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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產表現,可為車載充電機(OBC)和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數據中心增長的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設計電源能在最小尺寸下,為每個搭載AI GPU的機柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導體材料氮化鎵
在近日的業(yè)內電源展會上,英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應用,一款功率為65W的USB PD充電器。
從研發(fā)到商業(yè)化應用,氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術創(chuàng)新,其影響波及了現今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的...
2020-07-06 標簽:氮化鎵 1920 0
納微半導體2022年第四季度及全年財報亮眼 2022年收入增長60%
1 2022年收入增長60%。 2 納微藉技術、終端市場、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢。 3 取代功率半導體器件中的傳統(tǒng)硅應用;實現新增長市場電氣化。 下一代...
普通消費者,甚至對氮化鎵了解不多的工程師,普遍認為氮化鎵只能實現幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實,因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和T...
三安半導體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國內8英寸加速布局!
從產能來看,湖南三安現有SiC產能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產能2,000片/...
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料,具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點,被廣泛應用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領域。隨著科技的不斷發(fā)展...
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的30W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM 反激式控制...
格芯收購Tagore Technology氮化鎵技術,加速電源管理創(chuàng)新
近日,全球領先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries,簡稱GF)宣布了一項重大戰(zhàn)略舉措,成功收購了Tagore Technology公司所持...
大聯大推出基于InnoGaN產品的1KW DCDC電源模塊方案
2024年1月18日,致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN ...
隨著技術的飛速發(fā)展,快充已經成為智能手機的標配,甚至,不少手機廠商還將“百瓦級”快充作為宣傳自家旗艦的一大亮點。
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