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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在英語里,ready是很有意思的一個詞,它在不同的語境下會有完全不同的意思。有一大屋子女兒時,ready的意思就是為做好準備而準備;而準備的時間絕不會少...
在過去的幾十年中,全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
多年來,設(shè)計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1151 0
VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路
因此,VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN(直接驅(qū)動耗盡型氮化鎵)半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用??焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...
在這個電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時代,半導(dǎo)體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨特的優(yōu)勢正成為行業(yè)...
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面獲進展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū),如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布
氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),運行速度比傳統(tǒng)硅快20倍,和傳統(tǒng)硅充電器相比,氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下,能實現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 標簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1144 0
你可以想象有這樣一個世界,在這個世界中,你不需要建造這么多發(fā)電廠,來滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個世界中,工業(yè)、企業(yè)計算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運行速度...
本周,半導(dǎo)體行業(yè)最引人關(guān)注的新聞非中國限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密...
2023-04-19 標簽:氮化鎵 1133 0
“在2024財年第二季度,我們看到了強勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長,同時,毛利率同比增長了近一倍。我們對產(chǎn)品線的持續(xù)增長和設(shè)計勝利感到高興,大功率設(shè)計的成...
德州儀器日本會津工廠啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)
德州儀器(TI)宣布,其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...
韓國成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低
據(jù)BusinessKorea報道,韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個團隊成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍光LED的新型LED材料。據(jù)悉,...
蘇州長光華芯化合物半導(dǎo)體光電子平臺新建項目奠基儀式啟動
據(jù)悉,本項目計劃在2025年實現(xiàn)竣工并投入運營。它是省級重點項目,旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺,形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
2月20日消息,據(jù)外媒報道,當(dāng)?shù)貢r間周一,美國政府表示,作為美國《芯片與科學(xué)法案》的一部分,它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金,用于支持該公司擴大...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態(tài)損耗,從而降低整體損耗。因此,這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個參...
好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,助力氮化鎵先進應(yīng)用
未來已來,氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配...
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