支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的TI LMG341xR050 GaN

TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多...

2020-05-29 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 3.4k 0

是什么讓PowiGaN與眾不同？

基于PowiGaN的開(kāi)關(guān)電源IC可實(shí)現(xiàn)95％的高效率，輸出功率高達(dá)100 W。它們不僅適合大功率快速充電應(yīng)用，而且還為家電提供了無(wú)散熱片的電源解決方案，...

2020-05-19 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源氮化鎵 3.9k 0

InnoSwitch3-MX隔離式開(kāi)關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴(kuò)大陣容

InnoMux芯片組采用獨(dú)特的單級(jí)功率架構(gòu)，與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，可將顯示器應(yīng)用中的電源損耗降低50％，從而將恒壓和恒流LED背光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的整體效率提高至91％。

2020-05-19 標(biāo)簽：集成電路開(kāi)關(guān)電源氮化鎵 3.6k 0

就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開(kāi)展“云洽談”

當(dāng)前，多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶(hù)桂林，如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。

2020-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵智能制造 2.9k 0

貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品

Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實(shí)現(xiàn)一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近收購(gòu)了Custom MMIC，將其并入了自己的基礎(chǔ)設(shè)施...

2020-05-09 標(biāo)簽：氮化鎵噪聲放大器MMIC 1.1k 0

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

此外，與硅不同，GaN沒(méi)有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱(chēng)為“第三象限”操作）。因此，GaN沒(méi)有反向恢復(fù)電荷...

2020-04-29 標(biāo)簽：二極管氮化鎵晶片 4.2k 0

EPC公司利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)用推出六個(gè)視頻實(shí)用范例

學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無(wú)人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)。

2020-04-28 標(biāo)簽：EPC氮化鎵人工智能 4.1k 0

氮化鎵市場(chǎng)前景光明，快充技術(shù)越來(lái)越平民化

在5G、電動(dòng)車(chē)、電源裝置等應(yīng)用的推動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。

2020-04-23 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 3.5k 0

欣憶電子第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目落戶(hù)廣西桂林高新區(qū) 一期總投資達(dá)16億元

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會(huì)與位于中國(guó)臺(tái)灣的欣憶電子股份有限公司通過(guò)視頻連線召開(kāi)海峽兩岸項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開(kāi)展“云洽談”。

2020-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展

近日，為了促進(jìn)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會(huì)（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國(guó)際技術(shù)路線圖。

2020-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 5.6k 0

浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開(kāi)工 將對(duì)“中國(guó)芯”打造提供強(qiáng)勁助力

4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目正式開(kāi)工。

2020-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 6.4k 0

氮化鎵接連被手機(jī)廠商們“翻牌” 2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)600多億元

4月8日，華為舉行P40系列國(guó)行版線上發(fā)布會(huì)。發(fā)布會(huì)上，除了發(fā)布了P40系列三款新機(jī)等，余承東帶來(lái)了GaN（氮化鎵）雙口超級(jí)快充充電器，最大充電功率為6...

2020-04-10 標(biāo)簽：華為氮化鎵快充 3.9k 0

小米和華為先后熱捧的產(chǎn)品，氮化鎵快充將迎來(lái)爆發(fā)之勢(shì)

2020年2月13日，小米召開(kāi)了疫情以來(lái)首場(chǎng)重磅線上發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了小米10旗艦產(chǎn)品，同時(shí)也發(fā)布了一款明星配件產(chǎn)品：65W氮化鎵充電器。

2020-04-10 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 3.6k 0

未來(lái)氮化鎵快充技術(shù)將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用

2020年2月13日小米的線上發(fā)布會(huì)上，小65W氮化鎵充電器問(wèn)世。同時(shí)，氮化鎵（GaN）快充在發(fā)布會(huì)上也被雷軍一舉捧紅，成為了當(dāng)下的一個(gè)熱門(mén)高頻詞匯。 ...

2020-07-16 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 1.2k 0

氮化鎵充電器的發(fā)展前景_氮化鎵充電器概念股

氮化鎵充電器前景非常明朗，大概率會(huì)取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢，或者說(shuō)氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢(shì)？下面給給大家進(jìn)行解答。

2020-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 6k 0

氮化鎵充電器拆解

ANKER GaN技術(shù)充電器的第一款產(chǎn)品正式在國(guó)內(nèi)上市，名叫ANKER PowerPort Atom PD 1，它支持USB PD快充，最大輸出達(dá)30W...

2020-04-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 2.2萬(wàn) 0

氮化鎵充電器是什么_氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...

2020-04-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 8.3萬(wàn) 0

手機(jī)廠商紛紛入局 華為也將發(fā)布65W氮化鎵充電器？

小米10系列發(fā)布會(huì)讓氮化鎵充電器一舉捧紅，成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局，可以說(shuō)是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。

2020-04-08 標(biāo)簽：華為氮化鎵 6.1k 0