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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

光刻機精密碳化硅陶瓷部件揭秘

集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點，且且結(jié)構(gòu)件要具有極高的尺寸精度和結(jié)構(gòu)復雜性，...

2024-03-07 標簽：集成電路光刻機光刻技術(shù) 1385 0

淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

2024-03-04 標簽：晶體 SiC 碳化硅 1130 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

2024-02-29 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2048 0

淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來發(fā)展前景

隨著能源效率和環(huán)保要求的日益提高，電力電子系統(tǒng)正在向著更高效、更緊湊的方向發(fā)展。

2024-02-28 標簽：晶體管硅二極管功率器件 1413 0

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當輸入電流通過時，會發(fā)出特定波長的光。

2024-02-27 標簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 843 0

碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

2024-02-25 標簽：晶體管功率器件碳化硅 1431 0

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當今研究的熱點。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學...

2024-02-22 標簽：半導體功率器件碳化硅 1125 0

簡單認識碳化硅功率器件

隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有...

2024-02-21 標簽：半導體功率器件碳化硅 1534 0

晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標簽：SiC 半導體器件碳化硅 1121 0

TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標簽：新能源汽車半導體光電轉(zhuǎn)換 4826 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓撲結(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標簽：新能源汽車功率器件碳化硅 762 0

碳化硅發(fā)展生逢其時

*文末有禮碳化硅（SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式，帶來一場顛覆性變革。電動汽車、可再生能源、儲能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實現(xiàn)性...

2024-03-04 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 933 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 2015 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1075 0

淺談碳化硅功率半導體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

2024-01-25 標簽：晶圓功率半導體碳化硅 1509 0

深度解讀第三代半導體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標簽：二極管 MOSFET 半導體 4180 0

碳化硅晶片的化學機械拋光技術(shù)研究

為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學機械拋光技術(shù)進行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

2024-01-24 標簽：SiC 晶片碳化硅 3142 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標簽：多晶硅 mems 壓力傳感器 5803 0

碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

晶片切割是半導體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導體材料...

2024-01-23 標簽：半導體晶片激光切割技術(shù) 6501 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標簽：新能源汽車 MOSFET 晶體管 1566 0

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