USB-A的快充協(xié)議是通過D+D-通道來傳輸協(xié)議的，所以一般采用A-C數(shù)據(jù)線，內(nèi)部是4芯線：VBUS、GND、D+、D-。 QC協(xié)議是通過在D+D-上給不同的電壓獲取快充協(xié)議。 三星AFC協(xié)議是通過
2025-12-24 16:50:55
975 
在消費電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心臟”，直接決定產(chǎn)品的效率、體積、成本與可靠性
2025-12-24 11:38:33403 
產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54729 
與系統(tǒng)成本
3. 應(yīng)用環(huán)境要求：考慮溫度范圍、可靠性標(biāo)準(zhǔn)
4. 未來發(fā)展空間：預(yù)留技術(shù)升級和功能擴(kuò)展能力
對于追求最佳用戶體驗的產(chǎn)品，推薦采用PW4000+PW6606的快充兼容方案；對于成本敏感型
2025-12-20 16:22:12
： 一、性能適配：專為快充高頻需求設(shè)計 超低ESR，減少能量損耗 合粵固態(tài)電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）低至1-5mΩ（液態(tài)電容>100mΩ），在高頻充放電（如氮化鎵快充的100kHz-10MHz頻段）中，能量損耗減少60%以上，發(fā)熱降低30%。例如，在12V轉(zhuǎn)
2025-12-13 14:17:38186 前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支持小米120W澎湃秒充，滿足全家桶設(shè)備同時充電
2025-12-09 09:23:181411 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-24 16:47:18
1 什么區(qū)別？ 什么是QC協(xié)議 QC協(xié)議是一種高壓快充技術(shù)，最初主要基于USB Type-A接口，但隨著USB Type-C接口的QC協(xié)議版本出現(xiàn)，這使得QC協(xié)議的應(yīng)用范圍更加廣泛，QC協(xié)議支持多種不同的快
2025-11-22 11:20:282714 
在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術(shù)對能源與電源解決方案未來發(fā)展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 近日，綠聯(lián)新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器，這款充電器具備4個USB-C接口和1個USB-A接口，總輸出功率為160W。機身一側(cè)設(shè)有LCD屏幕，支持總輸出功率顯示和功率分配顯示，支持充電協(xié)議顯示。機身設(shè)有觸摸按鍵，可以旋轉(zhuǎn)屏幕顯示角度和內(nèi)容，同時還支持充電器溫度顯示，使用更加安心。
2025-11-17 15:08:41669 
增至約30億美元，復(fù)合年增長率（CAGR）高達(dá)42%，未來六年將實現(xiàn)六倍增長。這種增長態(tài)勢主要由三大驅(qū)動力：消費電子電子對快充的剛需、AI數(shù)據(jù)中心對高效電源的迫切需求、新能源汽車的電氣化浪潮。在快充之外，氮化鎵功率芯片在家電領(lǐng)域的應(yīng)用點也出現(xiàn)突破。 近日，英諾賽
2025-11-16 00:40:0013349 
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:082781 
6G技術(shù)作為第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，將在多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，其核心優(yōu)勢在于通感算智深度融合、空天地一體全域覆蓋，以及從“單一通信服務(wù)”到“一站式按需服務(wù)”的跨越。以下是6G技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域及具體場景
2025-11-05 17:21:041227 在移動設(shè)備與移動網(wǎng)絡(luò)高速發(fā)展的背景下，用戶對設(shè)備續(xù)航與充電效率的需求持續(xù)提升，這直接推動了快充技術(shù)成為當(dāng)前消費電子領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在此趨勢下，傳統(tǒng) USB 充電方案正逐步向新一代快充方案迭代
2025-11-03 09:28:36
在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細(xì)節(jié)——這種第三代半導(dǎo)體材料，正是現(xiàn)代快充設(shè)備、5G通信
2025-10-31 12:00:073848 
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
近日，國內(nèi)頂尖游戲硬件品牌機械革命（MECHREVO）重磅推出了旗下首款140W氮化鎵快充充電器——AY140AA-1C-CH。這款新品以其強大的供電能力，迅速成為滿足高性能筆記本電腦輕度游戲與重度
2025-09-17 17:35:563640 
、物聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，PD快充技術(shù)將在未來的消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等諸多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。永銘液態(tài)引線型鋁電解電容作用永銘液態(tài)引線型電容具備體
2025-09-01 10:08:22455 
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348324 
近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對氮化鎵材料發(fā)展的寄語。
2025-08-14 15:31:223001 制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412963 
通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因為內(nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點，所以快充充電器比我們設(shè)想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)氮化鎵快充ic U8733L，特別適應(yīng)于快速充電器和適配器上！
2025-07-15 15:26:062542 
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導(dǎo)體（Navitas）宣布，其650V元件產(chǎn)品將在未來1到2年內(nèi)，從當(dāng)前供應(yīng)商臺積電（TSMC）逐步過渡至力積電半導(dǎo)體（PSMC）。臺積電回應(yīng)稱，經(jīng)全面評估
2025-07-04 16:12:10659 充電寶快充協(xié)議是充電寶與設(shè)備之間實現(xiàn)快速充電的通信規(guī)則，它定義了電壓、電流、功率等參數(shù)的傳輸標(biāo)準(zhǔn)，確保設(shè)備與充電寶高效匹配，實現(xiàn)安全快充。 以下是主流快充協(xié)議的詳細(xì)解析： 一、快充協(xié)議的核心作用
2025-06-30 09:17:087757 如果你想了解氮化鎵如何引領(lǐng)便攜光儲市場？那么一定不能錯過這場由大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)和英諾賽科原廠聯(lián)合舉辦的線上研討會?！癐nnoscienceSolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù)，煥新便攜光儲市場”。7月8日
2025-06-27 16:31:353806 
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設(shè)計，否則就要重新設(shè)計PCB板
2025-06-26 16:11:111777 
GaNext助力|極簡桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時代，鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日，我們攜手全球消費電子巨頭 Anker，共同打造兩款高顏值、便攜型桌面充電產(chǎn)品
2025-06-25 10:31:151191 就一定支持USB-PD協(xié)議
快充。PD
快充主要
廣泛應(yīng)用于手機，平板電腦，多口充電器，移動電源，車載充電器，智能排插，便捷式儲能等設(shè)備中。PD
快充典型LLC諧振拓?fù)潆娐?/div>
2025-06-25 09:34:45573 
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設(shè)計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、輸入過壓保護(hù)
2025-06-16 18:00:561374 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版 等多款筆記本電腦，均INBOX標(biāo)配 65W 49cc氮化鎵快充充電器 ，這是迄今為止聯(lián)想筆記本電腦 最小體積的65W INBOX電源
2025-06-13 14:00:13806 
電源芯片U8722CAS采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化！氮化鎵電源芯片U8722CAS在輕載和空載狀態(tài)下
2025-06-12 15:46:16962 LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
引言
氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導(dǎo)體，為開關(guān)電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術(shù)具有高介電強度、低開關(guān)損耗、高
2025-06-11 10:07:24
充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護(hù)電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！
2025-06-09 10:54:231101 半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢，正推動電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562488 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 D+和D-走快充協(xié)議（華為快充）和音頻信號傳輸有沖突嗎？如果有沖突，是否有解決法案，謝謝。
2025-06-03 13:40:33
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384 
恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵
2025-05-29 16:53:04911 IPAD 同時支持PD9V快充的OTG芯片有合適的嗎
2025-05-29 08:00:49
開關(guān)損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！
2025-05-26 18:02:421062 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。
2025-05-21 11:55:37755 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電
2025-05-19 17:29:50735 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
一、什么是快充協(xié)議？ 快充協(xié)議是一種通過提高充電效率來縮短設(shè)備充電時間的電池充電技術(shù)。它是通過在充電器和設(shè)備之間建立一種溝通機制，充電器能夠根據(jù)設(shè)備的需求和狀態(tài)，調(diào)整輸出的電壓和電流。這種溝通機制由
2025-05-12 14:02:454585 
芯片?恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統(tǒng)溫度，防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
在65W氮化鎵快充設(shè)計中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 快充技術(shù)已突破充電邊界，從手機標(biāo)配升級為智能生態(tài)的能源中樞。快充技術(shù)正從消費電子向新能源汽車、無人機、AR/VR設(shè)備、便攜儲能及工業(yè)機器人等多元領(lǐng)域滲透。通過與AIoT深度融合，快充技術(shù)將從單一充電
2025-04-29 18:02:001278 
在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 時，氮化鎵快充芯片
2025-04-29 16:09:41544 4月24日，廣東省終端快充行業(yè)協(xié)會第二屆會員大會暨換屆選舉會議在深圳舉行，會上表彰了2025年度UFCS融合快充技術(shù)發(fā)展中作出突出貢獻(xiàn)、創(chuàng)新應(yīng)用的優(yōu)秀企業(yè)。芯?？萍迹ü善贝a：688595）榮膺年度
2025-04-27 09:12:301099 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。
2025-04-18 17:06:54837 氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費電子的快充向工業(yè)級功率領(lǐng)域滲透，這給了國內(nèi)廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創(chuàng)晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產(chǎn)品和市場近況以及行業(yè)趨勢等話題
2025-04-16 15:12:491442 氮化鎵20WPD快充方案
2025-04-10 11:06:04731 
防止過熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023806 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
5V供電的STC單片機串口引腳（TX/RX）接到快充適配器的D+/D-上面后，導(dǎo)致快充適配器輸出9V電壓，這是什么原因?qū)е碌模?
2025-03-26 10:34:01
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 未來，隨著電池材料革新（如固態(tài)電池）和快充技術(shù)迭代，這一矛盾有望進(jìn)一步緩解。
2025-03-14 16:54:098045 
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0046941 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054784 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒏咝势骷男枨蟛粩嗉哟螅?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 PD快充，作為USB-IF組織制定的快速充電規(guī)范，已成為當(dāng)今主流的快充協(xié)議之一。它能夠?qū)ype-C接口的默認(rèn)功率從5V/2A提升至高達(dá)100W。采用PD快充技術(shù)制作的充電頭，不僅智能，更能確保充電
2025-03-10 10:36:532528 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334530 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491181 海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%，應(yīng)用廣泛，性價比高。一、產(chǎn)品介紹40WACDC系列氮化鎵電源模塊
2025-02-24 12:02:321020 
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配
2025-02-19 14:20:431084 
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
在現(xiàn)代快節(jié)奏的生活中，快速充電技術(shù)已成為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。其中，PD快充技術(shù)憑借其高效、安全的特點，逐漸成為了市場上的主流選擇。那么，PD快充究竟是什么呢？本期與大家分享MOS管在PD快充上的應(yīng)用。
2025-02-15 08:37:052160 
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計，因此整體做到相當(dāng)小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
2025-02-08 15:51:231015 
深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081232 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和高頻率的開關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09898 隨著智能手機的普及和快充技術(shù)的發(fā)展,USBPowerDelivery(PD)快充和USBType-C接口已成為現(xiàn)代移動設(shè)備的標(biāo)配。然而,這些先進(jìn)技術(shù)在帶來便利的同時,也為設(shè)備的靜電防護(hù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2025-01-13 18:21:432466 
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