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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050~1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態(tài)金屬,并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
峰值效率98%,納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,支持英偉達(dá)Backwell GPU
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2025-05-06 標(biāo)簽:電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 1415 0
如何最大限度地擴(kuò)大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測距離
雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計人員來說,最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá),因?yàn)樵谶@種情況下,返回信...
在65W氮化鎵快充設(shè)計中,輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作,保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及...
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性,適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景,如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制,通過集成多維度安全防護(hù),防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?,在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
氮化鎵憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時,系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,,停止開關(guān)動作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點(diǎn),為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選...
氮化鎵(GaN)無刷直流電機(jī)驅(qū)動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵(GaN)功率IC在無刷直流(BLDC)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究,通過設(shè)計實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN無刷直流電機(jī)驅(qū)動 307 0
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型立即下載
類別:電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別:IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽:功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
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專為電機(jī)驅(qū)動打造!納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業(yè)應(yīng)用帶來行業(yè)領(lǐng)先的性能、效率與可靠性
全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測,效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——...
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納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 134 0
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納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 207 0
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件(如MOSFET)、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝,...
聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后,以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來越多客戶的認(rèn)可。針對國內(nèi)市場的特點(diǎn),聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐,深化...
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的...
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