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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 2 部分
在我的上一篇博文中，我為大家介紹了一個動手操作項目：用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我講到...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET，為業(yè)界樹立全新性能基準
EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20...
2020-09-24 標簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達 1324 0
大大減少體積及損耗！羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲
為進一步滿足消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出的更高節(jié)能要求，以實現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，羅姆開發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Pow...
直擊AI服務(wù)器電源痛點！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數(shù)字能源、消費電子、汽車電子、機器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...
8日，亞洲充電展（秋季）在福田會展中心順利舉辦。作為充電行業(yè)最具人氣的展會，3天展會帶來過萬人次的流量，吸引了各行業(yè)內(nèi)的專家、采購、工程師來參觀交流。 ...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標；CG2H800...
不久前，SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認為是困難的，但到了2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢開始被應(yīng)用到現(xiàn)實生活中。這項新技術(shù)成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴展生產(chǎn)步入正軌，四季度可交付樣品
7 月 5 日消息，英飛凌德國當?shù)貢r間 7 月 3 日宣布，其在 300mm晶圓上的可擴展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌，首批樣品將于 2025 年...
納微半導體與Live Oak II簽訂合并最終協(xié)議，以10.4億美元的企業(yè)價值上市
納微半導體已向戴爾、聯(lián)想、小米、OPPO、LG、亞馬遜、貝爾金等幾十家高端客戶交付了超過1800萬顆GaNFast?功率芯片，沒有收到任何故障報告。
2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...
2023-12-15 標簽：轉(zhuǎn)換器意法半導體晶體管 1303 0
由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...
意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導體推出了一個新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導體的STPOWER 產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
納微半導體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升
全球半導體行業(yè)的佼佼者羅姆公司，即將于2024年8月28日至30日在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大亮相，參與備受矚目的2024深圳國際電力元件、可再生...
第三代半導體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅
隨著全球進入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導體高能量轉(zhuǎn)換效率半導體材料開始...
納微半導體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充
作為摩托羅拉的最新旗艦?機，X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器，采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是，...
納微半導體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實驗室
納微半導體，作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實驗室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動電動汽車電源...
氮化鎵（GaN）作為現(xiàn)在重要的第三代半導體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，能夠...
TriQuint加速氮化鎵的供應(yīng)速度，推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù)
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導廠商TriQuint半導體（納斯達克代碼：TQNT），今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（ GaN ）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化...
日本企業(yè)加速氮化鎵半導體生產(chǎn),力推電動汽車續(xù)航升級
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導體器件，旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動汽車功率半導體器件的應(yīng)用上競爭...
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