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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...
當前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開關(guān)型”的電源模式，其核心的輸出效率和負載能力（輸出電流大小，恒壓）瓶頸就在內(nèi)部集成的開關(guān)管的頻率。
2024-03-18 標簽：充電器功率轉(zhuǎn)換氮化鎵 7545 0
砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7077 0
在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板...
東微半導(dǎo)體超級硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國內(nèi)最早量產(chǎn)并進入工業(yè)級應(yīng)用的高壓超級結(jié)產(chǎn)品系列，在國產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位，廣泛應(yīng)用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...
2024-01-10 標簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 6401 0
氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu)，其特征是有兩個晶格常數(shù)(圖中標記為a 和 c)。
氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...
什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 標簽：半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 6190 0
系統(tǒng)級熱設(shè)計對于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來越多的分布式電源架構(gòu)（DPA）使用增加了熱設(shè)計的復(fù)雜性。
2021-01-20 標簽：熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6110 0
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