英飛凌科技完成對GaN Systems Inc.的收購

英飛凌科技集團今天宣布，對GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專...

2023-10-25 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體英飛凌科技 1200 0

國星半導(dǎo)體氮化鎵專利已申請200多篇 正積極進行第三代半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)儲備

近日，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報的“彩色M...

2020-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵國星光電 1200 0

氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資

近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進展。

2023-12-09 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體氮化鎵 1193 0

科銳推進建造全球最大SiC器件制造工廠和擴大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1188 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1187 0

三代半導(dǎo)體材料的區(qū)別是什么

研究機構(gòu)：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場預(yù)計2022年將達到18.4億美元，2025年會進一步增長到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體？

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1185 0

Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser

2016年3月29日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的...

2016-03-29 標(biāo)簽：晶體管Mouser氮化鎵 1184 0

馬瑞利與Transphorm達成戰(zhàn)略合作 將進一步完善新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局

日前，汽車零部件供應(yīng)商MARELLI（馬瑞利）與半導(dǎo)體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。前者將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域的的動力總成逆變器開發(fā)技術(shù)，...

2020-03-10 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵Transphorm 1177 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1171 0

GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

每個世紀(jì)在人類努力的各個領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對于電力電子而言，21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗...

2022-07-27 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1168 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應(yīng)截至波長365nm，對可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應(yīng)，且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 1165 0

Nexperia斥資2億美元,布局未來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動力，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣...

2024-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1162 0

德州儀器擴大氮化鎵半導(dǎo)體制造規(guī)模

近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產(chǎn)能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體德州儀器氮化鎵 1159 0

納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NV...

2024-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅功率芯片 1153 0

納微十載征程，引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷...

2024-02-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1153 0