氮化鎵你了解多少？

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...

2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4286 0

氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)

氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二...

2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 4240 0

什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)

什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光二極管氮化鎵 4226 0

氮化鎵充電器和其他快充充電器的區(qū)別是什么？

材質(zhì)上比普通的快充更加的高級(jí)，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)。

2023-02-09 標(biāo)簽：變壓器充電器氮化鎵 4191 0

華為氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別在哪

華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵（GaN）技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器華為氮化鎵 4170 0

氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn)有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。 優(yōu)點(diǎn)： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵碳化硅 4146 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4084 0

99元65W超值，首款內(nèi)置中國(guó)芯氮化鎵快充深度拆解！

2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經(jīng)開始滲透到手機(jī)和筆記本等電子設(shè)備的配件市場(chǎng)，并且市場(chǎng)容量增長(zhǎng)迅速。據(jù)充電頭網(wǎng)了解，目前華為、小米、三星、OP...

2020-06-16 標(biāo)簽：充電器中國(guó)芯氮化鎵 4067 0

發(fā)光二極管是由什么材料制成的 發(fā)光二極管是半導(dǎo)體嗎

發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉(zhuǎn)化為可見光。它由半導(dǎo)體材料制成，是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳...

2024-02-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管電子器件 3981 0

氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)方法

氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)...

2024-01-10 標(biāo)簽：電阻MOS管功率器件 3926 0

蘋果氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

蘋果氮化鎵充電器是一種新型的充電器，它采用了氮化鎵材料來實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能的充電功能。與普通充電器相比，蘋果氮化鎵充電器在多個(gè)方面表現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢(shì)。本文將...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器蘋果氮化鎵 3918 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測(cè)器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測(cè)器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3891 0