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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術平臺
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業(yè)，致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產業(yè)化。
DC/DC 轉換器中半導體器件的高頻開關特性是主要的傳導和輻射發(fā)射源。本文章系列 的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉換器的差模 （DM） 和共模 （C...
國產氮化鎵實現新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關鍵問題之一是它們在開關操作期間的動態(tài)導通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。
直擊氮化鎵領域的無限可能！ 讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技
中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應用未來。未來，雙方將攜手克服...
【芯聞精選】穩(wěn)懋加碼投資建廠，預計三年后量產；大眾汽車宣布將自研高性能芯片
2021年90期 產業(yè)新聞 ? 長電科技完成50億元定增項目，進一步提升芯片成品制造能力 ? 5月8日消息 電科技近日發(fā)布公告稱，公司完成定增募資約50...
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
納微半導體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NV...
隨著手機充電技術的迅猛發(fā)展，快充已經成為智能手機的標配，不少手機廠商還將“百瓦級”快充作為自家旗艦的宣傳亮點。
2024新一代半導體晶體技術及應用大會6月21-23日濟南召開
半導體晶體是信息產業(yè)的基石，其生長技術、加工工藝、關鍵設備、器件應用及原材料供給等對半導體產業(yè)鏈供應鏈的安全穩(wěn)定至關重要。
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體...
在早前于四川成都舉辦的 2021 中國西部微波射頻技術研討會上，Qorvo 基礎建設事業(yè)部高級銷售經理 Kevin He 發(fā)表了一個題為《基于5G 基站...
功率半導體廠商納微半導體2024年第一季度收入業(yè)績同比增長達73%
1 得益于移動快充、AI數據中心對氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動汽車、太陽能和工業(yè)應用的銷售增長，納微半導體2024年第一季度收入同比增長達73%。...
傳統(tǒng)上，半導體生產中最常用的材料是硅 (Si)，因為它的資源豐富且價格實惠。然而，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數都提供額外的好處...
Power Integrations榮獲“國際功率器件行業(yè)卓越獎”
Power Integrations，憑借其全球領先的功率器件技術和卓越的市場表現，榮獲了“國際功率器件行業(yè)卓越獎”。這一榮譽不僅是對Power Int...
納微半導體正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障，反應了全球移動消費電子市場正加速采用氮...
近日，小米上架了兩款充電器，一個是小米充電器120W秒充版，售價249元，另一個是小米氮化鎵GaN充電器55W，售價99元。兩款充電器均附送數據線。
納微半導體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障。
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...
“我們在未來的5G 射頻市場將擁有很多領先的技術，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現在多頻多模LTE手機，特別是運營商最新要求的...
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTCD-mode GaN F...
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