請教一下大神們,這個松下電池充電器的指示燈怎么看,各表示什么意思
2025-12-24 15:19:51
雙向器件,GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本:無需工藝調(diào)整和 MASK 變動,通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制,即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件(Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
CHA8107-QCB兩級氮化鎵(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款兩級氮化鎵(GaN)高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro,其配置有3C1A四個接口,不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出,還支持小米120W澎湃秒充,滿足全家桶設(shè)備同時充電
2025-12-09 09:23:18
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本文對比15W與27W無線充電器,分析其充電速度、兼容性、散熱性能,幫助讀者根據(jù)需求選擇合適產(chǎn)品。
2025-12-08 08:38:00
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無線充電器的工作原理核心
2025-12-06 10:19:27
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30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:04
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在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET
2025-11-27 16:17:13
1736 近日,綠聯(lián)新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器,這款充電器具備4個USB-C接口和1個USB-A接口,總輸出功率為160W。機(jī)身一側(cè)設(shè)有LCD屏幕,支持總輸出功率顯示和功率分配顯示,支持充電協(xié)議顯示。機(jī)身設(shè)有觸摸按鍵,可以旋轉(zhuǎn)屏幕顯示角度和內(nèi)容,同時還支持充電器溫度顯示,使用更加安心。
2025-11-17 15:08:41
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中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢如下: 1. GaN(氮化鎵)功放芯片 優(yōu)勢: 功率密度高:GaN 的擊穿電場強(qiáng)度(3.3 MV/cm)是硅的 10 倍以上,相同面積下可承受更高電壓(600V+)和電流,功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍(如 100W 功率下,GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3)。 高
2025-11-14 11:23:57
3098 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛?
2025-11-14 07:25:48
前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:08
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通時零電壓開關(guān))反激式轉(zhuǎn)換器,在寬范圍內(nèi)提供高達(dá)65W輸出功率。VIPERGAN65集成一整套特性,可提供極其靈活、簡單易用的芯片,幫助設(shè)計高效離線電源。
2025-10-29 09:11:48
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場景提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破:
GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導(dǎo)體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF參考設(shè)計(用于VIPERGAN65)是一款24V/65W參考設(shè)計,基于VIPERGAN65D高壓轉(zhuǎn)換器,采用隔離式QR反激拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)置
2025-10-16 15:36:38
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在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天,65W功率檔位已成為市場主流,而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn),正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET,以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:29
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磁吸無線充電器簡化充電流程,通過磁場精準(zhǔn)吸附實(shí)現(xiàn)高效充電,需注意設(shè)備兼容性與操作技巧。
2025-10-10 08:43:00
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速度和更高的能效。但對于某些應(yīng)用來說,則會面臨重大設(shè)計挑戰(zhàn)。 從緊湊型 USB-C 充電器、電子式車載充電器到太陽能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,設(shè)計人員都渴望利用 GaN 半導(dǎo)體技術(shù),打造出更小、更輕、散熱更好的產(chǎn)品。 鑒于 GaN 器件具有很快的開關(guān)速度,設(shè)計人員因此會面臨多重挑戰(zhàn),
2025-10-04 18:25:00
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芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
近日,國內(nèi)頂尖游戲硬件品牌機(jī)械革命(MECHREVO)重磅推出了旗下首款140W氮化鎵快充充電器——AY140AA-1C-CH。這款新品以其強(qiáng)大的供電能力,迅速成為滿足高性能筆記本電腦輕度游戲與重度
2025-09-17 17:35:56
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Qi2 25W無線充電器與18W充電頭兼容,但實(shí)際輸出受限于三者最低功率,協(xié)議不匹配時自動降級,效率略有下降。
2025-09-11 08:15:00
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文章解析了蘋果手表充電兼容性問題,指出手機(jī)充電器與手表不兼容的原因及第三方適配器的潛在風(fēng)險,強(qiáng)調(diào)官方充電器的可靠性。
2025-09-09 08:36:00
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吸盤無線充電器融合磁力與電磁感應(yīng),實(shí)現(xiàn)無接觸高效充電,精度高、安全可靠。
2025-08-31 08:33:00
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氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:43
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市場對更小、更輕、更高效的交流/直流 USB 供電 (PD) 充電器的需求一直是電源設(shè)計工程師面臨的挑戰(zhàn)。在 100W 以下,準(zhǔn)諧振反激結(jié)構(gòu)仍然是主要的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),氮化鎵 (GaN) 技術(shù)可以進(jìn)一步提高功率密度和效率。
2025-08-20 11:17:56
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隨著芯片尺寸的逐漸縮小,電場強(qiáng)度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變,產(chǎn)生的電場強(qiáng)度將足以擊穿芯片,這無疑對電子系統(tǒng)的電源電壓提出了更為嚴(yán)苛的要求。銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓啟動電路,減少外圍元件,適配快速充電器和適配器等電源設(shè)備。
2025-08-19 17:38:34
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,如何在有限體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低成本與更強(qiáng)協(xié)議兼容能力,成為PD充電器方案設(shè)計中的核心命題。 本文拆解的是一款綠聯(lián)的 65W GaN 三口輸出的電源適配器,其內(nèi)部采用三塊板構(gòu)成. 整體實(shí)現(xiàn)了交流輸入整流與濾波、初級開關(guān)控制與功率變
2025-08-19 11:56:14
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不同的電源適配器來提供正確的電力供應(yīng)。因此,設(shè)計一個優(yōu)秀的電源適配器方案變得極為重要。今天要給大家介紹的是基于思睿達(dá)主推的CR5865DW60WPD充電器方案,能效
2025-08-12 10:41:07
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采樣走線,避免了復(fù)雜曲折的電流路徑設(shè)計,一馬平川的鋪個地平面即可實(shí)現(xiàn)功能。
3.靈活高壓輸出,協(xié)議高兼容:HUSB382D支持5V、9V、12V、15V和20V FPDO,具備最高65W的輸出功率,能兼容市面上主流的充電協(xié)議,以及擁有更高的充電效率。能夠滿足平板,筆記本,手機(jī)等多種電子設(shè)備的充電需求。
2025-08-07 10:43:09
傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限,高效能需求驅(qū)動氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長。在消費(fèi)電子領(lǐng)域,AI手機(jī)、AI PC等各類AI終端的功率提升,GaN方案較硅基方案體積縮小60%,帶動了GaN充電器市場的騰飛
2025-08-07 00:18:00
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設(shè)計大電流,高開關(guān)頻率同步降壓電路時,要想設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng),PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計同步整流電路時建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計參考,包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
2025-08-06 11:39:34
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電競手機(jī)是游戲玩家心中的“戰(zhàn)場利器”。與普通手機(jī)相比,電競手機(jī)極致的性能和炫酷燈效,都讓人愛不釋手。盡管有的廠商匹配了雙腰電池,但對電量長續(xù)航要求更為嚴(yán)苛的電競手機(jī),更需要一個快速充電器來幫忙。搭載了E-GaN充電器芯片的充電器,正符合此需求!
2025-07-25 17:38:20
1085 制造氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:44
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Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:46
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英集芯IP6551是一款為車載充電器、適配器、智能排插、行車記錄儀提供完整的充電方案支持雙路DCP協(xié)議的65W輸出DC-DC降壓芯片,集成同步開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置雙NMOS驅(qū)動器,轉(zhuǎn)換效率高。
2025-07-24 11:13:43
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氮化鎵快充的優(yōu)勢無需多言,市場需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關(guān)注普通充電器這塊,主要是因?yàn)槠粘?兼容性強(qiáng),幾乎所有設(shè)備(包括老舊手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等)均可安全使用,無協(xié)議匹配問題,且?成本遠(yuǎn)低于快充方案!今天推薦銀聯(lián)寶手機(jī)充電器ic U65133,無需額外散熱設(shè)計,高性能、低成本!
2025-07-22 17:02:30
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深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵,48V供電時,驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率,QFN-48貼片封裝,不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:10
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氮化鎵充電器的高功率密度,能在很小的體積里給出更高的功率,所以氮化鎵充電器個頭更小,重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效,能量損失也少,充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE,可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗!
2025-07-18 16:08:41
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通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn),所以快充充電器比我們設(shè)想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)氮化鎵快充ic U8733L,特別適應(yīng)于快速充電器和適配器上!
2025-07-15 15:26:06
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在現(xiàn)代電子制造業(yè)中,充電器的性能和質(zhì)量至關(guān)重要,而浪涌電流測試是確保充電器可靠性和穩(wěn)定性的重要環(huán)節(jié)。本文將探討浪涌電流對充電器的影響,以及源儀電子的充電器測試系統(tǒng)如何高效地進(jìn)行浪涌電流測試。
2025-07-07 14:03:13
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炎熱的夏天,總是需要一些沖散酷暑的小電器,給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯,被稱為夏日“行走的小冰箱”,受到了許多上班族和戶外一族的喜愛,充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧!
2025-07-05 15:25:00
3437 PD40W氮化鎵快充電源方案:U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時,需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin,則無需更改PCB設(shè)計,否則就要重新設(shè)計PCB板
2025-06-26 16:11:11
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A+C口兼容雙接口電路,可滿足多設(shè)備充電需求,還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備,接口互補(bǔ),場景覆蓋廣,依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W,最大程度簡化設(shè)計方案,易上手,低成本!
2025-06-17 17:53:33
1380 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:00
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氮化鎵(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:18
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版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版 等多款筆記本電腦,均INBOX標(biāo)配 65W 49cc氮化鎵快充充電器 ,這是迄今為止聯(lián)想筆記本電腦 最小體積的65W INBOX電源
2025-06-13 14:00:13
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摘要
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案,可提供必要的功能,打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計。此外,本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中,電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連,由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源
2025-06-05 16:16:15
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45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE,同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能!
2025-06-04 16:56:20
1070 我正在使用 CYPAS111A1 PAG1S 設(shè)計 65W USB C 型充電器。 我想通過控制器切斷 USB 輸出。 通過 XRES 引腳POWER_DRILL2GO保持 ic 復(fù)位是否會降低 ic 的最終輸出? 請予以支持。
2025-05-26 06:44:54
充電器都能輕松應(yīng)對,一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持,今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732!
2025-05-23 14:21:36
883 全電壓!PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案,立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng),PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26
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45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商,大量投入工程研發(fā)以
2025-05-15 16:20:17
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行業(yè)技術(shù)新高度。Gemini微型增程器采用水平對置雙缸四沖程發(fā)動機(jī)與P1永磁同步電機(jī)相結(jié)合,并首發(fā)搭載自研“冰刃”系列氮化鎵(GaN)功率模塊,是全球首款應(yīng)用氮化鎵功
2025-05-13 09:36:34
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深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案,主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,協(xié)議338E。輸入規(guī)格:180V-264V 50Hz,輸出規(guī)格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:49
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我們在設(shè)計中使用 CYPD3177,并喜歡配置設(shè)備以接受 USB-C 充電器 PD 配置文件 3、27-45W。 CYPD3177 可以配置充電器的電壓和電流,配置 Profile 3 最合適的方法
2025-05-09 07:30:43
在65W氮化鎵快充設(shè)計中,輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作,保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766,輸入欠壓保護(hù)(BOP),采用ESOP-10W封裝!
2025-05-08 16:30:14
1015 30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝,是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),典型應(yīng)用于30~65W快充,無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作,可以在
2025-05-08 16:17:14
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恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性,適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景,如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS,不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性,同時也可以提高能源利用效率,使優(yōu)勢發(fā)揮到最大!
2025-05-07 17:58:32
673 供應(yīng)CR6520B 65W 離線式開關(guān)電源 IC,提供CR6520B20v3a電源適配器方案關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向啟臣微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2025-04-29 11:44:40
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766,推薦功率為65W,代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17
776 隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及,充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計GaN充電器時,卻面臨一些棘手挑戰(zhàn): 在高頻狀態(tài)下,電磁干擾EMI頻繁發(fā)生,這導(dǎo)致設(shè)備兼容性下降;器件
2025-04-15 09:10:36
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氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族,喜提“芯”成員——U8722FE,推薦最大輸出功率65W,集成MOS
2025-04-10 16:30:58
665 
)快速充電器,最大輸出功率可達(dá)65W,輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換器集成一個700V GaN(氮化鎵)晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動器及典型的安全保護(hù)功能,降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門檻。GaN功率晶體管的最高開關(guān)頻率為240kHz,開關(guān)損耗極小,可以搭配使
2025-04-01 10:01:26
1084 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵(GaN)FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)330W氮化鎵方案CE65H110DNDI,原裝現(xiàn)貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能,通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來了解一下!
2025-03-28 13:36:48
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深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766,擁有超低啟動和工作電流,可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗,勢如破竹!?
2025-03-20 17:41:40
835 高效、安全管理電能轉(zhuǎn)換的手機(jī)充電器芯片U6107DYLB充電器芯片的核心是高效、安全的管理電能轉(zhuǎn)換與電池充電過程。充電器芯片U6107D是一種高性能的電流模式PWM離線反激變換器電源開關(guān)應(yīng)用。在
2025-03-20 16:19:26
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GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:00
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氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:05
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。 ? 目的 ?:本手冊詳細(xì)闡述了氮化鎵(GaN)晶體管并聯(lián)設(shè)計的具體細(xì)節(jié),旨在幫助設(shè)計者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?:有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?:在工作
2025-02-27 18:26:31
1103 什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:33
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什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:49
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TIDM-02013 是一款雙向車載充電器參考設(shè)計。該設(shè)計包括一個交錯式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 功率級,后接一個 CLLLC DCDC 功率級
2025-02-25 15:16:17
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此參考設(shè)計是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出 (5V 至 28V) 電壓。它專為 USB PD3.1 的適配器設(shè)計和電動工具的充電器等應(yīng)用而設(shè)計。
2025-02-24 15:33:20
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此參考設(shè)計是一個 65W USB PD3.0 適配器 適用于許多充電應(yīng)用,包括 手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦。設(shè)計 實(shí)現(xiàn)高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和電流感應(yīng)仿真。高效率 通過準(zhǔn)諧振反激式實(shí)現(xiàn),該 在簡單性和低級之間提供平衡 切換損耗
2025-02-24 09:28:18
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UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT),可將交流轉(zhuǎn)換為直流,以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 65W 的功率轉(zhuǎn)換器。它最適合高功率密度應(yīng)用,例如手機(jī)快速
2025-02-21 15:56:06
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前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器,這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計,因此整體做到相當(dāng)小巧,搭配可折疊插腳,便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充,可滿足
2025-02-14 14:46:51
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:22
0 情人節(jié)的浪漫鐘聲即將敲響,是不是還在為送另一半什么禮物而發(fā)愁?手機(jī)、iPad、照相機(jī)這些常規(guī)的電子產(chǎn)品或許不再有新意,顏值高、性能好的充電器作為PC產(chǎn)品必備附件,也成為很多消費(fèi)者送禮首選。充電器芯片對充電器品質(zhì)有舉足輕重的作用,深圳銀聯(lián)寶今天特別推薦60W充電器芯片U6201!
2025-02-13 15:47:29
1118 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:25
7 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:19
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 08:30:51
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 16:22:37
1 充電器在充電時如遇上劣質(zhì)充電器會出現(xiàn)無故自燃,爆手機(jī),甚至是在充電時觸電,引發(fā)人員傷忙。這一切都源于充電器中的電子元器件的品質(zhì)問題。手機(jī)充電器y電容用于共模濾波,它接于L于地或N于地之間,濾除L對地
2025-02-07 17:57:37
,還不會占據(jù)過多空間,有助于設(shè)備的小型化設(shè)計。在充電器制造方面更是如此,如今消費(fèi)者對充電器的便攜性要求越來越高,氮化鎵芯片可以讓充電器在體積縮小的情況下,依然能夠
2025-02-07 15:40:21
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650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中,氮化鎵(GaN)襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料,正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而,氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37
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UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電源轉(zhuǎn)換器。它非常適合高功率密度應(yīng)用,例如手機(jī)
2025-01-21 17:18:14
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在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里,氮化鎵(GaN)襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而,氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50
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近期,知名數(shù)碼品牌倍思(Baseus)為 Power Integrations 的 InnoSwitch4-Pro 頒發(fā)了產(chǎn)品創(chuàng)新獎。
2025-01-17 11:18:28
1015 在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而,要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36
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在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中,氮化鎵(GaN)襯底正憑借其優(yōu)異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角,成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言,其
2025-01-16 14:33:34
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充電器在充電時如遇上劣質(zhì)充電器會出現(xiàn)無故自燃,爆手機(jī),甚至是在充電時觸電,引發(fā)人員傷忙。這一切都源于充電器中的電子元器件的品質(zhì)問題。手機(jī)充電器y電容用于共模濾波,它接于L于地或N于地之間,濾除L對地
2025-01-15 17:33:14
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
V-GaN 系列INN040W048A氮化鎵芯片,耐壓40V,導(dǎo)通電阻4.8mΩ,支持雙向?qū)?。具備無體二極管、低導(dǎo)通阻抗等特性,僅用1顆就能代替兩顆硅MOSFET。同時采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封裝,為終端產(chǎn)品節(jié)省系統(tǒng)空間的同時,有效降低了系統(tǒng)能耗。
2025-01-08 15:05:03
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