實現(xiàn)
2024-01-24 11:11:564840

基于3D打印的各向異性壓阻式壓力傳感器,實現(xiàn)方向力感知

各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:482108

詳解各向異性導(dǎo)電膠的性質(zhì)及作用有哪些?

。深圳市福英達的旗艦產(chǎn)品Fitech mLEDTM1370和Fitech mLEDTM1550系列8號粉超微錫膏能夠滿足封裝的需求。此外,各向異性導(dǎo)電膠對mini-LED封裝也有著優(yōu)異的效果,還可
2024-03-25 09:19:161698

什么是線刻蝕 干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁,是一種各向異性刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直,底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài),它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。
2024-03-27 10:49:062208

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用,或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。
2024-04-12 11:41:568869

一款基于各向異性磁電阻(AMR)技術(shù)的角度傳感器IC-AM100

磁阻角度傳感芯片 - AM100是一款基于各向異性磁電阻(AMR)技術(shù)的角度傳感器IC。它產(chǎn)生一個模擬輸出電壓,該電壓隨通過傳感器表面磁通量的方向而變化。
2024-12-02 15:50:221018

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

、過刻蝕刻蝕速率、鉆蝕、選擇比、均勻性、深寬比以及各向同性/異性刻蝕。 ? ? 不完全刻蝕 不完全刻蝕是指在刻蝕過程未能完全去除指定區(qū)域內(nèi)的材料,導(dǎo)致表面層還留在圖形孔或表面上的情況。這種情況可能由多種因素引
2024-12-05 16:03:102840

干法蝕刻異向機制的原理解析

無偏差的刻蝕過程,我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程,我們可以將其拆解為幾個基本環(huán)節(jié)。首先,第一個環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理,這些氣體在等離子體環(huán)境中會被分解成離子、自由基等具有刻蝕作用
2024-12-17 10:48:342077

芯片濕法刻蝕方法有哪些

芯片濕法刻蝕方法主要包括各向同性刻蝕各向異性刻蝕。為了讓大家更好了解這兩種方法,我們下面準備了詳細的介紹,大家可以一起來看看。 各向同性刻蝕 定義:各向同性刻蝕是指在所有方向上均勻進行的刻蝕,產(chǎn)生
2024-12-26 13:09:051685

Nat. Mater.:室溫下PdSe?誘導(dǎo)的石墨烯平面內(nèi)各向異性自旋動力學(xué)

本文研究了二維材料PdSe?與石墨烯組成的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)的自旋動力學(xué)。PdSe?因其獨特的五邊形晶格結(jié)構(gòu),能夠誘導(dǎo)石墨烯各向異性的自旋軌道耦合(SOC),從而在室溫下實現(xiàn)自旋壽命的十倍調(diào)制。研究
2025-02-17 11:08:381212

碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測量,探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度,且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測量誤差根源,為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。 耦合影響機制分析 材料
2025-06-11 09:57:28669

詳解各向異性導(dǎo)電膠的原理

各向異性導(dǎo)電膠(Anisotropic Conductive Adhesive, ACA)是一種特殊的導(dǎo)電膠,其導(dǎo)電性能具有方向性,即熱壓固化后在一個方向上(通常是垂直方向)具有良好的導(dǎo)電性,而在另一個方向(如水平方向)則表現(xiàn)為絕緣性。這種特性使得ACA在電子封裝、連接等領(lǐng)域具有獨特的應(yīng)用價值。
2025-06-11 13:26:03711

大連義邦Nanopaint壓感油墨為智能各向異性壓阻傳感器提供解決方案

大連義邦定向力感知壓感油墨Nanopaint,通過絲網(wǎng)印刷工藝可以實現(xiàn)高精度各向異性壓阻傳感,為智能系統(tǒng)裝上“觸覺神經(jīng)”。
2025-08-04 13:37:16614

濕法刻蝕的主要影響因素一覽

)。例如,緩沖氧化物刻蝕液(BOE)通過添加NH?F穩(wěn)定反應(yīng)速率。復(fù)合酸體系(如HNO?+HF+HAc)可實現(xiàn)各向異性刻蝕,適用于形成特定角度的溝槽結(jié)構(gòu)。?濃度控制濃度
2025-08-04 14:59:281458

濕法刻蝕各向異性的原因

濕法刻蝕通常是各向同性的(即沿所有方向均勻腐蝕),但在某些特定條件下也會表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機制分析:晶體結(jié)構(gòu)的原子級差異晶面原子排列密度與鍵能差異:以石英為例
2025-08-06 11:13:571422

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量各向異性干擾問題

摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657

基于各向異性磁阻(AMR)效應(yīng)的MT6701磁編碼器原理及其在數(shù)控機床主軸精密位移測量的性能研究

磁編碼器作為現(xiàn)代工業(yè)自動化系統(tǒng)的關(guān)鍵部件,其精度和可靠性直接影響著數(shù)控機床等高端裝備的性能表現(xiàn)?;?b class="flag-6" style="color: red">各向異性磁阻(AMR)效應(yīng)的MT6701磁編碼器,憑借其獨特的物理特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計,在數(shù)控機床主軸
2025-08-29 16:32:26732

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量各向異性效應(yīng)及其修正算法

的晶體結(jié)構(gòu)賦予其顯著的各向異性,在 TTV 厚度測量過程,各向異性效應(yīng)會導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)偏差,影響測量準確性。深入研究各向異性效應(yīng)并探尋有效的修正算法,是提升碳化硅 TT
2025-09-16 13:33:131573

橢偏術(shù)精準測量超薄膜n,k值及厚度:利用光學(xué)各向異性襯底

的高精度表征,廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本研究提出一種新方法:利用各向異性襯底打破橢偏分析n,k,d的參數(shù)耦合。模擬結(jié)果表明,該方法可在單次測量
2025-12-08 18:01:31237

集成電路制造Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

工藝通過獨特的“刻蝕-鈍化”循環(huán),實現(xiàn)了高深寬比、各向異性的微結(jié)構(gòu)加工,廣泛應(yīng)用于微機電系統(tǒng)(MEMS)、深硅刻蝕及硅通孔(TSV)制造等領(lǐng)域。
2025-12-26 14:59:47218

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