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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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技術(shù)前沿篇:EFEM集成壓電平臺(tái)的新一代晶圓處理方案
隨著芯片制程邁入3nm時(shí)代,晶圓傳輸過程微振動(dòng)控制成為新挑戰(zhàn)。創(chuàng)新方案將EFEM機(jī)械臂與壓電抑振平臺(tái)結(jié)合: 傳統(tǒng)流程: 晶圓拾取 → 機(jī)械臂傳輸 → 振...
半導(dǎo)體應(yīng)用篇:直線電機(jī)助推國產(chǎn)晶圓設(shè)備自主化
半導(dǎo)體制造國產(chǎn)化浪潮中,晶圓傳輸效率直接制約產(chǎn)線吞吐量。傳統(tǒng)機(jī)械臂傳輸存在振動(dòng)大、精度低的缺陷,而直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)的EFEM(設(shè)備前端模塊)憑借高速平滑運(yùn)動(dòng)...
它就是晶眾光電今天要給大家介紹的“主角”—— CW連續(xù)紫外激光器 。小身材大能量,今天一分鐘,帶您看明白它憑啥成為精密制造的“全能助手”。
EFEM晶圓前端傳輸設(shè)備生產(chǎn)廠家哪家?
? ? ? EFEM晶圓前端傳輸設(shè)備生產(chǎn)廠家哪家?? EFEM晶圓前端傳輸設(shè)備是半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵一環(huán),其性能直接影響晶圓的傳輸效率與潔凈度。作為專...
派恩杰3300V MOSFET晶圓,專為高耐壓場景設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料,基于4H-SiC晶圓,擊穿電壓達(dá)3300V以上,相比于傳統(tǒng)硅基器件...
在開始芯片測試流程之前應(yīng)先充分了解芯片的工作原理。要熟悉它的內(nèi)部電路,主要參數(shù)指標(biāo),各個(gè)引出線的作用及其正常電壓。
在半導(dǎo)體制造向3nm及以下制程突破的關(guān)鍵期,氣體流量控制的精度與穩(wěn)定性直接影響晶圓良率。HORIBA D700系列氣體質(zhì)量流量控制器針對半導(dǎo)體制造工藝中...
格羅方德推出GlobalShuttle多項(xiàng)目晶圓服務(wù)
格羅方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多項(xiàng)目晶圓(multi-project wafer, MPW),計(jì)劃通過將多個(gè)芯...
2025-07-26 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)格羅方德 707 0
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)...
在剛剛于無錫圓滿落幕的第三屆芯粒開發(fā)者大會(huì)——這場匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈專家的盛會(huì)上,行芯科技作為國內(nèi)Signoff領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),受邀...
英諾賽科產(chǎn)能再擴(kuò)張:年底8英寸晶圓月產(chǎn)將破2萬片
近日,氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對外宣布,將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著英諾賽科在鞏固自身行業(yè)地位...
2025-07-17 標(biāo)簽:晶圓 429 0
超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)探討
超薄晶圓厚度極薄,切割時(shí) TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手,分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢,再深入探討具體控制技...
華工科技攜手中科大突破半導(dǎo)體激光退火關(guān)鍵技術(shù)
近日,華工科技中央研究院與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合作開展的寬禁帶化合物半導(dǎo)體激光退火研究取得重大進(jìn)展,由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李家文教授為通訊作者,華工科技中央研究...
三星電子全力推進(jìn)2納米制程,力爭在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%
根據(jù)韓國媒體ChosunBiz的報(bào)道,三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù),目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更...
TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對方案
盡管TC Wafer晶圓系統(tǒng)已成為半導(dǎo)體溫度監(jiān)測的重要工具,但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)。同時(shí),隨著半導(dǎo)體工藝不斷向更小節(jié)點(diǎn)演進(jìn),該系統(tǒng)也展現(xiàn)出明確...
2025-07-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測溫系統(tǒng) 699 0
50.6億發(fā)力!全國首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線9月量產(chǎn)在即
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,集成電路產(chǎn)業(yè)的每一次突破都備受矚目。近日,一則振奮人心的消息傳來:總投資 50.6 億的全國首條8英寸MEMS 晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線建...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品
7 月 5 日消息,英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r(shí)間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批樣品將于 2025 年...
臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù),力積電接手相關(guān)訂單
近日,全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注,尤其是...
博捷芯晶圓劃片機(jī),國產(chǎn)精密切割的標(biāo)桿
博捷芯(DICINGSAW)晶圓劃片機(jī)無疑是當(dāng)前國產(chǎn)高端半導(dǎo)體精密切割設(shè)備領(lǐng)域的標(biāo)桿產(chǎn)品,在推動(dòng)國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備自主化進(jìn)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,被譽(yù)為“國產(chǎn)精...
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