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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世，GaN在射頻功率應用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN...
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：
拆解報告：SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C
SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品，采用黑色的收納盒包裝，相比同類產(chǎn)品更為精致，也可以方便用戶后續(xù)收納使用。
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了...
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能...
氮化鎵襯底和外延片哪個技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...
基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進軍。但這個市場非常保守，適應新技術(shù)的速度很...
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...
氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個小知識
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...
iCoupler技術(shù)為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨功率因數(shù)校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器（兩個電感和一個電容）...
氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵...
Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢
5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機通信功能的核心組件，將直接受益。
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵...
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
20世紀40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料，與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素燈...
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