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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片,引領氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成, 實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國加利福尼亞州托倫斯,2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料,因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導體不同,GaN 具有更寬的帶隙,這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
2023-03-03 標簽:氮化鎵5G網(wǎng)絡 1109 0
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優(yōu)勢。然而,散熱問題是制約其...
Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器
GMICP2731-10器件有助于保持信號保真度,讓地面站在不影響信號質量的情況下進行高射頻電平的傳輸。
針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術,開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場,氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證,同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前,快充源市場上氮化鎵...
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅動器在貿(mào)澤開售 具有超高共模瞬態(tài)抗擾性(CMTI)
MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品,屬于單通道隔離式柵極驅動器,具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI),用于驅動各種逆...
國星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應用持續(xù)發(fā)力
近日,國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調研白皮書》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調研白皮書》在行家說2023碳化硅&...
Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)
使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件,使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕,且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 - 20...
2023-10-16 標簽:氮化鎵 1099 0
全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...
瑞薩電子近日宣布了一項重大收購,以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元,相當...
青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學合作簽約儀式圓滿成功!
5月28日,青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽區(qū)科學與技術局領導、城陽區(qū)工業(yè)與信息化局...
德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM,革新電機驅動設計
德州儀器(TI)近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵(GaN)集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機驅動器應用量身打造。...
瞄準SiC MOS出貨量飆升,五大策略應對市場挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計出貨超過了2400萬顆,得到了新能源汽車、消費電子以及工業(yè)市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升,...
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