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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在氮化鎵技術(shù)中,熱設(shè)計(jì)與電氣設(shè)計(jì)同等重要
為管理今天的熱設(shè)計(jì),電路設(shè)計(jì)人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴(kuò)散,增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是,熱設(shè)計(jì)不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙,因?yàn)?..
2018-01-04 標(biāo)簽:氮化鎵電氣設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì) 6055 0
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...
為什么選擇氮化鎵?淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
對于服務(wù)器,這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC,而對于傳統(tǒng)的低功能(例如,僅語音)電信系統(tǒng),這是遠(yuǎn)程潮濕的“蜂窩塔”,需要AC進(jìn)行“防腐蝕” ,負(fù)...
2021-03-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 5918 0
四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN(額定值 >=600V)外,新的中壓 GaN 解決方案(額定值 80V-200V)也日益受到歡迎,可在高壓 GaN ...
意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 5879 0
移動通信標(biāo)準(zhǔn)5G開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)
基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點(diǎn)。它們記錄無線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫,基站技術(shù)需要滿足兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn):輸出功率需要提高,同時(shí)保持...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元...
氮化鎵技術(shù)研究新進(jìn)展,如何作為“電力電子應(yīng)用中敏感探針”使用?
美國康奈爾大學(xué),IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
氮化鎵(氮化鎵)是一種半導(dǎo)體材料,是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...
氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域
從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況,重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域,消費(fèi)類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。
而GaN技術(shù)可以做到,因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_關(guān)器件,并且可以在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平,能夠應(yīng)用于更小的元件,應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...
2019-01-24 標(biāo)簽:充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5516 0
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì),概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用,并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中,相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢。
在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制,MOSFET的溝道必須很大,這會導(dǎo)致寄生電容...
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的...
2024-01-10 標(biāo)簽:晶體光電器件半導(dǎo)體材料 5286 0
新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強(qiáng)電流與高壓...
采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進(jìn)行電源設(shè)計(jì)熱處理及PCB layout 注意事項(xiàng)
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優(yōu)良的開關(guān)特性,低RDS(ON),封裝在一個(gè)小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作,并支持高密度電源...
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...
什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,GaN 充電器的運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
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